光通信芯片將趨向于采用CMOS工藝

　　在3G之后，FTTx將是光通信建設(shè)的又一高潮，我們將進(jìn)入一個(gè)全新的寬帶時(shí)代。從目前三大運(yùn)營(yíng)商對(duì)FTTx的部署來(lái)看，光節(jié)點(diǎn)會(huì)越來(lái)越多，可預(yù)見(jiàn)不久的將來(lái)出現(xiàn)光通信新一輪井噴式的發(fā)展。EPON、GPON是目前FTTx的主流網(wǎng)絡(luò)方案，有關(guān)PON網(wǎng)絡(luò)的協(xié)議、技術(shù)、產(chǎn)品備受關(guān)注，迅速得到發(fā)展。PON網(wǎng)絡(luò)的協(xié)議芯片、PON網(wǎng)絡(luò)終端模塊的突發(fā)模式收發(fā)芯片的需求將快速增長(zhǎng)。

　　廈門(mén)優(yōu)迅高速芯片有限公司是一家Fabless(無(wú)晶圓)IC設(shè)計(jì)公司，專(zhuān)業(yè)從事光通信前端高速收發(fā)集成電路芯片的設(shè)計(jì)，采用先進(jìn)的、相對(duì)低成本的深亞微米(0.13μm～0.35μm)CMOS(互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝和最新的SiGeBiCMOS工藝技術(shù)，在國(guó)內(nèi)自主開(kāi)發(fā)，正向設(shè)計(jì)具有100%自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高端通信集成電路芯片。

　　目前國(guó)產(chǎn)芯片的性能指標(biāo)完全能達(dá)到國(guó)際主流芯片的高品質(zhì)要求，具有很高的性?xún)r(jià)比。但是，由于國(guó)內(nèi)芯片的品牌知名度不夠，在同國(guó)外同類(lèi)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)中還是處于劣勢(shì)。這主要還是觀念上的問(wèn)題，許多用戶(hù)已經(jīng)習(xí)慣了用進(jìn)口的芯片，而且很多人可能都會(huì)覺(jué)得這么高端的芯片國(guó)內(nèi)還做不好。其實(shí)我們和國(guó)外大部分 IC廠家是一樣的，都是FablessIC設(shè)計(jì)公司，主要設(shè)計(jì)工程師來(lái)自硅谷，具有多年的高端IC設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。晶圓生產(chǎn)是委托給專(zhuān)業(yè)的代工廠生產(chǎn)，包括芯片的封裝、測(cè)試都是這樣。只是大家選用的工藝可能不一樣，我們率先采用純CMOS工藝，國(guó)外廠商好多還是采用BiCMOS工藝。當(dāng)然，整個(gè)IC行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)是能用純CMOS工藝的都會(huì)盡量采用 CMOS工藝，因?yàn)镃MOS成本低、集成度高、穩(wěn)定性好。

　　隨著10GGPON/EPON標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議的發(fā)布，10G芯片的需求也將快速增長(zhǎng)，標(biāo)準(zhǔn)的光模塊XFP、SFP+、X2、XENPAK等已經(jīng)做到10G。10GGPON/EPON標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)今年年內(nèi)會(huì)頒布。40G主要用于長(zhǎng)距離干線(xiàn)的光傳輸。相對(duì)于10G，40G就需要做革命性的創(chuàng)新，對(duì)IC芯片是巨大的挑戰(zhàn)，對(duì)前端的光電芯片更是巨大的挑戰(zhàn)，比如激光器就無(wú)法采用直接調(diào)制，必須采用光波導(dǎo)間接調(diào)制等等。

　　跟其他IC芯片產(chǎn)品一樣，光通信芯片的發(fā)展方向也是要不斷提高其集成度，增加更多的功能，不斷降低成本，會(huì)有更多的芯片放棄原先的Bipolar、BiCMOS工藝，而采用先進(jìn)的相對(duì)低成本的CMOS工藝。隨著網(wǎng)絡(luò)智能化的提升，會(huì)增加網(wǎng)絡(luò)診斷功能、控制功能，IC芯片就需要集成許多數(shù)字電路，做成數(shù)?；旌闲酒踔罶oC芯片。隨著寬帶需求的增加，傳輸速率越來(lái)越高，需要不斷開(kāi)發(fā)更高速率的芯片，10G、40G，甚至更高速率。