氮化鎵 文章 進入 氮化鎵技術社區(qū)
Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
- 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN?平臺的系統(tǒng)級封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和T
- 關鍵字： Transphorm 偉詮 SiP氮化鎵 氮化鎵
國際首次 中國成功研制出氮化鎵量子光源芯片
- 《科技日報》19日報導，電子科技大學信息與量子實驗室透露，該實驗室研究團隊近日與北京清華大學、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學「銀杏一號」城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺，取得的又一項重要進展，相關成果發(fā)表在《物理評論快報》上。據(jù)了解，量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件，可以看作點亮「量子房間」的「量子燈泡」，讓互聯(lián)網(wǎng)使用者擁有進行量子信息交互的能力。研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側(cè)壁與表面散射損耗等技
- 關鍵字： 氮化鎵 量子光源
我國研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片
- 據(jù)天府絳溪實驗室官微消息，近日，電子科技大學信息與量子實驗室、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心與清華大學、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺取得的又一項重要進展，也是天府絳溪實驗室在關鍵核心技術領域取得的又一創(chuàng)新成果。據(jù)悉，研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側(cè)壁與表面散射損耗等技術難題，在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
- 關鍵字： 氮化鎵 量子光芯片
測試共源共柵氮化鎵 FET
- Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn) Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關斷時的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
- 關鍵字： 氮化鎵 FET
SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！
- 3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業(yè)，設備端則如晶盛機電、中微公司
- 關鍵字： 碳化硅 氮化鎵 第三代半導體
德州儀器計劃大規(guī)模將GaN芯片生產(chǎn)由6英寸轉(zhuǎn)換成8英寸
- 根據(jù)韓國媒體THE ELEC的報導，模擬芯片大廠德州儀器(TI)的一位高層表示，該公司正在將其多個晶圓廠生產(chǎn)的6英寸氮化鎵(GaN)芯片，轉(zhuǎn)移到8英寸晶圓廠來生產(chǎn)。報導指出，德州儀器韓國公司經(jīng)理Jerome Shin在首爾舉行的新聞發(fā)布會上表示，德州儀器正在達拉斯和日本會津準備興建8英寸晶圓廠，這將使其能夠提供更具價格競爭力的GaN芯片JeromeShin指出，人們普遍認為GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂貴，但這種看法自2022年以來發(fā)生了轉(zhuǎn)變。因為德州儀器正在將其生產(chǎn)由6英寸晶圓廠轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓廠
- 關鍵字： 德州儀器 氮化鎵 模擬芯片
GaN企業(yè)，出售！
- 近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產(chǎn)。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態(tài)。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術開發(fā)高壓功率開關元件和系統(tǒng)，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進半導體開發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應晶體管。償還貸款和交易費用后，公司預
- 關鍵字： 氮化鎵 第三代半導體
四種將被氮化鎵革新電子設計的中壓應用
- 引言隨著技術的迅速發(fā)展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲以及人工智能(AI)，服務器的需求也在呈指數(shù)級增長。鑒于這些趨勢，設計人員面臨著一項重大挑戰(zhàn)：如何在持續(xù)提升設計效率的同時，在相同的尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的功率。這一挑戰(zhàn)已經(jīng)推動了氮化鎵(GaN)在高壓電源設計中的廣泛應用，原因在于GaN具有兩大優(yōu)勢：●? ?提高功率密度。GaN的開關頻率較高，使設計人員能夠使用體積更小的無源器件（
- 關鍵字： 氮化鎵 中壓應用
全球GaN最新應用進展！
- 自2018年10月25日，Anker發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關產(chǎn)品。當前，GaN消費電子產(chǎn)品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領域應用現(xiàn)狀，相關企業(yè)開始尋求新的增量市場，GaN技術應用由此逐步向新能源汽車、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應用場景延伸。GaN的特殊價值，正在消費電子之外的多個領域持續(xù)釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下，汽車搭載的電子電力系統(tǒng)越來越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的
- 關鍵字： 氮化鎵 第三代半導體 消費電子
英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
- 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設計，進一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標準和穩(wěn)固的供應鏈為我們提供了
- 關鍵字： 英飛凌 Worksport 氮化鎵 GaN 便攜式發(fā)電站
意法半導體推出靈活多變的同步整流控制器，提高硅基或氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器能效
- 2024 年 3 月 7 日，中國——意法半導體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設計難度，提高轉(zhuǎn)換能效，目標應用包括工業(yè)電源、便攜式設備充電器和 AC/DC適配器。SRK1004的檢測輸入能夠承受高達190V 的電壓，可以連接高低邊功率開關管。共有四款產(chǎn)品供用戶選擇，僅器件選型就可以讓用戶優(yōu)化應用設計，通過選擇5.5V或 9V的柵極驅(qū)動電壓，可以在設計選用理想的邏輯電平 MOSFET
- 關鍵字： 意法半導體 同步整流控制器 氮化鎵 功率轉(zhuǎn)換器
SR-ZVS與GaN：讓電源開關損耗為零的魔法
- 當今，快充市場正迎來前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。風暴仍在繼續(xù)，快充市場的迅猛發(fā)展，用戶對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動設備的普及，用戶對于充電器體積的要求也越來越高；同時為了在激烈的市場競爭中脫穎而出，低成本是每個快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術的要求愈發(fā)嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿足用戶個性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開關IC，在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級開關、初級側(cè)控制器、FluxLink?
- 關鍵字： PI SR-ZVS GaN 氮化鎵
基于第三代半導體射頻微系統(tǒng)芯片研究項目啟動
- 據(jù)云塔科技官微消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。據(jù)悉，該項目是由中國科學技術大學牽頭，香港科技大學作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯(lián)合攻關。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)
- 關鍵字： 第三代半導體 射頻微系統(tǒng)芯片 氮化鎵 氮化鈧
“白菜化”的有源相控陣雷達
- 就在幾個月之前，一則消息被各大媒體平臺報道：2023年7月3日，為維護國家安全和利益，中國相關部門發(fā)布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關鍵金屬實行出口管制。至此有不少不關注該領域的讀者突然意識到，不知道從什么時候開始，我國的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國。根據(jù)一份中國地質(zhì)科學院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報告顯示，目前鎵的世界總儲量約 23 萬噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%，而我國的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
- 關鍵字： 雷達 RF 氮化鎵 相控陣
瑞薩電子3.39億美元收購Transphorm
- 1月12日消息，日前，半導體解決方案供應商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm達成最終協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN的內(nèi)部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務范圍。據(jù)悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發(fā)新的增強型
- 關鍵字： 瑞薩 氮化鎵 收購 Transphorm
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