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	?nand flash
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          2018年內存產業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2017年，整體內存產業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產業(yè)由悲轉喜。
　　DRAM無新增產能
　　首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產能，頂多就
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                           
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          Linux驅動之Nand Flash四問，原理、工作方式都包含了
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Nand Flash 是一個存儲芯片。　　那么：這樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù)，把數(shù)據(jù)B寫到地址A”　　問1：原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線，怎么傳輸?shù)刂?　　答：在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，當ALE為高電平時傳輸?shù)氖堑刂贰　?：從Nand Flash芯片手冊可知，要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令，怎么傳入命令?！　〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，也傳輸命令　　當ALE為高
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          • 關鍵字：
                        Linux  Nand                           
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          3D NAND存儲助力智能手機應用進入新時代
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　前言　　全球的智能手機用戶一直在不斷尋求更好的移動體驗。他們不僅下載比以往任何時候都更多的應用，而且還使用更為復雜的應用來支持攝影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(VR)/增強現(xiàn)實(AR)等方面更大的技術進步?！　≡谀承┑貐^(qū)，智能手機是唯一與外界聯(lián)系的設備，因此用戶對它們的依賴程度非常高，已經習慣于讓手機不間斷地運行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機用戶群，這些用戶經常使用高級在線支付服務(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財付通
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          • 關鍵字：
                        NAND  存儲                          
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          美光科技和英特爾發(fā)布NAND存儲聯(lián)合開發(fā)計劃的最新動態(tài)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲聯(lián)合開發(fā)計劃的最新動態(tài)。這段成功的合作關系已幫助兩家公司開發(fā)出行業(yè)領先的 NAND 技術并順利推向市場?！　〈舜伟l(fā)布內容包括兩家公司商定將各自獨立開發(fā)新世代 3D NAND 技術。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術的開發(fā)，該技術將在 2018 年末交付，并持續(xù)到 2019 年初。在此技術節(jié)點之后，兩家公司將獨
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          • 關鍵字：
                        美光科技  NAND                           
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          存儲器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩
          
                                                            
            
                    	
          • 三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴產計畫，新產能將在2019年后開出，屆時NAND Flash市場將供過于求。
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          • 關鍵字：
                        存儲器  NAND                          
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          ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領域?！　?nbsp; 
　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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          • 關鍵字：
                        Nand-Flash  eMMC                          
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          東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。
　　事實上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設當中，預計將于 2018 年第 4 季完工
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                          
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          明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態(tài)，產品價格同步高漲，而明年上半年將轉為供過于求。
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          • 關鍵字：
                        NAND  DRAM                          
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          明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
          
                                                            
            
                    	
          • 　　內存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。
　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態(tài)，產品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
　　內存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產良率改善，可望填補供貨缺口。
　　另一內存模塊廠威剛表示，短期內全球 DRAM
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          STM32的flash知識詳解
          
                                                            
            
                    	
          • 　　說到STM32的flash，我們的第一反應是用來裝程序的，實際上，STM32的片內FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然， FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。　　FLASH分類　　根據(jù)用途，STM32片內的FLASH分成兩部分：主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序，我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分：系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。 系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存儲器自舉模式下的啟動程序(BootLoader)，當使用ISP方
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          • 關鍵字：
                        STM32  flash                          
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          中國反壟斷機構關注DRAM連漲七個季度,何處是盡頭?
          
                                                            
            
                    	
          • 圍繞著此輪DRAM產業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。
　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產存儲器是為了將中國存儲器產業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產業(yè)開始進入試產階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          潘健成：明年3D NAND進入96層　群聯(lián)準備好了
          
                                                            
            
                    	
          • 　　今年全球NAND Flash產業(yè)成功轉換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長潘健成指出，2018年底將進入96層的3D NAND技術世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術也全面提升至新層次，群聯(lián)的關鍵技術已經準備好了，呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)!
　　今年的NAND Flash產業(yè)受到技術轉換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產業(yè)供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產品的需求被抑制，
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                        SSD  NAND                           
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          美光任命Derek Dicker為存儲產品事業(yè)部副總裁兼總經理
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產品事業(yè)部副總裁兼總經理?！　≡诖寺毼簧?，Dicker 將負責領導和拓展美光的固態(tài)存儲業(yè)務，包括打造世界領先的存儲解決方案，從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計算等大型細分市場中日漸增多的機遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 匯報?！　icker 在半導體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經驗，包括在 Intel、
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                        美光  NAND                          
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          旺宏NAND論文 獲國際肯定
          
                                                            
            
                    	
          • 　　內存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關注的3D NAND議題上扮演重要角色。
　　旺宏強調，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達到二到三倍的內存密度。
　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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                        旺宏  NAND                          
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          ?nand flash介紹
          
      			
          
		      	
          
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