AgigA推出首款高速、高密度、非易失性 RAM 系統(tǒng)

　　日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司美國(guó)技佳科技有限公司 (AgigA Tech Inc.) 推出了業(yè)界首款高速、高密度、非易失性 RAM 系統(tǒng)。該新型 AGIGARAM™ 非易失性系統(tǒng) (NVS) 技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的密度介于 4MB (32Mb) 到2GB (16Gb) 之間，傳輸峰值速度與 DRAM 的相當(dāng)。AGIGARAM 是多種系統(tǒng)的理想選擇，如存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、通信、工業(yè)計(jì)算和控制、醫(yī)療設(shè)備、游戲系統(tǒng)、ATM 和銷售點(diǎn)終端、打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)、汽車和軍事系統(tǒng)等。

　　至今，高速、非易失性存儲(chǔ)器，特別是高性能 RAM 的可選范圍非常有限。配合賽普拉斯推出的nvSRAM，AGIGARAM 系統(tǒng)將非易失性解決方案擴(kuò)展到了更高的密度水平。與該系統(tǒng)最接近的需要電池供電的高密度系統(tǒng)，盡管速度較快，但同時(shí)受制于諸多因素，如有害物質(zhì)問(wèn)題、設(shè)計(jì)復(fù)雜性增加、充電時(shí)間過(guò)長(zhǎng)、工作壽命有限以及整體擁有成本過(guò)高等。

　　AGIGARAM 系統(tǒng)通過(guò)采用新型的無(wú)電池電源子系統(tǒng)，同時(shí)配合高速同步 DRAM、NAND 閃存、智能電源管理和專有的系統(tǒng)控制器，有效解決了上述問(wèn)題。在正常工作期間，AGIGARAM 的功能與同步DRAM (SDRAM) 的一樣。但在斷電情況下，它就會(huì)用儲(chǔ)存在電源子系統(tǒng)中的電能自動(dòng)將數(shù)據(jù)保存到 NAND 閃存上。供電恢復(fù)后，數(shù)據(jù)則將傳回 SDRAM。上述功能可有效應(yīng)對(duì)供電中斷和電力損失等突發(fā)情況，也可用于即時(shí)恢復(fù)、寫(xiě)入緩存與記錄、數(shù)據(jù)記錄以及服務(wù)與維護(hù)處理等。

　　Objective Analysis 公司總監(jiān) Jim Handy 表示：“當(dāng)前的存儲(chǔ)技術(shù)都不太完善。DRAM 是易失性的，閃存速度太慢，采用電池供電的 SRAM 可靠性不高，其他技術(shù)在高密度使用情況下成本又過(guò)于昂貴。而像美國(guó)技佳科技有限公司提供的將 DRAM 和 NAND 各自的最佳特性結(jié)合在一起的產(chǎn)品，很可能會(huì)得到市場(chǎng)的廣泛認(rèn)同。”

　　美國(guó)技佳科技有限公司首席執(zhí)行官 Ron Sartore 指出：“美國(guó)技佳科技有限公司以其獨(dú)特的技術(shù)與專長(zhǎng)為高速、高密度、非易失性 RAM 提供了一款出色的解決方案。而且與賽普拉斯的關(guān)系將能使我們通過(guò)一流的銷售網(wǎng)絡(luò)服務(wù)于廣大客戶。”

　　AGIGARAM 產(chǎn)品和特性

　　美國(guó)技佳科技有限公司宣布推出了兩個(gè)不同的 AGIGARAM 產(chǎn)品系列：BALI 和 CAPRI。

　　BALI 產(chǎn)品特性

　　主要面向通用、嵌入式及工業(yè)等應(yīng)用：

• 4-MB 到 64-MB 的密度
• 高速 100 MHz SDRAM
• 每秒 200 MB 的峰值傳輸速度
• I2C命令/控制總線
• 4 MB 到 32 MB 的 VCC為 3.3V，64 MB 的VCC 為 5.0V
• 封裝：200 引腳的 SO-DIMM 或夾層卡 (Mezzanine card)
• 工作范圍介于 0 至 70 攝氏度之間
• 工作壽命分別為 3年、5年和10年
• 集成式無(wú)電池電源組

　　CAPRI 產(chǎn)品特性

　　該產(chǎn)品主要面向高端存儲(chǔ)、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)和通信等應(yīng)用，容量從 256 MB 到 2 GB 不等，使用更高速度的 DDR-800 接口。其還集成了無(wú)電池電源組。接下來(lái)的版本將進(jìn)一步提高容量。