(emi) 文章 進(jìn)入(emi)技術(shù)社區(qū)
注意 SEPIC 耦合電感回路電流 —— 第 1 部分
- 在不要求主級電路和次級電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時,SEPIC 是一種非常有用的拓?fù)?。在要求短路電路保護(hù)時,我們可以使用它來代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點(diǎn)是單開關(guān)工作和連續(xù)輸入電流,從而帶來較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓?fù)?如圖 1 所示)可使用兩個單獨(dú)的電感(或者由于電感的電壓波形類似),因此還可以使用一個耦合電感,如圖所示。因其體積和成本均小于兩個單獨(dú)的電感,耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點(diǎn)是標(biāo)準(zhǔn)電感并非總是針對全部可能的應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。
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電容感測:你應(yīng)該選擇哪個架構(gòu)?
- 電容感測在很多應(yīng)用中大展拳腳,從接近度檢測和手勢識別,到液面感測。無論是哪種應(yīng)用,電容感測的決定性因素都是根據(jù)一個特定的基準(zhǔn)來感測傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特定應(yīng)用和系統(tǒng)要求的不同,你也許需要不同的方法來測量這個變化。在這篇博文章,我將介紹2個特定的架構(gòu)類型—開關(guān)電容器電路和電感器-電容器LC諧振槽路—這是當(dāng)前一種用于電容感測的電路?! ¢_關(guān)電容器電路 圖1顯示的是針對電容感測的經(jīng)簡化電路,它以電荷轉(zhuǎn)移為基礎(chǔ);電路中的開關(guān)執(zhí)行采樣保持運(yùn)行。在采樣之間,傳感器電感器上的電荷的變化會導(dǎo)致輸出電壓的變化
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PowerLab 筆記:如何避免傳導(dǎo) EMI 問題
- 這里,我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況?! ?.只需幾fF的雜散電容就會導(dǎo)致EMI掃描失敗。從本質(zhì)上講,開關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。寄生電容與高 dV/dt 的混合會產(chǎn)生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時,會有少量電流直接泵送至電源線?! ?.查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過,兩個導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體表面積成正比,與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個節(jié)點(diǎn),并特別注意具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。想想電路布局中該節(jié)點(diǎn)的表面積是多少,
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手把手硬件電路詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
- 獻(xiàn)給那些剛開始或即將開始設(shè)計(jì)硬件電路的人。時光飛逝,離俺最初畫第一塊電路已有3年。剛剛開始接觸電路板的時候,與你一樣,俺充滿了疑惑同時又帶著些興奮。在網(wǎng)上許多關(guān)于硬件電路的經(jīng)驗(yàn)、知識讓人目不暇接。像信號完整性,EMI,PS設(shè)計(jì)準(zhǔn)會把你搞暈。別急,一切要慢慢來。 1)總體思路。設(shè)計(jì)硬件電路,大的框架和架構(gòu)要搞清楚,但要做到這一點(diǎn)還真不容易。有些大框架也許自己的老板、老師已經(jīng)想好,自己只是把思路具體實(shí)現(xiàn);但也有些要自己設(shè)計(jì)框架的,那就要搞清楚要實(shí)現(xiàn)什么功能,然后找找有否能實(shí)現(xiàn)同樣或相似功能的參考電路
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。 關(guān)鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題,導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗
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GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時,我有機(jī)會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講,談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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8種經(jīng)典汽車行駛行駛記錄儀方案設(shè)計(jì),軟硬件協(xié)同
- 汽車行駛記錄儀,俗稱汽車黑匣子,是對車輛行駛速度、時間、里程以及有關(guān)車輛行駛的其他狀態(tài)信息進(jìn)行記錄、存儲并可通過接口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)輸出的數(shù)字式電子記錄裝置。開車時邊走邊錄像,同時把時間、速度、所在位置都記錄在錄像里,相當(dāng)“黑匣子”。 基于MCU的無線行駛記錄儀硬軟件設(shè)計(jì) 本文在實(shí)現(xiàn)無線行駛記錄儀無線通信方案時,選用基于Wi‐Fi通信模塊組成WLAN網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)記錄儀的無線通信。無線行駛記錄記錄儀可用于所有類型車輛,特別適用于企事業(yè)單位,如:擁有大型車隊(duì)的物流公司、場站、機(jī)場、
