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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?三星電子

          三星宣布其300mm 32nm LP Gatefirst HKMG制程SOC芯片產(chǎn)線已通過驗證

          •   三星電子公司宣布其位于京畿道器興的300mm晶圓廠的S號產(chǎn)線已經(jīng)具備了采用32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程生產(chǎn)SOC芯片的能力,這條產(chǎn)線將可用于代工生產(chǎn)客戶設(shè)計的SOC芯片產(chǎn)品。三星這次啟用的32nm LP(低功耗)Gate first HKMG制程是由IBM領(lǐng)導下的IBM聯(lián)合開發(fā)技術(shù)聯(lián)盟(IBM Joint Development Alliance)開發(fā)出來的。   三星目前已經(jīng)采用這種32nm LP制程技術(shù)制造出了一種基于ARM 1176處理器核心的SOC芯片產(chǎn)品,這種
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  300mm  晶圓  

          南亞科、瑞晶40納米6月導入 全面反制三星大擴產(chǎn)計畫

          •   繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出,臺系DRAM廠亦不甘示弱,臺塑集團旗下南亞科和爾必達(Elpida)集團旗下瑞晶都決定提前于6月導入 42及45納米制程,較原訂計畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示,40納米世代技術(shù)對半導體業(yè)者是很大挑戰(zhàn),但對于美光(Micron)與南亞科而言,42納米是50納米制程延伸技術(shù),只要跨過50納米,快速銜接42納米制程并不難。   面對三星來勢洶洶,半導體事業(yè)資本支出高達80 億~90億美元,臺系DRAM廠因應之道就是加速制程微
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          三星海力士大規(guī)模增設(shè)產(chǎn)線 恐改變市場規(guī)則

          •   三星電子日前宣布對半導體領(lǐng)產(chǎn)業(yè)進行11兆韓元的大規(guī)模投資,意圖拉開與競爭者的距離。   據(jù)南韓MTNews報導,南韓的主要出口產(chǎn)品半導體和TFTLCD是大規(guī)模設(shè)備的事業(yè),隨著景氣起伏反復呈現(xiàn)好、壞情況,甚至遇到景氣較佳時期,各業(yè)者紛紛增加設(shè)備,反而導致供過于求,變質(zhì)成各業(yè)者間進行降低業(yè)界整體利益的惡性競爭,并進而改變產(chǎn)業(yè)市場的游戲規(guī)則。三星電子 (SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、LGDisplay等近期接連調(diào)整設(shè)備投資金額,引發(fā)其它業(yè)者是否將導致惡性競爭的疑慮,南韓專家
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          三星擴增邏輯組件產(chǎn)能 意在取代英特爾

          •   據(jù)報導,三星電子(Samsung Electronics)投資36億美元,擴增位在美國德州奧斯汀(Austin)的12吋晶圓廠。乍聽之下,似乎沒有什么特別之處,然而奧斯汀的新產(chǎn)能并不是投注在內(nèi)存,而是在邏輯組件,這就讓觀察家有些不解,畢竟三星是全球排名第一的內(nèi)存廠商,但邏輯組件排名第8,擴增邏輯組件產(chǎn)能的原因為何?市場猜測,三星意在此領(lǐng)域取代英特爾。   首先是三星與蘋果(Apple)的合作關(guān)系讓三星在邏輯組件的實力增加,除了提供iPod中的內(nèi)存外,三星也是iPhone主要應用處理器的供貨商。分析師
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          三星海力士大規(guī)模增設(shè)產(chǎn)線 恐改變市場規(guī)則

          •   三星電子日前宣布對半導體領(lǐng)產(chǎn)業(yè)進行11兆韓元的大規(guī)模投資,意圖拉開與競爭者的距離。   據(jù)南韓MT News報導,南韓的主要出口產(chǎn)品半導體和TFT LCD是大規(guī)模設(shè)備的事業(yè),隨著景氣起伏反復呈現(xiàn)好、壞情況,甚至遇到景氣較佳時期,各業(yè)者紛紛增加設(shè)備,反而導致供過于求,變質(zhì)成各業(yè)者間進行降低業(yè)界整體利益的惡性競爭,并進而改變產(chǎn)業(yè)市場的游戲規(guī)則。三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、LG Display等近期接連調(diào)整設(shè)備投資金額,引發(fā)其它業(yè)者是否將導致惡性競爭的疑慮,南
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          三星電子擬向其美國芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

          •   6月10日消息,據(jù)路透社報道,全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國三星電子周四表示,計劃投資36億美元,擴大其在美國的芯片生產(chǎn)能力。   三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國得克薩斯州的奧斯汀,此次產(chǎn)能擴增主要是針對生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。   奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機和數(shù)碼相機的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱,工廠擴產(chǎn)計劃還包括增聘500名員工。
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

          弱勢韓元 三星海力士2Q看俏

          •   據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報導,由于韓元弱勢,韓國2大半導體公司三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)可望從中受惠,第2季的營業(yè)利益(Operating Profit)可望較第1季成長。   投資機構(gòu)Citi Investment Research & Analysis分析師Henry Kim表示,由于韓元走弱,加上美元相對穩(wěn)定,2家公司可望從匯率的變化中獲得雙重利益。   Citi預期在以美元計算時,存儲器價格在第2季可望提升。造成此現(xiàn)象的主要原因有2個,
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  存儲器  

          臺積電高管:三星較GlobalFoundries更具威脅性

          •   晶圓代工市場戰(zhàn)火越來越激烈,三星電子(Samsung Electronics)與全球晶圓(Global Foundries;GF)競飆資本支出,擴充產(chǎn)能及提升技術(shù),讓臺積電如臨大敵,不過,臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義認為,從成本優(yōu)勢來看,三星較 Global Foundries具威脅性,然Global Foundries來勢洶洶,恐怕會對價格造成影響。   歐洲微電子研究所 (Imec)新研發(fā)中心9日落成,宣示跨入18寸晶圓研發(fā)里程碑,并邀集全球半導體合作伙伴到場參與,包括英特爾(Intel)、
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  晶圓代工  

