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          存儲大廠展示300層NAND Flash,預(yù)計最快2024年問世

          • 近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預(yù)定兩年內(nèi)上市,有望打破紀錄。外媒報導(dǎo),SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
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          存儲芯片價格較去年峰值腰斬 SK海力士錄得史上最大季度虧損

          • 由于存儲芯片價格暴跌,韓國芯片制造巨頭、蘋果供應(yīng)商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。財聯(lián)社2月1日訊(編輯 卞純)由于存儲芯片價格暴跌,韓國芯片制造巨頭、蘋果供應(yīng)商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。海力士公布,在截至去年12月的三個月,營收下降38%,運營虧損1.7萬億韓元(合14億美元)。分析師的平均預(yù)期是虧損1.1萬億韓元。存儲芯片價格已經(jīng)較202
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          SK海力士副會長樸正浩與高通CEO在CES 2023舉行會談, 探討加強半導(dǎo)體業(yè)務(wù)合作

          •  ·  副會長樸正浩會見高通公司高層,廣泛探討合作機會·  SK海力士將繼續(xù)尋求與全球科技企業(yè)跨地域、跨行業(yè)展開合作 韓國首爾,2023年1月6日 – SK海力士今日宣布,SK海力士副會長兼聯(lián)合CEO樸正浩在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。1月4日(美國時間),樸正浩副會長與SK海力士社長兼聯(lián)合CEO郭魯正及其他高層領(lǐng)導(dǎo),與高通公司總裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯維加斯舉行了會談。雙方高層就眾多話題展開討
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          SSD跌成白菜價 三星急忙出手:閃存逆市漲價10%

          • 2022年內(nèi)存及閃存兩種存儲芯片的價格一直在下滑,以致于SSD硬盤跌成白菜價了,2TB不到700元,但是這樣的價格也讓閃存廠商很難受,三星已經(jīng)開始出手逆轉(zhuǎn)價格,12月份閃存漲價10%。據(jù)電子時報援引供應(yīng)鏈消息,雖然市場需求低迷,但三星12月上半月依舊選擇上調(diào)NAND閃存價格,其中3D NAND閃存價格漲幅高達10%。三星是全球第一大閃存供應(yīng)商,Q2季度的銷售額59.8億美元,環(huán)比下滑5.4%,所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%,依然遙遙領(lǐng)先其他廠商。a收購Intel閃存業(yè)務(wù)之后,SK海力士成立了
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          SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存:超越DDR5-4800 80%!

          • SK海力士宣布,已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存, 起步速率就可以達到8Gbps,相比于標準的DDR5-4800快了多達80% ,也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā),面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”,多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù),通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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          業(yè)界最快:SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組

          • IT之家 12 月 8 日消息,SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布,成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品,這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達 8Gbps,較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱,該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度,但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時另辟蹊徑,提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
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          1TB降到100元可期!SSD還要降價 原廠顆粒賣不動:內(nèi)存閃存市場價繼續(xù)走跌

          • 很顯然內(nèi)存市場的需求依然很淡,不少消費者依然沒有出手,當然還是覺得廠商能繼續(xù)降價。調(diào)研機構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報告,表明目前DRAM現(xiàn)貨報價仍在保持下跌的趨勢,主要買家對未來皆抱持跌價心態(tài),整體市況仍因大環(huán)境因素影響價格難以止跌。具體來說:DDR4 1Gx8 2666/3200 部分,SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價在 1.95~2.00 美元左右;三星WC-BCWE報價下調(diào)至 2.08~2.10 美元,WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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          速度優(yōu)勢是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵

          • 高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)是一種可以實現(xiàn)高帶寬的高附加值DRAM產(chǎn)品,適用于超級計算機、AI加速器等對性能要求較高的計算系統(tǒng)。隨著計算技術(shù)的發(fā)展,機器學(xué)習(xí)的應(yīng)用日漸廣泛,而機器學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)是自20世紀80年代以來一直作為研究熱點的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。作為速度最快的DRAM產(chǎn)品,HBM在克服計算技術(shù)的局限性方面發(fā)揮著關(guān)鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎(chǔ)技術(shù)和先進設(shè)計工藝的支持。由于HBM是在3D結(jié)構(gòu)中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起,因此開發(fā)過
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          韓國芯片出口暴降30%!SSD腰斬白菜價甩賣:SK海力士、三星虧到家

