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韓國FTC：NAND Flash大廠無操控價格
- 據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關的操控價格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。 存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個國家調(diào)查是否存在柯斷，近期
- 關鍵字： Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)違法行為
- 韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。 該機構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中，兩家位于韓國，其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設備，包括數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機和手機。 根據(jù)三星電子和東芝的說法，今年8月，美國司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。 市場調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
- 關鍵字： 海力士 NAND 閃存芯片
傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題
- 據(jù)業(yè)者透露，韓國廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品，不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露，這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區(qū)的市場發(fā)售，不過目前部分銷往美國市場的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定而遭到客戶的退貨。 據(jù)閃存控制芯片的廠商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術目前還處在初級發(fā)展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問題，因此需要3個月的時間對這種新產(chǎn)品進行充分的測試。
- 關鍵字： NAND 閃存芯片
NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)
- 根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。 其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。 盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點轉(zhuǎn)移到了工藝升級上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
- 關鍵字： 閃存 NAND
聚焦2010電子產(chǎn)業(yè)10大機遇
- 經(jīng)歷了09年初的低糜，IC產(chǎn)業(yè)正逐步從危機中復蘇，觀望其2010年的發(fā)展趨勢，可以說是機遇與挑戰(zhàn)并存。本文將對于2010年電子產(chǎn)業(yè)市場的有利與不利因素分別敍述，供業(yè)界探討與分析。 10大機遇 1. IC行業(yè)的季節(jié)性需求好于預期。FBR分析師Craig Berger說：“亞洲芯片分銷商的最新訂單顯示，第4季度芯片銷售將環(huán)比下降4到8個百分點，比起上個月我們調(diào)查得出的環(huán)比下降10個百分點情況更好，這是由11月份的工業(yè)、消費和智能手機芯片的強勁需求推動的的出貨量下降4%-8%，跌幅較
- 關鍵字： Altera LED IC NAND
FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應用
- FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應用, NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術的非易失存儲器，具有ROM存儲器的特點，存儲在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持10年不丟失，而芯片的引腳與訪問又具有類似于RAM的特點。NAND FLASH 存儲器將數(shù)據(jù)線與地址線復用為8條線
- 關鍵字： 系統(tǒng) 應用 嵌入式 MSP430F149 K9F1G08U0M FLASH
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境，而與臺積電未來如能合作，將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺，為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。 11月11日，臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞：中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺積電2億美元，并且無償授予臺積電8%的中芯股權(quán)，且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權(quán)。 這件事情所以在臺灣
- 關鍵字： 中芯國際 晶圓 NOR NAND
PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價大漲3%
- 沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當樂觀，原本外界預期12月合約價格會開始下跌，反應淡季效應，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。 存儲器模塊廠一致看好2010
- 關鍵字： 南亞科 DRAM 存儲器 NAND
東芝等日本半導體廠紛紛取消年底假期持續(xù)生產(chǎn)
- 隨著薄型電視等產(chǎn)品需求呈現(xiàn)增長，東芝(Toshiba)等日本半導體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續(xù)進行生產(chǎn)，有別于去(2008)年年底動輒停工近20天的嚴峻局面。 報導指出，東芝旗下生產(chǎn)NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產(chǎn)線停工達13天，惟因今年春天以后智慧型手機訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續(xù)進行生產(chǎn)不停工。 報導指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環(huán)保車的微控制器(MCU)
- 關鍵字： Toshiba NAND MCU
東芝等日本半導體巨頭恢復增產(chǎn)投資
- 據(jù)國外媒體報道，日本國內(nèi)的半導體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機等設備上使用的閃存，并在該領域排名全球第二，該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產(chǎn)能，增產(chǎn)程度約為4成。爾必達公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存，該公司計劃在2010財年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元，將出貨量提高3成。 自今年夏天以來，全球半導體市場呈現(xiàn)堅挺的走勢，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復。全球經(jīng)濟危機后，日本IT業(yè)大公司一改過去的謹慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國三星公司展開競爭。
- 關鍵字： 東芝 NAND
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