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          2007年臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體資本支出將居于前列

          • 今年臺(tái)灣地區(qū)廠商的半導(dǎo)體資本支出將提高40億美元,達(dá)到130億美元?!皬恼w產(chǎn)業(yè)來(lái)看,我們預(yù)測(cè)今年資本支出將增長(zhǎng)5%?!盨MA的總裁George Burns在報(bào)告中表示?!皫缀跛性鲩L(zhǎng)都發(fā)生在臺(tái)灣地區(qū)?!?SMA預(yù)測(cè),中國(guó)大陸和東南亞資本支出將微幅增長(zhǎng),美國(guó)和歐洲企業(yè)的半導(dǎo)體資本支出將沒(méi)有增長(zhǎng)。Burns表示,日本的資本支出將“明顯萎縮”,預(yù)計(jì)下降15%?!绊n國(guó)廠商在削減支出?!彼f(shuō)?!暗渲С鰞H下降1%?!?SMA報(bào)告稱(chēng),臺(tái)灣地區(qū)廠商今年占資本支出的份額升至22%,表現(xiàn)突出?!芭_(tái)灣地區(qū)資本支出
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  臺(tái)灣  半導(dǎo)體  模擬IC  電源  

          首爾半導(dǎo)體在與臺(tái)灣AOT的專(zhuān)利權(quán)訴訟中勝訴

          • 首爾半導(dǎo)體(Seoul Semiconductor Co., Ltd.),韓國(guó)光發(fā)射二極管(LED)環(huán)保照明技術(shù)生產(chǎn)商,宣布與臺(tái)灣LED照明技術(shù)生產(chǎn)商AOT的專(zhuān)利權(quán)訴訟取得勝訴。事情源于AOT入稟法院,申請(qǐng)首爾半導(dǎo)體的“暖白LED”環(huán)保照明技術(shù)在臺(tái)灣的專(zhuān)利權(quán)無(wú)效。此外,首爾半導(dǎo)體在韓國(guó)與Itswell和Mediana Electronics等公司就有關(guān)的專(zhuān)利權(quán)訴訟,也同時(shí)取得勝訴。    2005年8月,首爾中央地區(qū)法院(Seoul Centra
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          DS協(xié)同Microsoft Visual Studio簡(jiǎn)化半導(dǎo)體設(shè)計(jì)

          • Dassault Systemes (DS) 全球產(chǎn)品全生命周期管理(PLM)解決方案和3D技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,日前宣布為其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)管理方案——ENOVIA MatrixOne Synchronicity DesignSync 5.0推出最新插件,該插件使程序員可以在microsoft Visual Studio設(shè)計(jì)平臺(tái)下工作,換言之,它們可以在自己熟悉的桌面環(huán)境下存取、管理和協(xié)同DesignSync文件,而不
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          半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)小結(jié)

          • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)小結(jié) 1. 半導(dǎo)體有光敏、熱敏和摻雜特性。 2.PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦裕?P + N - 導(dǎo)通, P - N + 截止。 3. 二極管的內(nèi)部就是一個(gè) PN 結(jié),正向偏置導(dǎo)通,反向偏置截止。 4. 三極管內(nèi)部有二個(gè) PN 結(jié),三極管放大的實(shí)質(zhì)是以很小的基極電流控制較大的集電極電流。發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,三極管工作在放大狀態(tài),在放大狀態(tài)時(shí) I C = β I B I E = I B + I C =( 1 + β ) I B 5. 場(chǎng)效應(yīng)管是以很小的柵源電壓控制較大的漏極電流。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  模擬電子  電子技術(shù)  

          半導(dǎo)體三極管

          • 1 三極管的結(jié)構(gòu)和分類(lèi)   三極管在模擬電子電路中其主要作用是構(gòu)成放大電路。   結(jié)構(gòu): 三個(gè)區(qū)、 二個(gè)結(jié)、 三個(gè)電極。     分類(lèi):三極管如按結(jié)構(gòu)可分為 NPN 型和 PNP 型;按所用的半導(dǎo)體材料可分為硅管和鍺管;按功率可分為大、中、小功率管;按頻率特性可分為低頻管和高頻管等。 2 電流分配和放大作用   三極管放大條件:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。     1. 發(fā)射區(qū)發(fā)射電子形成 I E = I B + I C   2. 基區(qū)復(fù)合電子形成 I B
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          半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)

          • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 一、物體按導(dǎo)電能力分類(lèi) 導(dǎo)體: 導(dǎo)電能力強(qiáng),如金屬。 絕緣體: 導(dǎo)電能力很差,如橡膠、陶瓷。 半導(dǎo)體: 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 二、半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu) 現(xiàn)代半導(dǎo)體材料主要使用硅和鍺(S i:14;G e:32),其外層 均有四個(gè)價(jià)電子,而原子核和除價(jià)電子外的內(nèi)層電子組成慣性核。 其簡(jiǎn)化模型為: 三、半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵制造半導(dǎo)體器件的硅和鍺是單晶材料,具有金剛石結(jié)構(gòu),每個(gè)原 子和相鄰四個(gè)原子結(jié)合,每個(gè)原子的外層四個(gè)價(jià)電子分別與相鄰的四個(gè) 原子的價(jià)電
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  模擬電子  電子技術(shù)  模擬IC  

