μcos－iii 文章進(jìn)入μcos－iii技術(shù)社區(qū)

μC／OS―III為縮短中斷關(guān)閉時(shí)間作出的改進(jìn)

μC／OS―III為縮短中斷關(guān)閉時(shí)間作出的改進(jìn),摘要：本文介紹了實(shí)時(shí)內(nèi)核的中斷機(jī)制，研究了mu;C／OS—III為縮短中斷關(guān)閉時(shí)間做出的改進(jìn)。通過對比mu;C／OS—II以及mu;C／OS—III的中斷管理辦法，分析mu;C／OS—III在哪些方面作出了改進(jìn)。
關(guān)鍵字： μC／OS―III 實(shí)時(shí)內(nèi)核臨界區(qū) 中斷管理

嵌入式操作系統(tǒng)μCOS-Ⅱ剖析與移植

現(xiàn)在，大家不僅擁有放在桌上處理文檔、進(jìn)行工作管理的通用計(jì)算機(jī)，而且也可能擁有從大到小的各種使用嵌入式技術(shù)的電子產(chǎn)品。隨著電子產(chǎn)品的智
關(guān)鍵字：嵌入式操作系統(tǒng) μCOS-Ⅱ

基于μC／OS―III和ARM的空心杯電機(jī)控制器設(shè)計(jì)

基于μC／OS―III和ARM的空心杯電機(jī)控制器設(shè)計(jì),引言空心杯電機(jī)在結(jié)構(gòu)上采用了無鐵芯轉(zhuǎn)子，克服了有鐵芯電動機(jī)不可逾越的技術(shù)障礙，使其具備了更加突出的節(jié)能特性、靈敏方便的控制特性和穩(wěn)定的運(yùn)行特性。隨著工業(yè)技術(shù)的飛速發(fā)展，電動機(jī)的伺服特性要求不斷提高，空
關(guān)鍵字： μC／OS―III Cortex―M4 TM4C132GH6PM 空心杯電機(jī) 前饋PID

嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng) μC/OS-II 在S12單片機(jī)上的移

1 引言在采用前后臺系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)模式的嵌入式系統(tǒng)中，主程序是一個(gè)無限循環(huán)，單任務(wù)順序執(zhí)行，通過設(shè)置一個(gè)或多個(gè)中斷來處理異步事件。這種系統(tǒng)
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64位MIPS架構(gòu)為OCTEON III處理器提供低功耗、高吞

Imagination Technologies 宣布，該公司的64位MIPS架構(gòu)已獲得面向下一代企業(yè)、數(shù)據(jù)中心與服務(wù)提供商基礎(chǔ)架構(gòu)等應(yīng)用的Cavium新款低功耗OCTEON® III SoC處理器
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Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

　　比利時(shí)奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
關(guān)鍵字： Imec III-V

如何將RTOS添加到您的Zynq SoC設(shè)計(jì)中

　　1 什么是實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)? 　　實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)是確定的，意思是指系統(tǒng)需要在明確的截止時(shí)間內(nèi)做出響應(yīng)。這種確定性很重要，其原因有多種，例如，如果最終應(yīng)用正在監(jiān)控工業(yè)流程，那么必須在特定時(shí)段內(nèi)對事件做出響應(yīng)，工業(yè)控制系統(tǒng)就屬于這類情況。　　可根據(jù)滿足截止時(shí)間的能力對RTOS進(jìn)一步分類為三種不同類型的RTOS，每種類型都以不同方式滿足截止時(shí)間。在hard RTOS中，錯(cuò)過截止時(shí)間被視為系統(tǒng)錯(cuò)誤。而對于firm RTOS就不是這樣，偶爾錯(cuò)過截止時(shí)間是可以接受的。在soft RTOS中，錯(cuò)過一次截止時(shí)間會減少
關(guān)鍵字： RTOS SDK 信號量 Zynq μC/OS-III

經(jīng)典再續(xù)：μC/OS-III

　　μC/OS-III相比于μC/OS-II做了很多的改進(jìn)，是一款全新的內(nèi)核，在效率方面有了很大提升，并且支持任務(wù)的時(shí)間片輪轉(zhuǎn)調(diào)度，摒棄了一些不必要的內(nèi)容，如消息郵箱，對于熟悉μC/OS-II的工程師來說，上手μC/OS-III還是比較容易的，先來了解一下μC/OS-III做了哪些具體的改進(jìn)。　　一、時(shí)鐘節(jié)拍的改進(jìn) 　　在RTOS中,任務(wù)可通過調(diào)用延時(shí)函數(shù)(如OSTimeDly( )函數(shù))將自己延時(shí)掛起一段時(shí)間，任務(wù)在延時(shí)的過程中會釋放CPU,延時(shí)的任務(wù)不占用寶貴的CP
關(guān)鍵字： RTOS μC/OS-III μC/OS-II

基于μC/OS-III及STM32的多功能控制器設(shè)計(jì)

　　電動軌道車控制系統(tǒng)一般分為多個(gè)子系統(tǒng)，子系統(tǒng)受一個(gè)主控器控制。這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)繁瑣，編程復(fù)雜。采用μC/OS-III操作系統(tǒng)、STM32F103RC微控制器、12864液晶屏、PVC按鍵、無線串口模塊、鋰電池等實(shí)現(xiàn)具有人機(jī)界面、無線串口功能的總線主控器。該控制器具有人機(jī)界面、軌道車主控器、遙控接收器、遙控面板等多種功能，并且能在不同項(xiàng)目中使用。(※ μC/OS-III從官網(wǎng)上下載，文件名為Micrium_uC-Eval-STM32F107_uCOS-III,版本為V1.29.01.00。)
關(guān)鍵字： μC/OS-III STM32 12864

一種基于Nios軟核的嵌入式Internet系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　摘要：介紹如何在Altera開發(fā)平臺上，使用Nios軟核CPU來構(gòu)建嵌入式Internet系統(tǒng);并結(jié)合以太網(wǎng)遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實(shí)例，介紹此類系統(tǒng)硬件，軟件的設(shè)計(jì)方法。　　關(guān)鍵詞：嵌入式Internet Nios μCOS 　　引言　　自上個(gè)世紀(jì)末開始的網(wǎng)絡(luò)化浪潮，在很多領(lǐng)域都引發(fā)了技術(shù)進(jìn)步和革新，嵌入式Internet便是嵌入式技術(shù)與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)結(jié)合的產(chǎn)物。簡單來說，嵌入式 Internet是指在一個(gè)嵌入式設(shè)備上配備網(wǎng)絡(luò)接口，通過網(wǎng)絡(luò)可以與遠(yuǎn)程設(shè)備進(jìn)行信息的交互。從管理的角度上來講，嵌入式
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超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
關(guān)鍵字： III-V族 MOSFET

Vitesse為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)提供一攬子解決方案

　　為電信網(wǎng)、企業(yè)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)網(wǎng)絡(luò)提供先進(jìn)芯片解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Vitesse Semiconductor公司(納斯達(dá)克股票代碼：VTSS)日前宣布：推出其最新一代的SparX-III?以太網(wǎng)交換芯片，包括VSC7420-04、VSC7421-04和VSC7422-04 等，它們專門為包括樓宇自動化、制造自動化、智能化交通、智能能源以及視頻監(jiān)控/安防等工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而優(yōu)化。通過Vitesse全新的SparX-III系列、一攬子以太網(wǎng)硬件和軟件參考系統(tǒng)以及原始設(shè)計(jì)制造商模型，用戶可將其產(chǎn)品上市時(shí)間
關(guān)鍵字： Vitesse IoT SparX-III