?三星文章進(jìn)入?三星技術(shù)社區(qū)

消息稱三星擬明年砍單3000萬(wàn)部手機(jī) 部件供應(yīng)商或受巨大沖擊

據(jù)報(bào)道，隨著智能手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)下滑，全球第一大智能手機(jī)廠商三星計(jì)劃大幅調(diào)降明年智能手機(jī)出貨量的預(yù)期，內(nèi)部規(guī)劃其明年智能手機(jī)生產(chǎn)目標(biāo)將落在2.7億部，雖然與今年調(diào)整后的目標(biāo)2.6億略有增長(zhǎng)，但是相比之前的預(yù)期的2.9億部則減少了2000萬(wàn)部，與今年的原本出貨目標(biāo)相比則減少了3000萬(wàn)部。其中，高端S系列旗艦機(jī)型產(chǎn)量維持與今年相當(dāng)，砍單機(jī)型主要是原本為銷售主力的A系列與M系列中低端機(jī)型，聯(lián)發(fā)科、大立光、雙鴻、晶技等供應(yīng)鏈恐承壓。根據(jù)披露財(cái)報(bào)，三星第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為10.85萬(wàn)億韓元（約合人民幣550億元），同
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LG顯示已開(kāi)始為iPhone 14 Pro Max供應(yīng)面板打破三星壟斷地位

經(jīng)歷生產(chǎn)計(jì)劃推遲的LG顯示經(jīng)過(guò)技術(shù)補(bǔ)充程序后，已經(jīng)獲得了蘋果的最終批準(zhǔn)，在上月底就已開(kāi)始供應(yīng)iPhone 14 Pro Max所需的LTPO OLED面板，由三星顯示壟斷的iPhone Pro系列面板供應(yīng)有望重新變?yōu)槎喾焦?yīng)。
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報(bào)告稱三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額創(chuàng) 8 年來(lái)新低

IT之家 11 月 9 日消息，根據(jù)最新的報(bào)告，三星電子在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額已跌至八年來(lái)的最低點(diǎn)。據(jù) Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報(bào)告，第三季度全球 DRAM 市場(chǎng)銷售額為 179.73 億美元（當(dāng)前約 1301.25 億元人民幣），較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元（當(dāng)前約 533.66 億元人民幣
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三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
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傳輸速度高達(dá)2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達(dá)2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費(fèi)級(jí)SSD的傳輸速度達(dá)到直接越級(jí)的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會(huì)提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細(xì)則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數(shù)據(jù)并沒(méi)有做詳細(xì)介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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三星4nm芯片仍未達(dá)標(biāo)？Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2

據(jù)外媒報(bào)道，三星Galaxy S23系列手機(jī)將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機(jī)。但在今年推出Galaxy S22系列手機(jī)時(shí)，卻提前了幾周發(fā)布。因此S23系列或許也會(huì)跟今年的S22系列一樣，在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2據(jù)消息人士最新透露，與此前曝光的消息基本一致，三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標(biāo)配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財(cái)務(wù)官的一份文件中，相關(guān)人士表示Galaxy S
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三星和 SK 海力士瞄準(zhǔn)汽車半導(dǎo)體

IT之家 11 月 7 日消息，據(jù) BusinessKorea，隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車用高性能半導(dǎo)體的需求的迅速增加，三星電子和 SK 海力士已逐漸將目光投向了汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域。IT之家了解到，這兩家公司雖然在世界存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)上占據(jù)了第一和第二的位置，但在汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)上并沒(méi)有太大的影響力。Strategy Analytics 數(shù)據(jù)顯示，以 2019 年的銷售額為標(biāo)準(zhǔn)，韓國(guó)在全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的占有率僅為 2.3%。在油車領(lǐng)域，車用半導(dǎo)體價(jià)格普遍較低，因此收益性較低，而且油車更換周期也普遍更長(zhǎng)，可
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開(kāi) IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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新思科技攜手三星，提升3nm移動(dòng)、HPC和AI芯片設(shè)計(jì)PPA

