英特爾與恒憶公布突破性相變存儲器技術(shù)研究成果

　　英特爾公司與恒憶(Numonyx B.V.)今天公布了一項突破性的相變存儲器(PCM)研究成果，這種新的非易失性存儲器技術(shù)結(jié)合了目前各種存儲器的優(yōu)勢。研究人員首次展示了能夠在單個硅片上堆疊或放置多個PCM陣列層的64Mb測試芯片。這些研究成果為制造更高容量、更低能耗的存儲器設(shè)備鋪平了道路，能夠為隨機存取非易失性存儲器和存儲應(yīng)用降低所占用的空間。

　　這項成果由恒憶和英特爾聯(lián)合開發(fā)，雙方一直在合作探索多層或堆疊式PCM單元陣列方面的研究。英特爾和恒憶的研究人員現(xiàn)在能夠展示垂直集成的存儲器單元PCMS(相變存儲器與開關(guān))。PCMS由一個PCM元件和新型雙向閾值開關(guān)(OTS)以真正的交叉點陣列方式組成。堆疊多層PCMS陣列的能力提供了更高存儲器密度的可擴展性，同時保持PCM的性能特征，而基于傳統(tǒng)存儲器技術(shù)則越來越難以實現(xiàn)。

　　英特爾院士、存儲器技術(shù)開發(fā)總監(jiān)Al Fazio表示：“我們繼續(xù)開發(fā)存儲器的相關(guān)技術(shù)，以推動計算平臺的進步。這項里程碑式的研究成果令人振奮，我們認為對于擴展存儲器在計算解決方案中的作用以及提高性能和存儲器擴展能力，PCMS等未來存儲器技術(shù)至關(guān)重要。”

　　恒憶公司高級技術(shù)院士Greg Atwood表示：“這項研究成果前景廣闊，使得未來為PCM產(chǎn)品開發(fā)密度更高、可擴展的陣列和類NAND使用模式成為可能。傳統(tǒng)閃存技術(shù)面臨物理限制和可靠性問題，而從手機到數(shù)據(jù)中心等設(shè)備對存儲器的廣泛需求卻越來越高，因此這項成果意義重大。”

　　存儲器單元通過堆疊存儲元件和選擇器而制造，由幾個單元構(gòu)成存儲器陣列。英特爾和恒憶的研究人員能夠?qū)⒈∧?、雙終端OTS部署為為選擇器，其物理和電氣特性非常適合PCM擴展?，F(xiàn)在，薄膜PCMS的兼容性讓多層交叉點存儲器陣列成為可能。分層陣列一旦集成起來并按照真正的交叉點陣列進行嵌入，可與CMOS電路相結(jié)合，用于解碼、傳感和邏輯功能。

　　在12月9日即將在美國巴爾的摩市召開的2009年國際電子設(shè)備大會(International Electron Devices Meeting，IEDM)上，兩家公司將聯(lián)合發(fā)表標題為《可堆疊交叉點相變存儲器》的論文，披露有關(guān)存儲器單元、交叉點陣列、實驗以及結(jié)果的更多信息。這篇論文由英特爾和恒憶的技術(shù)人員共同撰寫，英特爾高級首席工程師DerChange Kau將做相關(guān)演講。