v-nand 文章進(jìn)入 v-nand 技術(shù)社區(qū)

十年磨一劍：三星引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利技術(shù)

近日，三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專(zhuān)利許可協(xié)議。不過(guò)，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專(zhuān)利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
關(guān)鍵字：三星長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND 混合鍵合晶棧 Xtacking 閃存

NAND Flash市況有望6月復(fù)蘇

NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預(yù)期，NAND Flash市況將于6月好轉(zhuǎn)，下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應(yīng)吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應(yīng)商已開(kāi)始堅(jiān)守價(jià)格，避免市場(chǎng)陷入低迷行情。他強(qiáng)調(diào)，供應(yīng)商根據(jù)市場(chǎng)狀況自然調(diào)節(jié)供給，是NAND Flash供需好轉(zhuǎn)的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計(jì)將增加上看20%。美國(guó)商務(wù)部對(duì)出口至中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器制造設(shè)備實(shí)施管制，也將延緩中國(guó)大陸廠商在DRAM領(lǐng)域的擴(kuò)張步伐。盡管中國(guó)大陸部分
關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) NAND Flash

稱(chēng)三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作，新一代NAND將采用中國(guó)企業(yè)專(zhuān)利

據(jù)韓媒報(bào)道，三星已確認(rèn)從V10（第10代）開(kāi)始，將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)的專(zhuān)利技術(shù)，特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專(zhuān)利的許可協(xié)議，達(dá)成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計(jì)劃最早在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將具有約420至430層。將采用多項(xiàng)新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè)，并將這項(xiàng)技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)
關(guān)鍵字：三星長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND

鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前，鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù)，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹(shù)立了行業(yè)標(biāo)桿。據(jù)悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲(chǔ)陣列，然后鍵合在一起，類(lèi)似長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking晶棧架構(gòu)。3D堆疊層數(shù)達(dá)到空前的332層，對(duì)比第8代的218層增加了多達(dá)38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實(shí)現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達(dá)到4.8G
關(guān)鍵字：鎧俠 3D閃存 NAND

NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

據(jù)報(bào)道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過(guò)于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計(jì)劃。當(dāng)前，存儲(chǔ)器市場(chǎng)，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑，這一趨勢(shì)使得供應(yīng)商對(duì)2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀態(tài)度。長(zhǎng)期的價(jià)格疲軟無(wú)疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤(rùn)空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實(shí)施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時(shí)，N
關(guān)鍵字： NAND 閃存三星 SK海力士

國(guó)際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來(lái)自L(fǎng)am Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國(guó)能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
關(guān)鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻

NAND價(jià)格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價(jià)格已連續(xù)四個(gè)月下跌，為應(yīng)對(duì)這一不利局面，廠商開(kāi)始減產(chǎn)以平衡供求，進(jìn)而穩(wěn)定價(jià)格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國(guó)本土的NAND產(chǎn)量以及中國(guó)西安工廠的開(kāi)工率，韓國(guó)另一大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士也計(jì)劃削減產(chǎn)量。
關(guān)鍵字： NAND 三星閃存美光 SK海力士

NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價(jià)格

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究報(bào)告指出，NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過(guò)剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動(dòng)相關(guān)計(jì)劃，可能長(zhǎng)期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，NAND Flash廠商主要通過(guò)降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級(jí)等方式達(dá)成減產(chǎn)目的，背后受以下因素驅(qū)動(dòng)：第一，需求疲軟
關(guān)鍵字： NAND Flash 減產(chǎn) TrendForce 集邦咨詢(xún)

應(yīng)對(duì)降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子已決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對(duì)全球NAND供應(yīng)過(guò)剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤(rùn)。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲(chǔ)卡和U盤(pán)的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過(guò)10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外，三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線(xiàn)也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類(lèi)似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時(shí)
關(guān)鍵字：三星 NAND 閃存存儲(chǔ)卡 U盤(pán) 晶圓 SK海力士鎧俠西部數(shù)據(jù) 美光長(zhǎng)江存儲(chǔ)

SK 海力士新設(shè) AI 芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén)，任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日?qǐng)?bào)道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來(lái)技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門(mén)。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開(kāi)發(fā)部門(mén)整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開(kāi)發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
關(guān)鍵字： SK海力士內(nèi)存 NAND

3Q24 NAND Flash營(yíng)收季增4.8%，企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁，消費(fèi)性訂單未復(fù)蘇

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）上漲7%，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收達(dá)176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，不同應(yīng)用領(lǐng)域的NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁，推升價(jià)格季增近15%，消費(fèi)級(jí)SSD價(jià)格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機(jī)用產(chǎn)品因中國(guó)手機(jī)品牌嚴(yán)守低庫(kù)存策略，訂單大量減少，第三季合約價(jià)幾乎與上季持平。Wafer受零售市場(chǎng)需求疲軟影響，合約價(jià)反
關(guān)鍵字： NAND Flash 企業(yè)級(jí)SSD TrendForce 集邦咨詢(xún)

三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱(chēng)，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
關(guān)鍵字：三星光刻膠 3D NAND

三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線(xiàn)

據(jù)韓媒報(bào)道，三星近期將開(kāi)始銷(xiāo)售前端和后端生產(chǎn)線(xiàn)的舊設(shè)備，其中包括位于中國(guó)西安的NAND工廠。報(bào)道稱(chēng)，三星近期正在半導(dǎo)體部門(mén)（DS）實(shí)施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線(xiàn)調(diào)整，并正在考慮出售其中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)的舊設(shè)備。預(yù)計(jì)出售程序?qū)⒂诿髂暾介_(kāi)始，銷(xiāo)售的設(shè)備大部分是100級(jí)3D NAND設(shè)備。自去年以來(lái)，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。
關(guān)鍵字：三星西安 NAND

消息稱(chēng)三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

10 月 29 日消息，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線(xiàn)圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過(guò) 400，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級(jí)）DRAM。報(bào)道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因?yàn)檫@代產(chǎn)品將調(diào)
關(guān)鍵字：三星存儲(chǔ) V-NAND

TrendForce：預(yù)計(jì) Q4 NAND Flash 合約價(jià)將下調(diào) 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價(jià)于第三季率先下跌，預(yù)期第四季跌幅將擴(kuò)大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動(dòng)能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買(mǎi)家的終端產(chǎn)品銷(xiāo)售不如預(yù)期，采購(gòu)策略更加保守。TrendForce 預(yù)估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價(jià)將出現(xiàn)季減 3% 至
關(guān)鍵字： NAND 閃存存儲(chǔ) 市場(chǎng)分析