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          用于功率開關的電阻-電容(RC)緩沖電路設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　功率開關是所有功率轉換器的核心組件。功率開關的工作性能直接決定了產品的可靠性和效率。若要提升功率轉換器開關電路的性能，可在功率開關上部署緩沖器，抑制電壓尖峰，并減幅開關斷開時電路電感產生的振鈴。正確設計緩沖器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中，電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧，助您實現最優(yōu)緩沖器設計。
　　

 
　　圖1： 四種基本的功率開關電路
　　有多種不同的拓撲用于功率轉換器、
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          • 關鍵字：
                        功率開關  MOSFET                          
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          學習總結之電路是計算出來的
          
                                                            
            
                    	
          • 　　簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去!
　　1、CS單管放大電路
　　共源級單管放大電路主要用于實現輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區(qū)可以完全表現線性特性，并且實現信號的最大限度放大【理想條件下】
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          • 關鍵字：
                        CMOS  MOSFET                          
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          如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關系。
　　關鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽R3
　　一、引言
　　MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  EMI                          
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          Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　關注高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界領導者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術，可設計出無需光耦的高效率、高精度和
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          • 關鍵字：
                        Power Integrations  MOSFET                          
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          意法半導體（ST）的先進60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的槽柵結構低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產品線，可協助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉換器達到嚴格的能效標準要求，最大限度提升電源功率密度。

　　STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能，還簡化了通道間的槽柵結構(trench-gate structure)，實現極低的導通電阻、電容和柵電荷量，并取得
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          全新英飛凌功率MOSFET系列使電動工具更緊湊耐用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　DIY工具，比如無線電鉆和電鋸必須方便使用且經久耐用。因此，其所用的電子元件必須緊湊、堅固。英飛凌科技股份公司擴展StrongIRFET™ Power MOSFET產品系列，推出同時滿足緊湊和耐用要求的解決方案。新推出的邏輯電平 StrongIRFET™ 器件可以直接由單片機驅動，節(jié)省空間和降低成本。此外，StrongIRFET™十分堅固耐用，幫助延長電子產品的使用壽命。

　　經過實驗證明StrongIRFET系列器件能夠最大限度提高電動工具的能效。這次邏輯電
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET                          
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          e絡盟為醫(yī)療、消費電子及可替代能源等應用領域新增五款業(yè)內首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產品
          
                                                            
            
                    	
          • 　　e絡盟日前宣布新增多款來自全球半導體和分立器件領先供應商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無源元件和半導體產品，其中包括電容、電阻及MOSFET，適用于醫(yī)療、消費電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計算及汽車電子等各種應用領域。
　　e絡盟大中華區(qū)區(qū)域銷售總監(jiān)朱偉弟表示：“e絡盟擁有來自全球領先供應商的豐富產品系列，可充分滿足廣大用戶對最新技術的需求，幫助他們進行產品開發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產品均為全球最佳產品。用戶可通過e絡盟升級版網站，更加快捷地查看
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          • 關鍵字：
                        e絡盟  MOSFET                          
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          Fairchild推出業(yè)內首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行業(yè)領先的中壓MOSFET產品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產品，在尺寸縮減了一半的同時，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過在封裝上下表面同時流動的氣流提高了散熱性能。

　　Castle Creations, Inc首席執(zhí)行官Patrick Castillo說：“在我們?yōu)槊恳晃?/li>
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Fairchild  MOSFET                          
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          專利設計發(fā)功　ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。
　　羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產。
　　羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC-MOSFET                          
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          高頻開關電源原理
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　導讀：本文主要介紹的是高頻開關電源的原理，感興趣的盆友們快來學習一下吧~~~很漲姿勢的哦~~~
1.高頻開關電源原理--簡介
　　高頻開關電源，其英文名稱為Switching Mode Power Supply，又稱交換式電源、開關變換器以及開關型整流器SMR，它是一種高頻化電能轉換裝置。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。它主要是通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關頻率一般控制在50-100kHz范圍內，實現高效率和小型化。

2.高頻開關電源原
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          • 關鍵字：
                        開關電源  MOSFET  高頻開關電源原理                          
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          一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據調查公司Yole developmet統計，SiC Mosfet現有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵!
　　SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢：
　　i. 低導通電阻RDS
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          • 關鍵字：
                        SiC Mosfet  DC-DC                          
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          世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。
　　另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品，目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為
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                        ROHM  SiC-MOSFET                          
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          Diodes優(yōu)化互補式MOSFET提升降壓轉換器功率密度
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉換器的功率密度。新產品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設計針對負載點轉換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標應用包括以太網絡控制器、路由器、網絡接口控制器、交換機、數字用戶線路適配器、以及服務器和機頂盒等設備的處理器。

　　降壓轉換器可利用獨立的脈沖寬度調制控制器及外部MOSFET來提升設計靈活性，
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                        Diodes  MOSFET                          
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          宜普電源轉換公司擴大具有寬間距、以小尺寸實現大電流承載能力的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　宜普電源轉換公司宣布推出3個采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)。這些產品采用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實現大電流承載能力。
　　與具有相同的電阻的先進硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D
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                        宜普電源  MOSFET                          
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          鋰離子電池組監(jiān)控系統研究與實現 — 鋰電池組管理系統測試及結論
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　本系統的電路板已經設計成功并投入實際測試，系統電路板如圖7.1所示。
　　

 
　　對鋰電池組管理系統的測試主要包括電壓采集、溫度采集、電流檢測、過充和過放電保護功能、短路保護功能、溫度保護功能等內容。
　　7.1電壓采集功能測試
　　測試電壓采集功能時，首先按圖7.2所示方法連接系統。
　　

 
　　將鋰電池組、保護器和上位機連接好后，用4位半高精度萬用表對所有單體鋰電池的電壓(用電池組模擬器產生)進行測量，并觀察上位機應用程序顯示的數據，進行比較和記錄。
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                        鋰離子電池  MOSFET                          
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