“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店” 文章進(jìn)入“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店”技術(shù)社區(qū)

致敬《流浪地球》復(fù)旦發(fā)布國內(nèi)首個(gè)類ChatGPT模型MOSS：未來將開源代碼

從復(fù)旦大學(xué)自然語言處理實(shí)驗(yàn)室獲悉，國內(nèi)首個(gè)對(duì)話式大型語言模型MOSS已由邱錫鵬教授團(tuán)隊(duì)發(fā)布至公開平臺(tái)（ https://moss.fastnlp.top/ ），邀公眾參與內(nèi)測(cè)。復(fù)旦MOSS公開后，引起不少網(wǎng)友關(guān)注，由于瞬時(shí)訪問壓力過大，MOSS服務(wù)器昨晚還被網(wǎng)友擠崩潰了。從MOSS官網(wǎng)獲悉，官方發(fā)布公告稱，團(tuán)隊(duì)最初的想法只是將MOSS進(jìn)行內(nèi)測(cè)，以便進(jìn)一步優(yōu)化，沒想到會(huì)引起這么大關(guān)注，我們的計(jì)算資源不足以支持如此大的訪問量，并且作為學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)也沒有相關(guān)工程經(jīng)驗(yàn)，造成不好的體驗(yàn)向大家致歉
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管，集成度翻倍并實(shí)現(xiàn)卓越性能

IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統(tǒng)集成電路技術(shù)使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，從而獲得高性能計(jì)算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來實(shí)現(xiàn)。例如，大家最常見的案例就是半導(dǎo)體行業(yè)的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實(shí)際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院官方公告，該學(xué)院教授周鵬、研究員包文中及信息科學(xué)與工程學(xué)院研究員萬景團(tuán)隊(duì)繞過 EUV 工藝，研發(fā)出性能優(yōu)異的異質(zhì) CFET 技術(shù)
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復(fù)旦大學(xué)盧紅亮教授團(tuán)隊(duì)在新型氣敏材料及MEMS氣敏器件研究中取得新進(jìn)展

近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授盧紅亮（通訊作者）領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)首次結(jié)合硬模板法、原子層沉積技術(shù)和水熱工藝，在低功耗MEMS器件上原位合成了單層有序SnO2納米碗支化ZnO納米線的多級(jí)異質(zhì)復(fù)合納米材料，并以此作為氣體傳感器，對(duì)濃度低至1ppm的硫化氫實(shí)現(xiàn)了超靈敏和高選擇性的探測(cè)。相關(guān)成果以《Hierarchical highly ordered SnO2 nanobowls branched ZnO nanowires for ultrasensitive and selective hydrogen sulfi
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復(fù)旦大學(xué)梅永豐課題組研發(fā)柔性薄膜組裝集成芯片傳感器

硅芯片是當(dāng)代信息技術(shù)的核心，當(dāng)前正向“深度摩爾”（More Moore）和“超越摩爾”（More than Moore）兩個(gè)方向發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用是“超越摩爾”技術(shù)路線中相當(dāng)重要的一環(huán)，需要數(shù)量巨大的集成電路芯片來分析處理來自外部傳感器件的海量信號(hào)。目前，大多數(shù)傳感信號(hào)采集器件和信號(hào)處理單元均為分離設(shè)計(jì)，將在整體上產(chǎn)生更大功耗并占據(jù)更大的空間。由此，復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系教授梅永豐課題組提出了將信號(hào)檢測(cè)和分析功能集成于同一個(gè)芯片器件中的全新概念。作為演示，研究團(tuán)隊(duì)將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材
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復(fù)旦大學(xué)率先試點(diǎn)設(shè)立集成電路科學(xué)與工程一級(jí)學(xué)科

近日，復(fù)旦大學(xué)面向國家重大戰(zhàn)略需求，加快集成電路人才培養(yǎng)邁出重要一步?！凹呻娐房茖W(xué)與工程” 博士學(xué)位授權(quán)一級(jí)學(xué)科點(diǎn)將于2020年試點(diǎn)建設(shè)，并啟動(dòng)博士研究生招生。
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聯(lián)想上海研發(fā)中心擴(kuò)建項(xiàng)目將于明年在張江投用