          全球50大半導(dǎo)體消費(fèi)廠商:惠普第1 戴爾第2

          • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,權(quán)威調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner日前評(píng)出了“全球50大半導(dǎo)體消費(fèi)廠商”,結(jié)果惠普、戴爾、諾基亞、摩托羅拉和三星分列前五名。   報(bào)告顯示,惠普2006年的半導(dǎo)體消費(fèi)額為140億美元,占業(yè)內(nèi)總輸出量的5%。戴爾和諾基亞的消費(fèi)額均為120億美元,摩托羅拉為110億美元,而三星為100億美元。   全球50大半導(dǎo)體消費(fèi)廠商2006年的總消費(fèi)額為1610億美元,占行業(yè)總輸出量的61%。   在這50家廠商中,以通信企業(yè)居多,其次分別為數(shù)據(jù)處理公
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          半導(dǎo)體庫(kù)存下半年情況將有所改善

          •     半導(dǎo)體工廠繼續(xù)快速生產(chǎn)芯片,導(dǎo)致第二季度電子供應(yīng)鏈中的庫(kù)存水平上升——但iSuppli預(yù)期,今年下半年庫(kù)存情況將有所改善。     目前,工廠生產(chǎn)熱火朝天,導(dǎo)致產(chǎn)品生產(chǎn)速度超過(guò)了銷(xiāo)售速度,結(jié)果過(guò)剩庫(kù)存不斷增多。預(yù)計(jì)這種生產(chǎn)勢(shì)頭將在第三季度降溫,銷(xiāo)售也會(huì)升溫,從而導(dǎo)致庫(kù)存減少。     據(jù)iSuppli的最新估計(jì),第二季度電子供應(yīng)鏈中的過(guò)剩半導(dǎo)體庫(kù)存從第一季度的55億美元上升到66億美元。     半導(dǎo)體供應(yīng)商
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  半導(dǎo)體  庫(kù)存  

          瑞薩發(fā)布新的中國(guó)戰(zhàn)略 三管齊下推動(dòng)銷(xiāo)售額倍增

          • 株式會(huì)社瑞薩科技在北京發(fā)布了新的中國(guó)戰(zhàn)略,期望到2010財(cái)年之前在中國(guó)的銷(xiāo)售額能夠增長(zhǎng)100%,并且MCU、TV用LSI和汽車(chē)半導(dǎo)體等重點(diǎn)領(lǐng)域的產(chǎn)品市場(chǎng)份額同步擴(kuò)大100%。瑞薩希望通過(guò)與中國(guó)的合作伙伴合作,研發(fā)適合中國(guó)市場(chǎng)的產(chǎn)品,使本地業(yè)務(wù)得到更快發(fā)展。未來(lái),瑞薩不僅期望銷(xiāo)售額能夠大幅增長(zhǎng),并且計(jì)劃大幅度提升在中國(guó)工廠的設(shè)計(jì)能力和產(chǎn)能,產(chǎn)能目標(biāo)是在五年之內(nèi)提升到目前的3倍。此外,瑞薩一直致力于與中國(guó)的高校合作,如在中國(guó)數(shù)所大學(xué)中設(shè)置“MCU課程”、贊助中國(guó)教育部舉辦“2007瑞薩超級(jí)MCU模型車(chē)大賽”等
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          世界半導(dǎo)體業(yè)緩慢成長(zhǎng)

          • WSTS(世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì))5月30日發(fā)表了2007年春季預(yù)測(cè)。最新預(yù)測(cè)表明,今明兩年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)增幅縮減,2007年的增長(zhǎng)率從去秋預(yù)測(cè)增長(zhǎng)8.6%,下調(diào)6.3個(gè)百分點(diǎn),變?yōu)閮H增2.3%,達(dá)2535億美元,2008年同樣從12.1%下調(diào)到10.2%,保持了兩位數(shù)增長(zhǎng),2009年再次放緩到5.2%,達(dá)2938億美元。2006~09年4年間的年均增長(zhǎng)率為5.8%,差強(qiáng)人意,原預(yù)測(cè)2008年世界半導(dǎo)體即可超過(guò)3000億美元,現(xiàn)在看來(lái)到2009年也完不成的了。從各大地區(qū)觀察,唯有亞太地區(qū)繼續(xù)保持較高增長(zhǎng)率
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          NEC電子強(qiáng)化化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域