加利福尼亞州山景城2022年11月4日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，在雙方的長(zhǎng)期合作中，三星晶圓廠（以下簡(jiǎn)稱"三星"）已經(jīng)通過(guò)新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)工具和流程實(shí)現(xiàn)了多次成功的測(cè)試流片，從而更好地推動(dòng)三星的3納米全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)被采用于對(duì)功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應(yīng)用中。此外，新思科技還獲得了三星的"最先進(jìn)工藝"認(rèn)證。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術(shù)的共同客戶將實(shí)現(xiàn)功
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俄烏沖突尚未結(jié)束，三星SK海力士加大半導(dǎo)體原材料國(guó)產(chǎn)化使用

俄羅斯和烏克蘭是氖、氬、氪、氙等半導(dǎo)體原料氣體供應(yīng)大國(guó)，其中氖氣由烏克蘭供應(yīng)全球近七成產(chǎn)量，而俄羅斯惰性氣體供應(yīng)量占全球供應(yīng)總量的30%。隨著俄烏沖突爆發(fā)后，全球氖氣、氙氣等產(chǎn)量大減，全球芯片市場(chǎng)的供應(yīng)短缺問(wèn)題加劇。為降低對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的依賴，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星和SK海力士都表示將大幅增加韓國(guó)本土生產(chǎn)的氣體。據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，近日，三星表示，公司將與浦項(xiàng)鋼鐵（POSCO）一起推進(jìn)半導(dǎo)體核心材料氙氣的本土生產(chǎn)，目前該材料全部依賴進(jìn)口。目前，大多數(shù)韓國(guó)芯片制造商和微電子設(shè)備制造商依賴進(jìn)口氣體，這些氣體是生產(chǎn)3D
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尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上報(bào)告其在新一代非易失性存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會(huì)議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器。該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開(kāi)的國(guó)際電子器件會(huì)議上就此進(jìn)行報(bào)告。論文中提到，該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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臺(tái)積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

臺(tái)積電10月27日宣布，成立開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺(tái)積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺(tái)積電同步開(kāi)發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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三星推出面向人工智能的全新存儲(chǔ)器技術(shù)

據(jù)韓媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星于近日宣布，公司已經(jīng)成功運(yùn)行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100，并展示了其性能。三星稱，與其他沒(méi)有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比，HBM-PIM芯片將AMD GPU加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了約50%。與僅配備HBM的GPU加速器相比，配備HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了約2100GWh。2021年2月，三星推出了其首個(gè)HBM-PIM，這是業(yè)界第一個(gè)高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。HBM
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三星電子將加強(qiáng)汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，分析師預(yù)計(jì)其可能在歐洲建廠

10 月 25 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，為克服存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)不景氣對(duì)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的影響，三星電子將目標(biāo)投向了汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域。而韓國(guó)媒體在最新的報(bào)道中表示，部分分析師預(yù)計(jì)將目標(biāo)投向了汽車半導(dǎo)體的三星電子，可能在歐洲建設(shè)汽車芯片工廠，歐洲有多家全球性的汽車制造大廠。外媒在報(bào)道中提到，在近期有客戶和合作伙伴參加的技術(shù)論壇上，三星電子已透露他們將加強(qiáng)汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展和汽車智能化程度的提高，對(duì)半導(dǎo)體部件的需求也在提升，汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模也在不斷擴(kuò)大。已有研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中表示，全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的
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晶圓代工產(chǎn)能被迫收斂三星電子仍將大幅提高晶圓代工產(chǎn)能

長(zhǎng)達(dá)逾兩年的疫情紅利于2022年初起明顯消退，加上全球通膨壓力加劇導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求大幅衰退，終端庫(kù)存急速飆升，電子供應(yīng)鏈陷入砍單、延遲拉貨、殺價(jià)與取消長(zhǎng)約混亂局勢(shì)，連鎖效應(yīng)于2022年中向上沖破半導(dǎo)體晶圓代工、封測(cè)與IC設(shè)計(jì)防線。
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