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	?nexperia
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標(biāo)準(zhǔn)邏輯DHXQFN封裝
          
                                                            
                                        
            
                    	
          •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出用于標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝。例如，16引腳DHXQFN封裝比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DQFN16無(wú)引腳器件小45%。新封裝不但比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品管腳尺寸更小，而且還節(jié)省了25%的PCB面積。封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm（14 引腳）、2 mm x 2.4 mm（16引腳）、2 mm x 3.2 mm（20引腳）和2 mm x 4 mm（24引腳），0.4 mm間距的DHXQFN封裝只有0.45 mm高。器件包括：十六路反向
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  DHXQFN封裝                          
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          Nexperia新8英寸晶圓線(xiàn)啟動(dòng)，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布，位于英國(guó)曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線(xiàn)將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下，Nexperia積極投資
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  MOSFET                          
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          Nexperia計(jì)劃在2021和2022年投資7億美元提高產(chǎn)能
          
                                                            
            
                    	
          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布了全球增長(zhǎng)戰(zhàn)略最新舉措，即在未來(lái)12個(gè)月至15個(gè)月期間投資7億美元用于擴(kuò)建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測(cè)試工廠和全球的研發(fā)基地。 新投資將提高所有工廠的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導(dǎo)體和電源管理IC等領(lǐng)域的研發(fā)，并將支持舉辦招聘活動(dòng)，吸引更多芯片設(shè)計(jì)師和工程師人才。 Nexperia首席運(yùn)營(yíng)官Achim Kempe表示：“全球半導(dǎo)體市場(chǎng)正逐漸走出去年上半年以來(lái)的頹勢(shì)，并重新崛起。2020年，Nexperia 年銷(xiāo)售額為14億美元，銷(xiāo)量從去年第三季度和第四
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia                          
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          Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度
          
                                                            
                                        
            
                    	
          •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(chē)(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線(xiàn)性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Neil M
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  低RDS(on)  MOSFET                          
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          Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用提高效率
          
                                                            
            
                    	
          • 奈梅亨，2021年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布擴(kuò)充了旗下的Trench肖特基整流器產(chǎn)品組合，最新推出額定電壓和電流分別高達(dá)100 V和20 A的全新器件，具有出色的開(kāi)關(guān)性能和領(lǐng)先的熱性能。新器件采用Nexperia的夾片式FlatPower (CFP)封裝，管腳尺寸遠(yuǎn)小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工藝可在降低漏電流的同時(shí)，大幅減少存儲(chǔ)在器件中的Qrr電荷。因而，Trench肖特基整流器能夠?qū)崿F(xiàn)超快的開(kāi)關(guān)速度，既能減少整流器的開(kāi)關(guān)損耗，又減少了同一換向單元中MOS
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  Trench  肖特基整流器                          
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          Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行
          
                                                            
            
                    	
          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  MOSFET  GaN                          
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          Nexperia推出適用于汽車(chē)應(yīng)用中高速接口的新型ESD保護(hù)器件
          
                                                            
            
                    	
          •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列ESD保護(hù)器件，專(zhuān)門(mén)用于保護(hù)汽車(chē)應(yīng)用中越來(lái)越多的高速接口，特別是與信息娛樂(lè)和車(chē)輛通訊相關(guān)的車(chē)載網(wǎng)絡(luò)(IVN)。 隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車(chē)載電子含量的增加，EMC保護(hù)的需求變得越來(lái)越重要，提供正確的保護(hù)類(lèi)型已成為設(shè)計(jì)工程師的巨大挑戰(zhàn)。Nexperia的TrEOS技術(shù)優(yōu)化了ESD保護(hù)的三大關(guān)鍵參數(shù)（信號(hào)完整性、系統(tǒng)保護(hù)和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。 全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  高速接口  ESD                          
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          Nexperia與聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作
          
                                                            
            
                    	
          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布與國(guó)內(nèi)汽車(chē)行業(yè)主要供應(yīng)商聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)UAES）在功率半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）領(lǐng)域展開(kāi)深度合作，旨在滿(mǎn)足未來(lái)對(duì)新能源汽車(chē)電源系統(tǒng)不斷提升的技術(shù)需求，共同致力于推動(dòng)GaN工藝技術(shù)在中國(guó)汽車(chē)市場(chǎng)的研發(fā)和應(yīng)用。 隨著汽車(chē)電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)，基于GaN的主流設(shè)計(jì)正漸入佳境，勢(shì)必推動(dòng)2021年及未來(lái)功率半導(dǎo)體的需求增長(zhǎng)。Nexperia GaN FET產(chǎn)品已與UAES在電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器等項(xiàng)目中開(kāi)展研發(fā)合作。N
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  聯(lián)合汽車(chē)電子  氮化鎵                          
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          Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品
          
                                                            
            
