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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?三星電子

          三星海力士大規(guī)模增設(shè)產(chǎn)線 恐改變市場規(guī)則

          •   三星電子日前宣布對半導(dǎo)體領(lǐng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行11兆韓元的大規(guī)模投資,意圖拉開與競爭者的距離。   據(jù)南韓MT News報(bào)導(dǎo),南韓的主要出口產(chǎn)品半導(dǎo)體和TFT LCD是大規(guī)模設(shè)備的事業(yè),隨著景氣起伏反復(fù)呈現(xiàn)好、壞情況,甚至遇到景氣較佳時(shí)期,各業(yè)者紛紛增加設(shè)備,反而導(dǎo)致供過于求,變質(zhì)成各業(yè)者間進(jìn)行降低業(yè)界整體利益的惡性競爭,并進(jìn)而改變產(chǎn)業(yè)市場的游戲規(guī)則。三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、LG Display等近期接連調(diào)整設(shè)備投資金額,引發(fā)其它業(yè)者是否將導(dǎo)致惡性競爭的疑慮,南
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  TFT-LCD  DRAM  

          三星電子擬向其美國芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

          •   6月10日消息,據(jù)路透社報(bào)道,全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國三星電子周四表示,計(jì)劃投資36億美元,擴(kuò)大其在美國的芯片生產(chǎn)能力。   三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國得克薩斯州的奧斯汀,此次產(chǎn)能擴(kuò)增主要是針對生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。   奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱,工廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃還包括增聘500名員工。
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

          弱勢韓元 三星海力士2Q看俏

          •   據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo),由于韓元弱勢,韓國2大半導(dǎo)體公司三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)可望從中受惠,第2季的營業(yè)利益(Operating Profit)可望較第1季成長。   投資機(jī)構(gòu)Citi Investment Research & Analysis分析師Henry Kim表示,由于韓元走弱,加上美元相對穩(wěn)定,2家公司可望從匯率的變化中獲得雙重利益。   Citi預(yù)期在以美元計(jì)算時(shí),存儲器價(jià)格在第2季可望提升。造成此現(xiàn)象的主要原因有2個(gè),
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  存儲器  

          臺積電高管:三星較GlobalFoundries更具威脅性

          •   晶圓代工市場戰(zhàn)火越來越激烈,三星電子(Samsung Electronics)與全球晶圓(Global Foundries;GF)競飆資本支出,擴(kuò)充產(chǎn)能及提升技術(shù),讓臺積電如臨大敵,不過,臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義認(rèn)為,從成本優(yōu)勢來看,三星較 Global Foundries具威脅性,然Global Foundries來勢洶洶,恐怕會對價(jià)格造成影響。   歐洲微電子研究所 (Imec)新研發(fā)中心9日落成,宣示跨入18寸晶圓研發(fā)里程碑,并邀集全球半導(dǎo)體合作伙伴到場參與,包括英特爾(Intel)、
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  晶圓代工  

          三星電子將投資36億美元擴(kuò)大在美半導(dǎo)體工廠

          •   韓國三星電子公司(SamsungElectronicsCo.)稱,計(jì)劃投資36億美元,擴(kuò)大位于美國德克薩斯州奧斯丁的半導(dǎo)體工廠規(guī)模,將新增 500個(gè)就業(yè)機(jī)會。   奧斯丁學(xué)區(qū)的該座工廠是三星電子公司在韓國本土以外的唯一一家半導(dǎo)體工廠,此次投資將用于增建兩一個(gè)占地面積 230萬平方英尺的半導(dǎo)體工廠。   來自奧斯丁商會的DavePorter稱,近幾年,奧斯丁學(xué)區(qū)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠已經(jīng)開始向海外搬遷,而該區(qū)的半導(dǎo)體工廠也從最多時(shí)候的13家減少至現(xiàn)在的4家,因企業(yè)在海外找到了更家節(jié)省成本的運(yùn)營地點(diǎn)。  
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  半導(dǎo)體  