近日，聯(lián)想與復(fù)旦大學(xué)管理學(xué)院聯(lián)合舉辦的“智慧讓城市更美好——2019智慧城市論壇”隆重召開。并在論壇上透露，位于張江科學(xué)城內(nèi)的聯(lián)想上海研發(fā)中心擴(kuò)建項(xiàng)目一期已完成封頂，預(yù)計(jì)年底竣工，明年投入使用，將涵蓋智慧+功能。
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復(fù)旦大學(xué)與華為簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日，復(fù)旦大學(xué)與華為簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將圍繞國家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，在聯(lián)合科研創(chuàng)新、人才培養(yǎng)與交流、智慧校園建設(shè)等方面開展更深層次的合作。
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復(fù)旦大學(xué)獲批建設(shè)國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)

集成電路技術(shù)是信息社會(huì)的基礎(chǔ)，也是國家綜合實(shí)力的關(guān)鍵標(biāo)志之一。為了加快集成電路領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)的攻關(guān)，加強(qiáng)集成電路"卡脖子"技術(shù)領(lǐng)域人才培養(yǎng)，國家發(fā)改委、工信部、教育部根據(jù)《國家集成電路發(fā)展推進(jìn)綱要》和《教育部等七部門關(guān)于加強(qiáng)集成電路人才培養(yǎng)的意見》，積極推進(jìn)在中央高校建設(shè)國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)。近日，教育部發(fā)文，正式批復(fù)同意復(fù)旦大學(xué)承擔(dān)的"國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)"項(xiàng)目可研報(bào)告。
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盤點(diǎn)中國大陸系微控制器（MCU）廠商（一）

　　上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司　　1998年7月，由復(fù)旦大學(xué)“專用集成電路與系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”、上海商業(yè)投資公司和一批夢(mèng)想創(chuàng)建中國最好的集成電路設(shè)計(jì)公司(芯片設(shè)計(jì))的創(chuàng)業(yè)者聯(lián)合發(fā)起創(chuàng)建了復(fù)旦微電子。MCU主要產(chǎn)品有：16位微控制器和基于Arm Cortex-M0內(nèi)核的32位微控制器產(chǎn)品?！　∩钲谑懈粷M電子集團(tuán)股份有限公司　　是一家從事高性能模擬及數(shù)?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)研發(fā)、封裝、測(cè)試和銷售的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有電源管理、LED驅(qū)動(dòng)、MOSFET等涉及消費(fèi)領(lǐng)域IC產(chǎn)品四百余種。MCU主要產(chǎn)品
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復(fù)旦大學(xué)與Google正式合作：主攻人工智能

　　據(jù)谷歌黑板報(bào)公布，5月31日，Google 在上海與復(fù)旦大學(xué)簽署兩年期合作協(xié)議，宣布成立復(fù)旦大學(xué)-谷歌科技創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室，建立戰(zhàn)略合作關(guān)系?！　?fù)旦大學(xué)常務(wù)副校長桂永浩教授、校長助理徐雷教授、Google大中華區(qū)總裁石博盟(Scott Beaumont)、Google大中華區(qū)公共政策與政府事務(wù)經(jīng)理張弘、Google中國教育合作部經(jīng)理朱愛民等出席了簽約儀式?！　』诖舜魏炇鸬膮f(xié)議，Google將重點(diǎn)支持復(fù)旦大學(xué)在人工智能、數(shù)據(jù)科學(xué)、移動(dòng)應(yīng)用等新興科技領(lǐng)域的課程和創(chuàng)新科技聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室建設(shè)，并支持中美青年創(chuàng)客交流
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復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)開創(chuàng)研發(fā)第三類存儲(chǔ)技術(shù)

