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          Vishay推出業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2009-11-04
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/99543.htm

          　　在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級(jí)功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的MICRO FOOT的占位小9%。
          

          

          　　在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下，Si8461DB的導(dǎo)通電阻為0.1Ω，比非芯片級(jí)器件提高了10倍，而且具有相近的占位尺寸，為節(jié)約便攜設(shè)備中的電池能量提供了極大幫助。除4.5V的電壓等級(jí)，Si8461DB還確定了在2.5V、1.8V和1.5V電壓時(shí)的最大導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通電阻與采用便攜式系統(tǒng)中常見的更小輸入信號(hào)的設(shè)備相匹配。對于充電開關(guān)等需要更高輸入電壓的應(yīng)用，Si8465DB具有12V的柵源電壓，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)的導(dǎo)通電阻分別為0.104Ω和0.148Ω。
          

          　　Si8461DB和Si8465DB現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            Vishay
                        MOSFET
                        Si8461DB
                        Si8465DB
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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