          三星2010年芯片銷售飚升至300億美元

          •   美國市場調(diào)研公司ICInsights在5月30日表示,預(yù)計(jì)韓國三星電子公司2010年全年的半導(dǎo)體芯片銷售額將會增長 50%,飚升至300億美元。   ICInsights公司的報(bào)告顯示,三星公司在今年第一季度實(shí)現(xiàn)了71.4億美元的銷售額,這為實(shí)現(xiàn)年度目標(biāo)開了個(gè)好頭。從全球內(nèi)存芯片市場來看,因特爾公司在第一季度實(shí)現(xiàn)了94.9億美元的銷售額,居于市場最高位,三星公司次之;日本東芝在第一季度實(shí)現(xiàn)了32.4億美元的銷售額,居于第三位。   ICInsights公司表示,由于全球內(nèi)存芯片市場形勢很好,芯片制
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  芯片制造  內(nèi)存芯片  

          內(nèi)存市場地位穩(wěn)固 三星加大NAND芯片產(chǎn)能

          •   據(jù)報(bào)道,臺灣DRAM內(nèi)存制造商認(rèn)為,三星目前已經(jīng)將重點(diǎn)放在了拉大與競爭對手在NAND閃存市場差距。由于在DRAM市場的地位十分穩(wěn)固,三星未來將不 會繼續(xù)加強(qiáng)該市場的投資,因此其它DRAM廠商在這方面的影響將會比較小。三星此前在全球NAND閃存市場的份額一度達(dá)到50%,但目前 已經(jīng)滑落到了40%,而且排在第二的東芝也是在身后緊追不舍。為了拉大與東芝的差距,三星可能將會將其NAND閃存芯片生產(chǎn)集中在新建的Line-16生 產(chǎn)線上。   外界還認(rèn)為,受到操縱內(nèi)存價(jià)格事、可能遭受反壟斷調(diào)查影響,三星未來在D
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  內(nèi)存制造  

          三星砸錢瞄準(zhǔn)東芝 臺DRAM廠喘口氣

          •   三星電子(Samsung Electronics)宣布投下巨額資本支出計(jì)畫,在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪,尤其臺系DRAM廠憂心忡忡,擔(dān)心還沒打仗就先輸了一半,不過,近期存儲器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎荆沁@場充滿殺敵言論的喊話動作,真正用在DRAM產(chǎn)能擴(kuò)充上應(yīng)是相當(dāng)有限,主要還是與東芝(Toshiba)NAND Flash龍頭保衛(wèi)戰(zhàn),三星才有輸不得的壓力,加上三星針對LED、電池、太陽能、生物科技、醫(yī)療等5大新興事業(yè)體拓展雄心,對于DRAM產(chǎn)業(yè)威脅將低于預(yù)期。   三星在5月中旬宣布全球半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          三星半導(dǎo)體營利可望達(dá)10兆韓元

          •   三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉出席在首爾新羅飯店召開的世界半導(dǎo)體協(xié)議會(WSC)會議,并表示三星半導(dǎo)體事業(yè)部第2季成績將較第1季更亮眼,預(yù)計(jì)年度營業(yè)利益將可突破10兆韓元大關(guān)。   三星第1季在半導(dǎo)體部分寫下8.2兆韓元銷售額和1.96兆韓元營業(yè)利益的紀(jì)錄。第2季銷售額和營業(yè)利益將大幅上升,且下半年市場也頗受看好,半導(dǎo)體事業(yè)部可望創(chuàng)下約10兆韓元的營業(yè)利益佳績。   三星目前尚無特定事業(yè)部門達(dá)到年度營業(yè)利益逾10兆韓元的紀(jì)錄,公司整體的營業(yè)利益以2004年
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  半導(dǎo)體  

