宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專(zhuān)注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。

　　宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。該授權(quán)閃存技術(shù)具有單元尺寸小，編程效率高和無(wú)過(guò)度擦除的優(yōu)點(diǎn)，顯著減少了嵌入式閃存模塊的面積，在市場(chǎng)上極具競(jìng)爭(zhēng)力。與此同時(shí)，此新技術(shù)具有極高的耐擦寫(xiě)能力和數(shù)據(jù)保持特性，可重復(fù)擦寫(xiě)10萬(wàn)次，數(shù)據(jù)可保留100年。

　　該新制程兼容了宏力半導(dǎo)體0.13微米所有的通用和低功耗邏輯制程，易于技術(shù)遷移。此兼容特性可確保讓客戶購(gòu)買(mǎi)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)和IP效益最大化，從而降低成本。

　　另外，宏力半導(dǎo)體針對(duì)SIM card特別提供了低成本高效益的dual-gate解決方案。該方案在0.13微米的低功耗邏輯制程中省去了3.3V器件，因此可以節(jié)省光罩層數(shù)。

　　“宏力正在進(jìn)行獨(dú)立閃存芯片的大批量運(yùn)行生產(chǎn)，這使我們具有明顯的優(yōu)勢(shì)來(lái)確保穩(wěn)定可靠的嵌入式閃存良率。”宏力半導(dǎo)體市場(chǎng)服務(wù)單位副總裁衛(wèi)彼得博士表示，“該新技術(shù)可廣泛應(yīng)用于MCU、USB 密鑰、智能卡、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，并為我們的客戶提供了頗具吸引力的低功率、低成本高效益的平臺(tái)。”