          三星電子將投資36億美元擴大在美半導體工廠

          •   韓國三星電子公司(SamsungElectronicsCo.)稱,計劃投資36億美元,擴大位于美國德克薩斯州奧斯丁的半導體工廠規(guī)模,將新增 500個就業(yè)機會。   奧斯丁學區(qū)的該座工廠是三星電子公司在韓國本土以外的唯一一家半導體工廠,此次投資將用于增建兩一個占地面積 230萬平方英尺的半導體工廠。   來自奧斯丁商會的DavePorter稱,近幾年,奧斯丁學區(qū)的半導體生產(chǎn)工廠已經(jīng)開始向海外搬遷,而該區(qū)的半導體工廠也從最多時候的13家減少至現(xiàn)在的4家,因企業(yè)在海外找到了更家節(jié)省成本的運營地點。  
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  半導體  

          三星2010年芯片銷售飚升至300億美元

          •   美國市場調(diào)研公司ICInsights在5月30日表示,預計韓國三星電子公司2010年全年的半導體芯片銷售額將會增長 50%,飚升至300億美元。   ICInsights公司的報告顯示,三星公司在今年第一季度實現(xiàn)了71.4億美元的銷售額,這為實現(xiàn)年度目標開了個好頭。從全球內(nèi)存芯片市場來看,因特爾公司在第一季度實現(xiàn)了94.9億美元的銷售額,居于市場最高位,三星公司次之;日本東芝在第一季度實現(xiàn)了32.4億美元的銷售額,居于第三位。   ICInsights公司表示,由于全球內(nèi)存芯片市場形勢很好,芯片制
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          內(nèi)存市場地位穩(wěn)固 三星加大NAND芯片產(chǎn)能

          •   據(jù)報道,臺灣DRAM內(nèi)存制造商認為,三星目前已經(jīng)將重點放在了拉大與競爭對手在NAND閃存市場差距。由于在DRAM市場的地位十分穩(wěn)固,三星未來將不 會繼續(xù)加強該市場的投資,因此其它DRAM廠商在這方面的影響將會比較小。三星此前在全球NAND閃存市場的份額一度達到50%,但目前 已經(jīng)滑落到了40%,而且排在第二的東芝也是在身后緊追不舍。為了拉大與東芝的差距,三星可能將會將其NAND閃存芯片生產(chǎn)集中在新建的Line-16生 產(chǎn)線上。   外界還認為,受到操縱內(nèi)存價格事、可能遭受反壟斷調(diào)查影響,三星未來在D
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          三星砸錢瞄準東芝 臺DRAM廠喘口氣

          •   三星電子(Samsung Electronics)宣布投下巨額資本支出計畫,在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪,尤其臺系DRAM廠憂心忡忡,擔心還沒打仗就先輸了一半,不過,近期存儲器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎?,三星這場充滿殺敵言論的喊話動作,真正用在DRAM產(chǎn)能擴充上應是相當有限,主要還是與東芝(Toshiba)NAND Flash龍頭保衛(wèi)戰(zhàn),三星才有輸不得的壓力,加上三星針對LED、電池、太陽能、生物科技、醫(yī)療等5大新興事業(yè)體拓展雄心,對于DRAM產(chǎn)業(yè)威脅將低于預期。   三星在5月中旬宣布全球半導
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          三星半導體營利可望達10兆韓元

          •   三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)部社長權(quán)五鉉出席在首爾新羅飯店召開的世界半導體協(xié)議會(WSC)會議,并表示三星半導體事業(yè)部第2季成績將較第1季更亮眼,預計年度營業(yè)利益將可突破10兆韓元大關(guān)。   三星第1季在半導體部分寫下8.2兆韓元銷售額和1.96兆韓元營業(yè)利益的紀錄。第2季銷售額和營業(yè)利益將大幅上升,且下半年市場也頗受看好,半導體事業(yè)部可望創(chuàng)下約10兆韓元的營業(yè)利益佳績。   三星目前尚無特定事業(yè)部門達到年度營業(yè)利益逾10兆韓元的紀錄,公司整體的營業(yè)利益以2004年
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          Rambus、NVIDIA侵權(quán)判決延后 三星專利授權(quán)協(xié)議牽動結(jié)果

          •   據(jù)彭博(Bloomberg)報導,美國芯片設(shè)計業(yè)者Rambus與繪圖芯片廠NVIDIA間的專利訴訟爭議結(jié)果將延后出爐,美國國際貿(mào)易委員會(ITC)表示,將再詳細審視Rambus日前與三星電子(Samsung Electronics)達成的專利授權(quán)協(xié)議,延遲至2010年7月26日公布判決。   ITC表示,將審視Rambus與三星達成9億美元的專利授權(quán)協(xié)議,是否已用盡能對NVIDIA提起侵權(quán)的權(quán)利。此外,ITC原訂于2010年5月26日公布判決,然將延遲至2010年7月26日公布判決結(jié)果。   Ra
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  芯片設(shè)計  

          南北韓戰(zhàn)事升溫 三星命懸一線

          •   才剛對全球半導體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics),再度因南北韓政治對立情勢升溫,戰(zhàn)事恐一觸即發(fā),而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè),三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中,DRAM市占率分別超過30%,NAND Flash市占率逼近40%,未來南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃,甚至有戰(zhàn)事發(fā)生,將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應鏈造成巨大變化。   全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠:三星   根據(jù)DIGITIMES
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