半導體C-V測量基礎
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圖5. 利用吉時利4200-SCS進行參數(shù)提取的實例表現(xiàn)了半導體的摻雜特征(左邊的藍線)，它與1/C2 與Vg的關系呈倒數(shù)關系(紅線)。右圖給出了摻雜分布，即每立方厘米的載流子數(shù)與襯底深度的函數(shù)關系。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/96649.htm通常，人們都希望工程技術人員和研究人員在幾乎沒有任何儀器使用經(jīng)驗或培訓的情況下就能夠進行C-V測量。具有直觀用戶界面和簡單易用特征的測試系統(tǒng)使得這一點成為現(xiàn)實。其中包括簡單的測試配置、序列控制和數(shù)據(jù)分析。否則，用戶在掌握系統(tǒng)方面就要比采集和使用數(shù)據(jù)花費更多的時間。對測試系統(tǒng)其它考慮因素包括：
· 緊密集成的源-測量單元、數(shù)字示波器和C-V表
· 方便集成其他外部儀器
· 基于探針的高分辨率和高精度測量(直流偏壓低至毫伏級，電容測量低至飛法級)
· 測試配置和庫易于修改
· 提供檢測/故障診斷工具幫助用戶確定系統(tǒng)是否正常工作
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