          • 作為韓國的重要支柱,芯片出口的多少,直接關(guān)系著幾大財團的營收,比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道,消費電子產(chǎn)品需求下滑,導(dǎo)致對芯片的需求下滑,尤其是存儲芯片,需求與價格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示,在11月份的前20天,韓國芯片出口52.8億美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動設(shè)備,但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額,也同比下滑20.6%,降至13.6億美元。比較有標志性的一個現(xiàn)象是,全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了,至少在3000萬部,這也
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          SK海力士全球首次在移動端DRAM制造上采用HKMG工藝

          • Warning: file_get_contents(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2013 Warning: file_get_contents(https://img.dramx.co
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  移動端  DRAM  HKMG  

          TLC顆粒SSD的好日子不多了 廠商放言:必被QLC取代

          • Intel把閃存業(yè)務(wù)賣給SK海力士后,后者孵化出名為Solidigm的消費級/企業(yè)級品牌,關(guān)系類似于美光和英睿達。日前在Tech Field Day 2022技術(shù)峰會上,Solidigm預(yù)覽了旗下第4代192層3D閃存芯片,不過是QLC顆粒(4bits/cell)??磥鞩ntel此前的QLC技術(shù)積累被SK海力士完全保留,后者還指出,雖然當前出貨的閃存芯片80%都是TLC,但QLC遲早會取代它。顯然最重要的原因還是成本效應(yīng),QLC顆粒存儲密度更高,也更容易做到大容量。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  SK海力士  閃存  

          SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

          • 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制,DRAM的性能被要求不斷提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù),并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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          SK海力士:不會聯(lián)合收購Arm

          • 據(jù)SK海力士最新公告,公司為加強事業(yè)競爭力以及提高企業(yè)價值,正在研究多種戰(zhàn)略方案,但就共同收購Arm的事宜,目前尚未推進。此前,SK海力士曾表示,正在審查各種策略選擇,其中包括聯(lián)合收購Arm,以提高業(yè)務(wù)競爭力和企業(yè)價值。而根據(jù)最新消息,據(jù)媒體報道,SK海力士在10月底公開披露中表示,不會聯(lián)合收購Arm。對此,韓國媒體引述專家觀點表示,由于軟銀董事長孫正義開出的價格遠高于實際價值,Arm正在失去其作為收購目標的吸引力。2020年,英偉達曾以400億美元的高價向軟銀求購Arm,但經(jīng)歷一波三折后英偉達選擇了放棄
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  Arm  

          俄烏沖突尚未結(jié)束,三星SK海力士加大半導(dǎo)體原材料國產(chǎn)化使用

          • 俄羅斯和烏克蘭是氖、氬、氪、氙等半導(dǎo)體原料氣體供應(yīng)大國,其中氖氣由烏克蘭供應(yīng)全球近七成產(chǎn)量,而俄羅斯惰性氣體供應(yīng)量占全球供應(yīng)總量的30%。隨著俄烏沖突爆發(fā)后,全球氖氣、氙氣等產(chǎn)量大減,全球芯片市場的供應(yīng)短缺問題加劇。為降低對進口產(chǎn)品的依賴,韓國存儲器大廠三星和SK海力士都表示將大幅增加韓國本土生產(chǎn)的氣體。據(jù)韓國經(jīng)濟新聞報道,近日,三星表示,公司將與浦項鋼鐵(POSCO)一起推進半導(dǎo)體核心材料氙氣的本土生產(chǎn),目前該材料全部依賴進口。目前,大多數(shù)韓國芯片制造商和微電子設(shè)備制造商依賴進口氣體,這些氣體是生產(chǎn)3D
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          SK海力士:未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計劃

          • 近日,SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注,對此,SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示,公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上,針對由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運營受困的各種假想情境,作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中,“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù),SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計劃。另外,針對美國對芯片設(shè)備出口的管制,SK海力士表示,
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          ?sk海力士介紹

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