　　近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲(chǔ)技術(shù)，解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。　　據(jù)了解，目前半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲(chǔ)，例如計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)立即消失;第二類是非易失性存儲(chǔ)，例如人們常用的U盤，在寫入數(shù)據(jù)后無需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數(shù)據(jù)，第二類電荷存儲(chǔ)技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存
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復(fù)旦大學(xué)兩成果亮相“集成電路設(shè)計(jì)奧林匹克”ISSCC 2018

　　美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月11日，2018國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2018)在舊金山舉行，202篇來自學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的前沿成果論文在這一集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議中向全世界發(fā)布。由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院無線集成電路與系統(tǒng)(WiCAS)課題組和腦芯片研究中心模擬與射頻集成電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)研發(fā)的兩項(xiàng)成果雙雙亮相，分別以論文《面向窄帶物聯(lián)網(wǎng)NBIOT應(yīng)用的緊湊型雙頻段數(shù)字式功率放大器》(“A Compact Dual-Band Digital Doherty Power Amplifier Using Parall
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出可植入人體納米發(fā)電機(jī)

　　近日，中國復(fù)旦大學(xué)研發(fā)了一款可植入人體靜脈的輕型發(fā)電機(jī)。該發(fā)電機(jī)可利用血管中流動(dòng)的血液自主發(fā)電，或?qū)⒃谖磥碛糜谂R床。　　據(jù)悉，該發(fā)電機(jī)基于纏繞在聚合物核心上有序排列的碳納米管，由纖維狀流體納米器(FFNG)負(fù)責(zé)相對(duì)運(yùn)動(dòng)，從而通過纖維分層獲得血液流動(dòng)梯度力。研發(fā)人員表示，該發(fā)電機(jī)的安全保障性極高，未來或?qū)⒂糜谂R床，為植入醫(yī)療設(shè)備技術(shù)貢獻(xiàn)一份力量。　　目前，研發(fā)人員還未公布該設(shè)備所能產(chǎn)生的具體功率數(shù)。但研發(fā)人員表示，該設(shè)備相較于其他微型能量采集設(shè)備效率大有提升，功率轉(zhuǎn)換率高于
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復(fù)旦大學(xué)制備出高效率黑硅太陽能電池

　　日前，復(fù)旦大學(xué)光科學(xué)與工程系陸明課題組通過在p型單晶Si(100)上擴(kuò)散磷制備pn結(jié)，利用化學(xué)刻蝕方法在n型發(fā)射極中形成多孔黑硅，并利用該種黑硅材料制備出高效太陽能電池。采用黑硅材料制備出的電池效率達(dá)到18.97%，突破了國際上同類結(jié)構(gòu)電池的最高水平。　　由于硅納米晶帶隙高于晶硅，該黑硅電池的開路電壓也就高于相應(yīng)的平面硅電池。而且，發(fā)射極的梯度帶隙結(jié)構(gòu)還抑制了前表面電子和空穴的復(fù)合。由于短波長范圍吸收度高，因此短波長處的光伏響應(yīng)也較好。　　據(jù)悉，這一相關(guān)研究成果已發(fā)表于《納米技術(shù)》，同時(shí)入選《
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復(fù)旦大學(xué)制備出效率達(dá)18.97%黑硅太陽能電池

　　復(fù)旦大學(xué)光科學(xué)與工程系陸明課題組利用黑硅材料制備出了高效的太陽能電池。相關(guān)研究成果日前發(fā)表于《納米技術(shù)》，同時(shí)入選《納米技術(shù)選集》。　　據(jù)悉，該課題組提出了一種提高電池效率的新方法。這種方法采用黑硅材料，制備的電池效率突破國際上同類結(jié)構(gòu)電池的最高水平，達(dá)到18.97%。研究者通過在p型單晶Si(100)上擴(kuò)散磷制備pn結(jié)，利用化學(xué)刻蝕方法在n型發(fā)射極中形成多孔黑硅，其紫外可見光范圍反射率低于0.3%。　　與平面晶硅電池相比，這種黑硅電池具有寬譜特性，其光電轉(zhuǎn)換效率高達(dá)18.97%。由于硅納米晶
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“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店”介紹

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