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ASM太平洋料半導(dǎo)體行業(yè)已見底
- ASM太平洋行政總裁李偉光表示，公司訂單表現(xiàn)反映半導(dǎo)體行業(yè)周期，已于去年第四季已經(jīng)見底，客戶亦恢復(fù)信心，相信未來會(huì)維持平穩(wěn)增長，但與去年強(qiáng)勁增速情況不同。他預(yù)期，隨著新訂單于首季反彈，整體營業(yè)額及訂單于第二季有改善，未來毛利率亦會(huì)大幅提升。 他又指，大股東ASM國際減持公司股份，并不代表對公司失去信心，只是因?yàn)锳SM國際股值嚴(yán)重被低估，與公司的市值有10億美元差距，因此大股東計(jì)劃透過分拆旗下業(yè)務(wù)上市，以及減持ASM太平洋股份套現(xiàn)，以收窄兩公司市值的差距。他相信，ASM國際短期內(nèi)不會(huì)再減持，持股比
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ASM啟用功新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
- ASM International內(nèi)華達(dá)州，今天推出了其PowerFillTM的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個(gè)精湛的工藝技術(shù)，因?yàn)樗峭惲鞒趟俣鹊?倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設(shè)備設(shè)計(jì)在設(shè)計(jì)程度上新的級別。 Fairchild半導(dǎo)體公司是第一家客戶，以處理其先進(jìn)電源管理器件，已完成其在韓國工廠的核實(shí)。對于這種應(yīng)用，ASM的PowerFill的處理可以實(shí)現(xiàn)電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產(chǎn)成本。 &
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ASM 啟用功新的 PowerFill 外延技術(shù)的電源設(shè)備
- ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個(gè)精湛的工藝技術(shù)，因?yàn)樗峭惲鞒趟俣鹊?倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設(shè)備設(shè)計(jì)在設(shè)計(jì)程度上新的級別。 Fairchild半導(dǎo)體公司是第一家客戶，以處理其先進(jìn)電源管理器件，已完成其在韓國工廠的核實(shí)。對于這種應(yīng)用，ASM的PowerFill的處理可以實(shí)現(xiàn)電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產(chǎn)成本。 “對于離散式功率的要求M
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ASMI將加速推進(jìn)成本削減計(jì)劃
- 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASM International NV周一稱，將加快實(shí)施重組計(jì)劃，爭取實(shí)現(xiàn)2010年上半年前削減至少40%的成本。 ASMI并稱，這個(gè)新的前端業(yè)務(wù)節(jié)流目標(biāo)比原先預(yù)期的更大，且時(shí)間加快了六個(gè)月。 該公司稱，計(jì)劃在2010年結(jié)束前將其全部的全球前端制造業(yè)務(wù)整合到新加坡，會(huì)因此裁減“很多”員工。ASMI預(yù)計(jì)將裁員約400人，其中包括之前已經(jīng)宣布的200人。 該公司預(yù)計(jì)需提列6000萬-7000萬歐元(8500-9900萬美元)的重組費(fèi)用，大部分
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英特爾投資斥資2730萬美元買入ASM 4%股份
- 英特爾旗下風(fēng)險(xiǎn)投資部門英特爾投資(Intel Capital)已經(jīng)買入荷蘭芯片設(shè)備制造商ASM International NV 4%的股份。 英特爾投資表示，該公司是在公開市場上買入上述股份的。ASM周一收于12.42美元，根據(jù)該價(jià)格進(jìn)行計(jì)算，英特爾投資買入的220萬股ASM股票價(jià)值約為2730萬美元。 英特爾投資總裁蘇愛文(Arvind Sodhani)表示：“設(shè)備和材料創(chuàng)新對半導(dǎo)體設(shè)備新功能而言至關(guān)重要。我們對ASM的投資是英特爾資本促進(jìn)創(chuàng)新策略的一部分，與英特爾制造技術(shù)
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臺(tái)灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具
- ASM International N.V. 宣布一家臺(tái)灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。 除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對進(jìn)階節(jié)點(diǎn)開發(fā)計(jì)劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。 納米節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)成功的high-K制程
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