          Rambus、NVIDIA侵權(quán)判決延后 三星專利授權(quán)協(xié)議牽動結(jié)果

          •   據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo),美國芯片設(shè)計(jì)業(yè)者Rambus與繪圖芯片廠NVIDIA間的專利訴訟爭議結(jié)果將延后出爐,美國國際貿(mào)易委員會(ITC)表示,將再詳細(xì)審視Rambus日前與三星電子(Samsung Electronics)達(dá)成的專利授權(quán)協(xié)議,延遲至2010年7月26日公布判決。   ITC表示,將審視Rambus與三星達(dá)成9億美元的專利授權(quán)協(xié)議,是否已用盡能對NVIDIA提起侵權(quán)的權(quán)利。此外,ITC原訂于2010年5月26日公布判決,然將延遲至2010年7月26日公布判決結(jié)果。   Ra
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  芯片設(shè)計(jì)  

          南北韓戰(zhàn)事升溫 三星命懸一線

          •   才剛對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics),再度因南北韓政治對立情勢升溫,戰(zhàn)事恐一觸即發(fā),而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè),三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中,DRAM市占率分別超過30%,NAND Flash市占率逼近40%,未來南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃,甚至有戰(zhàn)事發(fā)生,將使得全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。   全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠:三星   根據(jù)DIGITIMES
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  

          供應(yīng)鏈短缺是LED棘手問題

          •   自2009年三星電子推出側(cè)光型(Edge-Lit)LED背光電視之后,LED背光電視解決了以往高價(jià)格與高規(guī)格的問題,以合理的價(jià)格、薄型設(shè)計(jì)、省電以及符合環(huán)保意識等特點(diǎn)吸引了消費(fèi)者。同時(shí),這也讓許多電視品牌、面板制造商、背光板供貨商開始相信LED背光電視擁有美好的未來。LED背光電視火熱使得LED背光電視供應(yīng)鏈的許多問題也隨之暴露出來,尤其是在技術(shù)尚未完全成熟的情況下,許多LED背光板解決方案涌現(xiàn),使整個(gè)供應(yīng)鏈變得更加的復(fù)雜。   2009年全球LED背光液晶電視出貨量為360萬臺,可以說是LED背光
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  LED  

          擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模 三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

          •   為了擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,三星電子(Samsung Electronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營運(yùn)方式,將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式,變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營運(yùn)體系。   據(jù)南韓MT News報(bào)導(dǎo),三星23日動工的京畿道華城半導(dǎo)體新工廠名稱,并不是當(dāng)初預(yù)定的17號產(chǎn)線,而命名為16號產(chǎn)線。   三星相關(guān)人員指出,過去存儲器半導(dǎo)體市場規(guī)模較小,對于景氣好壞的循環(huán)相當(dāng)敏感,因此過去采用一座工廠兩條產(chǎn)線方式,以換取投資時(shí)差并減低風(fēng)險(xiǎn)。   但目前三星在內(nèi)存市場的規(guī)模已夠大,必須一次擴(kuò)大生產(chǎn)量規(guī)模
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          迎戰(zhàn)三星 臺塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

          •   南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能,引發(fā)各方關(guān)注。臺塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會議表示,原先預(yù)期三星明年下半年啟動擴(kuò)產(chǎn),其進(jìn)度比預(yù)期快得多,惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開發(fā),今年將切入50、42納米制程,技術(shù)超越臺系廠商;對照先前65納米,生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%,臺塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。   三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能,由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動快的多,也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽,但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景,有偏多的立場。   南亞科董事
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  50納米  

          三星強(qiáng)化晶圓代工 恐牽動臺積電客戶訂單版圖

          •   韓國半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前上修資本支出,其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門,資本支出亦增加逾50%,達(dá)2兆韓元,以滿足手機(jī)等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求,顯示三星有意加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對此解讀,三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機(jī)芯片訂單,未來是否會擴(kuò)大分食高通在臺積電訂單,高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察,部分業(yè)界認(rèn)為較大威脅恐將在2012年以后顯現(xiàn)。   三星在日前上修資本支出計(jì)畫中,擬將2兆韓元應(yīng)用于系統(tǒng)LSI部門,以滿足手機(jī)、數(shù)
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  晶圓代工  SoC  
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