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英飛凌科技股份公司近日為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。借助從300A到900A的廣泛電流等級,該產(chǎn)品組合為逆變器設(shè)計者提供了高度的靈活性,同時也提供了更高......
氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導體材料,能隙為3.4 eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此,GaN的固有性質(zhì)讓器件具有更高......
開篇前言關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒......
現(xiàn)今, 隨著工業(yè)控制、工業(yè)計算機、車用電子,甚至服務(wù)器的需求越來越多樣化,產(chǎn)品輸入電壓范圍也變得非常寬。有些應用提高輸入電壓來減少輸入電流,以減少輸入線損并提高轉(zhuǎn)換效率。新型的服務(wù)器已可見48V輸入的需求!有些應用也使用......
近年隨著電動汽車產(chǎn)業(yè)崛起,碳化硅(SiC)功率半導體市場需求激增,吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注,國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比,碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy ban......
高端變頻空調(diào)在實際應用中出現(xiàn)大量外機不工作,經(jīng)過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效,本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計分析,對IGBT失效原因及失效機理分析,分析結(jié)果表明:經(jīng)過對IGBT失效分析及IG......
全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的、以世界先......
前言背景:英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的I......
日前,英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)市場推廣總監(jiān)陳子穎先生和英飛凌科技電源與傳感事業(yè)部大中華區(qū)應用市場總監(jiān)程文濤先生在媒體采訪中就第三代半導體技術(shù)價值、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)趨勢進行了深入解讀。進入后摩爾時代,一方面,人類社會......
基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia,今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’,這是其第二次舉辦此年度虛擬會議。鑒于去年首屆活動取得圓滿成功,本屆為期三天的活動將擴大規(guī)模,涵蓋與功率電子元件相關(guān)的眾......
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