新日本無線開發(fā)完成了設(shè)有旁通電路低噪聲放大器
加入技術(shù)交流群
新日本無線開發(fā)完成了設(shè)有旁通電路低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1138HA8，并開始發(fā)放樣品。該產(chǎn)品面向歐洲，最適用于900MHz頻段W-CDMA模式手機。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/96782.htm
【開發(fā)背景】
近年來，為了降低手機成本，RF-IC的CMOS化在不斷地進步。以往的低噪聲放大器內(nèi)置于RF-IC內(nèi)，但是CMOS工藝很難構(gòu)成便宜又具有高線形性的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。因此，要通過CMOS工藝來降低成本，外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。NJG1138HA8就是能滿足這種要求的設(shè)有旁通電路低噪聲放大器。用于900MHz頻段W-CDMA模式手機終端。
【產(chǎn)品特征】
NJG1138HA8是由低噪聲放大電路?旁通電路?控制用邏輯電路構(gòu)成的低噪聲放大器。具有內(nèi)置高線形性?低消耗電流?ESD保護電路等特征，并且為防止離基地局較近地區(qū)發(fā)生的強磁場輸入時所造成的放大器視失真，設(shè)置了不經(jīng)過放大電路的旁通模式(Low gain模式)。
-- 即實現(xiàn)了高線形性又低消耗電流 --
通過使用高性能HJ FET工藝，即實現(xiàn)了高線形性 (IIP3 0dBm typ. @VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)和低消耗電流 (2.3mA typ. @VCTL=1.8V)。
-- 實現(xiàn)了高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓 --
內(nèi)置保護元件，用HBM(Human Body Model)方法，實現(xiàn)了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓
【其它】
? 低控制電壓
? 超小超薄封裝 USB6-A8(1.0mmx1.2mmx0.38mm typ.)
? 符合無鉛無鹵化物標準
WCDMA相關(guān)文章:WCDMA是什么意思
評論