?nand flash 文章 進(jìn)入?nand flash技術(shù)社區(qū)
布局存儲器封測 臺廠競爭卡位
- 存儲器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作,東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局,今年存儲器封測競爭卡位,勢必激烈。 展望今年,國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程,包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴(kuò)大委外,封測臺廠考量自身發(fā)展,積極與國際大廠洽商合作。 美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida),提高美光全球DRAM市占率約1倍。 為進(jìn)一步集成DRAM封測業(yè)務(wù),去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
- 關(guān)鍵字: 存儲器 NAND
AVR的主要特性
- AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
- 關(guān)鍵字: AVR單片機(jī) ATMEL Flash
缺少仿真器時avr單片機(jī)的開發(fā)方法
- 對FLASH存貯器單片機(jī),不要仿真機(jī)也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手: 一、盡量使用高級語言開 ...
- 關(guān)鍵字: 仿真器時 avr單片機(jī) FLASH
2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化
- FlashLED在智慧型手機(jī)的滲透率已達(dá)100%,看準(zhǔn)Flash商機(jī),LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流,業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展,高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導(dǎo),而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。 LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性,F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機(jī)標(biāo)配,以2013年FlashLED市況來看,主流規(guī)
- 關(guān)鍵字: Flash LED
?nand flash介紹
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