                    	
          • 關(guān)鍵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術(shù)的半橋（高端和低端）汽車(chē)MOSFET。采用兩個(gè)MOSFET的半橋配置是許多汽車(chē)應(yīng)用（包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機(jī)控制拓?fù)涞碾p通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線(xiàn)路，其占用的PCB面積減少了30%，同時(shí)支持在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行簡(jiǎn)單的自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車(chē)級(jí)
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  MOSFET  AEC-Q101                          
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          Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出
          
                                                            
            
                    	
          • 奈梅亨，2021年2月9日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力和研發(fā)方面的全球投資。 新投資與公司的發(fā)展戰(zhàn)略相吻合。去年，Nexperia的母公司聞泰科技承諾投資120億元人民幣（18.5億美元）在上海臨港新建一座300mm（12英寸）功率半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將于2022年投入運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)40萬(wàn)片晶圓。 Nexperia今年的計(jì)劃包括提高生產(chǎn)效率，并在其位于德國(guó)漢堡和英國(guó)曼徹斯特的歐洲晶圓廠試試全新的200mm技術(shù)。漢堡晶圓廠還會(huì)增加對(duì)寬帶隙半導(dǎo)體制造新技術(shù)的
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  聞泰科技                          
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          Nexperia首推用于48 V汽車(chē)和其他更高電壓總線(xiàn)電路的80 V RET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配電阻晶體管）系列。這些新的RET或“數(shù)字晶體管”提供了足夠的余量，可用于48 V汽車(chē)板網(wǎng)（如輕度混合動(dòng)力和EV汽車(chē)）和其他更高電壓的電路，這些電路經(jīng)常受到較大的尖峰和脈沖影響，以前的50 V器件無(wú)法處理。 通過(guò)在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻，RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。SOT363封裝還提供雙RET（兩個(gè)晶體管和兩
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  RET                          
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          Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試的  可靠重復(fù)雪崩性能
          
                                                            
            
                    	
          • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認(rèn)證的新重復(fù)雪崩專(zhuān)用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用。該技術(shù)已通過(guò)十億個(gè)雪崩周期測(cè)試，可用于汽車(chē)感性負(fù)載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時(shí)間（高達(dá)4倍）外，該技術(shù)還能通過(guò)減少BOM數(shù)量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。  在汽車(chē)動(dòng)力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動(dòng)鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。第四個(gè)選擇是重復(fù)雪崩設(shè)計(jì)，利用MOSFET的重復(fù)雪崩能力來(lái)泄放在其關(guān)
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  AEC-Q101  MOSFET                          
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          Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳CAN-FD保護(hù)二極管，具有行業(yè)領(lǐng)先的ESD性能
          
                                                            
            
                    	
          • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布推出適用于CAN-FD應(yīng)用的新款無(wú)引腳ESD保護(hù)器件。器件采用無(wú)引腳封裝，帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤(pán)，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)提供行業(yè)領(lǐng)先的ESD和RF性能，節(jié)省了PCB空間。 Nexperia通過(guò)有引腳和無(wú)引腳封裝為CAN-FD總線(xiàn)提供硅基ESD保護(hù)。帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤(pán)的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3無(wú)引腳DFN封裝占用的PCB空間比傳統(tǒng)SOT23和SOT323封裝少
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia  CAN-FD  保護(hù)二極管                          
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          Nexperia首次亮相第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)
          
                                                            
            
                    	
          • 奈梅亨，2020年10月29日：半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia將首次亮相于2020年11月5日至10日在上海舉辦的第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)并將全方位介紹Nexperia如何運(yùn)用邏輯IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等創(chuàng)新器件推動(dòng)全球各類(lèi)電子設(shè)計(jì)的發(fā)展。 Nexperia憑借多元化、高產(chǎn)能的產(chǎn)品組合和行業(yè)領(lǐng)先的小封裝技術(shù)引領(lǐng)全球市場(chǎng)。Nexperia生產(chǎn)約15,000種產(chǎn)品，每年新增800余種新產(chǎn)品。作為未來(lái)創(chuàng)新技術(shù)的推動(dòng)者，Nexperia展臺(tái)位于本屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)
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          • 關(guān)鍵字：
                        Nexperia                          
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          Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類(lèi)別以?xún)?yōu)化性能
          
                                                            
            
                    	
          • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia響應(yīng)行業(yè)需求，通過(guò)定義一組全新的MOSFET產(chǎn)品，最大限度提高性能。特定型應(yīng)用FET（簡(jiǎn)稱(chēng)ASFET）所采用的MOSFET能為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)。通過(guò)專(zhuān)注于特定的應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)顯著的改進(jìn)。 Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供ASFET系列。  定制ASFET可實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)因應(yīng)用而異，例如對(duì)于熱插拔應(yīng)用，安全工作區(qū)域(SOA)能提高3至5倍；對(duì)于電機(jī)應(yīng)用，最大額定電流可超過(guò)300 A。 Nexpe
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                        Nexperia                          
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