米勒電容 文章 進(jìn)入 米勒電容技術(shù)社區(qū)
米勒電容、米勒效應(yīng)和器件與系統(tǒng)設(shè)計對策
- 搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍(lán)色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開通過程中，GE的電壓從-10V開始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導(dǎo)通，開始流過電流，同時CE電壓下降。CE電壓下降過程中，門極電壓不再上升，而是維持在一定的電壓平臺上，稱為米勒平臺。在這期間，CE電壓完全降至0V。隨后GE電壓繼續(xù)上
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【E問E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)
- 當(dāng)IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個潛在的風(fēng)險(如圖1)。 圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導(dǎo)通 寄生米勒電容引起的導(dǎo)通 在半橋拓?fù)渲?，?dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
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米勒電容介紹
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