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如何解決多層PCB設(shè)計(jì)時的EMI
- 解決EMI問題的辦法很多,現(xiàn)代的EMI抑制方法包括:利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設(shè)計(jì)等。本文從最基本的PCB布板出發(fā),討論P(yáng)CB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計(jì)技巧。 電源匯流排 在 IC的電源引腳附近合理地安置適當(dāng)容量的電容,可使IC輸出電壓的跳變來得更快。然而,問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應(yīng)的特性,這使得電容無法 在全頻帶上生成干凈地驅(qū)動IC輸出所需要的諧波功率。除此之外,電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會形成電壓降,這些瞬態(tài)
- 關(guān)鍵字: PCB EMI
也來談?wù)凟MI和EMC電路中磁珠和電感的不同作用
- 磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用,首先我們來看看磁珠和電感的區(qū)別,電感是閉合回路的一種屬性,多用于電源濾波回路,而磁珠主要多 用于信號回路,用于EMC對策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾,而電感用于這方面則側(cè)重于抑制傳導(dǎo)性干擾。磁珠是用來吸收超高頻信號,象一些RF電 路,PLL,振蕩電路,含超高頻存儲器電路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠,兩者都可用于處理EMC、EMI問題。 磁 珠和電感在EMI和EMC電路中關(guān)鍵是是對高頻傳導(dǎo)干擾信號進(jìn)行抑制,也有抑制
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電子醫(yī)療設(shè)備EMI問題減少的設(shè)計(jì)方法
- 設(shè)備設(shè)計(jì)者一直要求獲得具有更小封裝的SMPS。更小的EMI濾波器不僅能夠在電磁發(fā)射到達(dá)主線前有效的降低其量級,還能夠減少主線濾波器的體積。模塊 化的SMPS使設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)醫(yī)療設(shè)備時具有更大的靈活性。在重新設(shè)計(jì)或升級過程中,可以使用更高功率級別模塊化SMPS替換原SMPS,而無需對支持 SMPS和設(shè)備的電氣機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。 使用基底噪聲濾波器降低傳導(dǎo)發(fā)射量級 基底噪聲濾波器與傳導(dǎo)線濾波器的聯(lián)合之下,基底噪聲通過傳導(dǎo)線濾波器被導(dǎo)入地下,在基底噪聲進(jìn)入建筑設(shè)施接地系統(tǒng)前,它將被有效減少。這
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汽車電子極近場EMI掃描技術(shù)方案
- 導(dǎo)讀: 汽車廠商往往采用最新的消費(fèi)電子系統(tǒng)來體現(xiàn)與其他廠商汽車的差異化,該系統(tǒng)必須在各種苛刻的條件下都能正常工作。動力系統(tǒng)、安全系統(tǒng)和其它汽車控制系統(tǒng)也都有同樣的要求,一旦出現(xiàn)故障,這些系統(tǒng)會導(dǎo)致更加嚴(yán)重的后果。 汽車廠商往往采用最新的消費(fèi)電子系統(tǒng)來體現(xiàn)與其他廠商汽車的差異化,該系統(tǒng)必須在各種苛刻的條件下都能正常工作。動力系統(tǒng)、安全系統(tǒng)和其它汽車控制系統(tǒng)也都有同樣的要求,一旦出現(xiàn)故障,這些系統(tǒng)會導(dǎo)致更加嚴(yán)重的后果。 汽車電子系統(tǒng)對于供應(yīng)商提供的芯片和印制電路板的電磁輻射特別敏感。因此,SA
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EMI濾波器設(shè)計(jì)中的干擾特性和阻抗特性
- 隨著電子技術(shù)的發(fā)展,電磁兼容性問題成為電路設(shè)計(jì)工程師極為關(guān)注和棘手的問題。 根據(jù)多年的工程經(jīng)驗(yàn),大家普遍認(rèn)為電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)中最重要的也是最難解決的兩個項(xiàng)目就是傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿足傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求,通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎么選擇一個現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計(jì)一個能滿足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目,只有憑借經(jīng)驗(yàn)作嘗試。首先根據(jù)經(jīng)驗(yàn)使用一個濾波器,如果不能滿足要求再重新修改設(shè)計(jì)或者換另一個新的濾波器。因此,要找到一個合適的EMI濾波器就成為一個費(fèi)時且高成本
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EMI 輻射信號強(qiáng)度解析
- 需要距離輻射源多遠(yuǎn)才能使輻射信號不干擾系統(tǒng)呢?要想知道這個問題的答案,需要思考下面兩個問題:1)輻射源的輻射能量大小;2)系統(tǒng)的 EMI 保護(hù)電路性能如何。本文中,我們將首先討論第一個問題。 呈輻射狀的電磁干擾 (EMI) 信號會從輻射源傳播至某個接收單元。根本而言,這些信號的功率或者電壓強(qiáng)度在“觸及”敏感的電路時,取決于發(fā)送器的功率/天線增益以及輻射源和接收器之間的距離(請參見圖 1)。 圖 1 輻射源和接收器之間的 EMI 電場和功率
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(emi)介紹
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