          • 為了進(jìn)一步推動(dòng)在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展,NEC電子近日公布了在該領(lǐng)域的發(fā)展戰(zhàn)略及相應(yīng)的措施。NEC電子的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主要包括以GaAs等化合物及硅為材料的光半導(dǎo)體及微波半導(dǎo)體。 NEC電子此次公布的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展主要將發(fā)展重點(diǎn)集中在今后將會(huì)出現(xiàn)高速增長(zhǎng)的光耦及GaAs開(kāi)關(guān)IC等產(chǎn)品領(lǐng)域,以期望通過(guò)開(kāi)拓此類(lèi)領(lǐng)域,擴(kuò)大在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。NEC電子期望在此兩類(lèi)市場(chǎng)中NEC電子的份額均能達(dá)到世界第一。為了實(shí)現(xiàn)該目標(biāo),NEC電子將在今后的1--2年內(nèi)相繼推出10款光耦產(chǎn)品及20款GaAs開(kāi)關(guān)IC;
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          SIA:07年上半年半導(dǎo)體業(yè)收入僅增長(zhǎng)2.1%

          • 8月4日消息,全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SIA)本周五發(fā)布報(bào)告顯示,半導(dǎo)體市場(chǎng)整體受削價(jià)的影響,今年上半年全行業(yè)收入增長(zhǎng)率只有2.1%,而同期受PC和手機(jī)強(qiáng)勁銷(xiāo)售的推動(dòng),芯片出貨量卻較上年同期增長(zhǎng)7%,出現(xiàn)增產(chǎn)不增收情況。  據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,今年前五個(gè)月全球芯片銷(xiāo)售額達(dá)1210億美元,去年同期為1184億美元。半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)低迷嚴(yán)重影響了芯片廠商所獲利潤(rùn),但毫無(wú)疑問(wèn)對(duì)廣大消費(fèi)者來(lái)說(shuō)卻是好消息,因?yàn)閹缀跛蓄?lèi)型的芯片都受影響,包括PC微處理器、數(shù)碼相機(jī)的DRAM存儲(chǔ)芯片以及手機(jī)核心部件DSP等。&nbs
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          南京:如何將半導(dǎo)體照明市場(chǎng)做到50億

          •     全國(guó)照明產(chǎn)業(yè)每年有2000億元市場(chǎng)規(guī)模,如何搶抓照明產(chǎn)業(yè)升級(jí)換代商機(jī),做大做強(qiáng)南京半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè),成為市政協(xié)委員關(guān)注的話(huà)題。近日,圍繞一份《關(guān)于鼓勵(lì)發(fā)展節(jié)能光源的建議》集體提案,市政協(xié)召開(kāi)提案督辦會(huì),并約請(qǐng)市經(jīng)委、科技、市政公用、市容等部門(mén)和部分企業(yè)負(fù)責(zé)人,共同為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展把脈支招。     目標(biāo):2010年全市半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破50億元      “能源消
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  南京  半導(dǎo)體  照明  

          韓確定“下下一代”半導(dǎo)體四大重點(diǎn)領(lǐng)域

          •     韓國(guó)下下一代半導(dǎo)體策略技術(shù)的四大重點(diǎn)研發(fā)領(lǐng)域已確定為:系統(tǒng)設(shè)計(jì)、納米集成工程、下一代存儲(chǔ)器、系統(tǒng)統(tǒng)合。此次的推進(jìn)策略與以往不同,要采取“共同研發(fā)”和設(shè)備材料需求企業(yè)之間的協(xié)作體系。    據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,韓國(guó)產(chǎn)業(yè)資源部要以當(dāng)前正改編中的策略技術(shù)開(kāi)發(fā)體系為基礎(chǔ),以此確定從明年開(kāi)始的下下一代半導(dǎo)體研發(fā),并對(duì)此加強(qiáng)政策支持。    韓國(guó)產(chǎn)資部未來(lái)生活產(chǎn)業(yè)本部長(zhǎng)透露,通過(guò)四大領(lǐng)域的重點(diǎn)研發(fā),大幅度增加根源、前沿的研發(fā)投資,從而確保系統(tǒng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)以及工程技術(shù)
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          中星微的海歸創(chuàng)奇跡:“中國(guó)芯”和中國(guó)心

          •     中國(guó)心和“中國(guó)芯”      1999年10月,鄧中翰站在天安門(mén)觀禮臺(tái)上,看著眼前威武雄壯的50周年國(guó)情閱兵典禮,回想起祖國(guó)近年來(lái)翻天覆地的變換,深深地感受到作為一個(gè)中國(guó)人的驕傲和自豪?!白鎳?guó)的強(qiáng)盛才能使每一位中國(guó)人在世界上挺起腰桿?!编囍泻步蛔∫蚤啽?chē)隊(duì)為背景照了許多照片,以便讓自己和這個(gè)歷史性的時(shí)刻更加緊密地聯(lián)系在一起。      看著看著,這位美國(guó)伯克
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          半導(dǎo)體 介紹

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