IBM推出電致發(fā)光納米管晶體管

　IBM公司日前發(fā)布了據(jù)稱是全球首款電致發(fā)光(EL)納米管晶體管，并聲稱該器件發(fā)光亮度比發(fā)光二極管(LED)強(qiáng)1000倍，光子通量多達(dá)1萬(wàn)倍。

　　通過(guò)在硅片上發(fā)射數(shù)千個(gè)光子，其能量消耗與砷化鎵內(nèi)的一個(gè)光子相同。IBM預(yù)測(cè)，碳納米管(carbon nanotube)晶體管將導(dǎo)致在硅片上制成光集成器件。據(jù)IBM稱，硅片集成光器件將有望降低成本，促進(jìn)電子學(xué)發(fā)展，減少對(duì)奇異半導(dǎo)體材料(如砷化鎵)的需求。

　　IBM表示，其技術(shù)通過(guò)電氣激勵(lì)懸浮于摻雜硅晶圓上方的碳納米管，實(shí)現(xiàn)了1,000倍亮的發(fā)射強(qiáng)度。所產(chǎn)生的電子空穴對(duì)電氣中性，當(dāng)復(fù)合時(shí)發(fā)射出紅外光。其它研究組織也報(bào)道過(guò)碳納米管發(fā)光，由激光激勵(lì)光致發(fā)光。IBM則宣稱其技術(shù)僅采用電氣激勵(lì)產(chǎn)生電子空穴對(duì)，密度比光致發(fā)光大100倍。

　　IBM表示，憑借其光發(fā)射技術(shù)實(shí)現(xiàn)了非常高的效率。IBM在高摻雜的硅晶圓上的二氧化硅薄膜內(nèi)蝕刻了溝道，制成了此款光發(fā)射晶體管。晶圓襯底充當(dāng)碳納米管晶體管的背面門極。而器件所發(fā)射的紅外光強(qiáng)度與門極驅(qū)動(dòng)電流呈指數(shù)相關(guān)。