提升產(chǎn)業(yè)鏈競爭力 中國掩模版邁向高世代

　　發(fā)展TFT-LCD掩模版產(chǎn)品，不僅能帶動多項相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，形成較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，而且可打破國外壟斷局面，提高國產(chǎn)化配套能力，全面提升整機(jī)產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，大幅度降低整機(jī)制造成本，對推進(jìn)我國液晶顯示產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展及終端應(yīng)用產(chǎn)品的技術(shù)進(jìn)步具有積極意義。

　　中國企業(yè)已掌握核心技術(shù)

　　TFT-LCD用掩模版也稱光罩或MASK，是TFT-LCD制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，它用于下游面板行業(yè)批量復(fù)制生產(chǎn)，主要應(yīng)用于TFT-LCD黃光段陣列及彩色濾光片的曝光工藝。

　　清溢光電通過自主技術(shù)創(chuàng)新和體制創(chuàng)新，現(xiàn)已掌握第7代及第7代以下TFT-LCD用掩模版的10大核心技術(shù)，現(xiàn)正在規(guī)劃購進(jìn)和自研相關(guān)設(shè)備，建設(shè)第8代及以下掩模版生產(chǎn)線，為國內(nèi)TFT-LCD產(chǎn)業(yè)的發(fā)展同步配套。

　　清溢光電掌握的10大核心技術(shù)包括：TFT-LCD掩模版設(shè)計和應(yīng)用技術(shù)，第7代及以下TFT-LCD掩模版的光刻技術(shù)，CD誤差可達(dá)到小于100nm的第7代及以下掩模版的顯影/蝕刻技術(shù)，第7代及以下大面積重復(fù)性測量誤差可達(dá)到小于10nm的測量系統(tǒng)設(shè)計能力，大面積二維尺寸測量小于90nm的測量應(yīng)用技術(shù)，第7代及以下大面積LCVD修補(bǔ)系統(tǒng)設(shè)計和工藝控制技術(shù);第7代及以下大面積保護(hù)膜貼膜系統(tǒng)設(shè)計和控制技術(shù)，第7代及以下大面積缺陷檢查以及分析應(yīng)用技術(shù);符合ISO14644技術(shù)要求的1級凈化建設(shè)、管理及保養(yǎng)技術(shù)，滿足VC-D級的防微振系統(tǒng)控制技術(shù)。

　　清溢光電已經(jīng)具備的第5代量產(chǎn)和第7代研發(fā)的成功經(jīng)驗，使清溢光電在2008年底占據(jù)國內(nèi)大部分市場，為第8代TFT-LCD掩模版生產(chǎn)線奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。

　　高世代掩模版技術(shù)難度加大

　　第8代及第8代以下TFT-LCD用掩模版產(chǎn)品都是由石英玻璃基板、鉻膜圖形及保護(hù)膜(pellicle)構(gòu)成。石英基板的尺寸從330mm×450mm到1220mm×1400mm，厚度從5mm到13mm，鉻膜厚度為0.1μm，圖形關(guān)鍵尺寸在4μm左右，各項技術(shù)指標(biāo)精度要求均為亞微米級，保護(hù)膜框高度為5.9mm左右，保護(hù)膜厚度為4μm。

　　清溢光電自2006年10月研制成功TFT-LCD彩色濾光片用大尺寸掩模版之后，2007年8月又成功開發(fā)出第5代TFT-LCD陣列用掩模版產(chǎn)品并實現(xiàn)量產(chǎn)，掩模版規(guī)格為800mm×520mm×8mm，柵格尺寸為25nm。與第5代產(chǎn)品相比，第8代TFT-LCD用掩模版面積尺寸更大，無論從產(chǎn)品技術(shù)還是生產(chǎn)工藝來看，第8代TFT-LCD用掩模版都處于國內(nèi)本行業(yè)的最高技術(shù)水平。