意法半導體 文章 進入 意法半導體技術(shù)社區(qū)
Metalenz和意法半導體首創(chuàng)光學超表面技術(shù)metasurface，瞄準消費電子設備
- 率先實現(xiàn)元鏡（meta-optics）商用的公司Metalenz與服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體( (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，2021 年 6 月披露的雙方將合作開發(fā)的元鏡現(xiàn)已上市。作為該備受矚目的技術(shù)首秀，意法半導體剛剛發(fā)布的 VL53L8 直接飛行時間 (dToF) 傳感器已搭載這一突破技術(shù)隆重登場。Metalenz的元鏡技術(shù)是哈佛大學的科研成果，可以替代現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)復雜的多鏡片鏡頭。在嵌入一顆元鏡后，3D 傳感器模塊大
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 光學超表面技術(shù)
意法半導體新NFC讀取器加快支付和消費應用設計
- 意法半導體的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀取器芯片輸出功率大，能效高，價格具有競爭力，支持 NFC 發(fā)起設備、目標設備、讀取和卡模擬四種模式，目標應用包括非接支付、設備配對、無線充電、品牌保護以及其他工業(yè)和消費類應用。新器件引入了靈活性更高的主動波形整形 (AWS)改進技術(shù)，可以簡化射頻輸出調(diào)整過程，方便優(yōu)化過沖和下沖問題。射頻調(diào)整操作非常容易，先在支持的圖形界面軟件上修改寄存器設置，然后再用示波器進行快速驗證。這項技術(shù)簡化了EMVCo 3.1a和
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 NFC
意法半導體推出首款集成在一個封裝中的硅基驅(qū)動器和GaN晶體管
- 瑞士意法半導體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個嵌入硅基半橋驅(qū)動芯片以及一對氮化鎵（GaN）晶體管的平臺。這個集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應用?！ ∫夥ò雽w（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產(chǎn)品上市時間，并確保了預期的性能，同時使封裝變得更小、更簡單、電路組件更少、系統(tǒng)可靠性更高。據(jù)估計，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％?！?/li>
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 硅基驅(qū)動器
巨頭搶灘第三代半導體
- 長期以來，英飛凌、意法半導體等功率半導體Top級廠商更多的產(chǎn)品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著5G、新能源汽車等一系列技術(shù)迭代和市場需求推動之下，第三代半導體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續(xù)了一年的第三代半導體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導體國際巨頭競相在公布2022年財報前后宣布了新建工廠計劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導體）都表示將在全球不同國家建設碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠。雖然在目前階段來看，碳化硅的應用和技術(shù)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 硅基IGBT 硅基MOSFET
意法半導體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成
- 意法半導體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司（那斯達克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績，意法半導體與MACOM將繼續(xù)合作，并加強雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＴ缙谑来纳漕l功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally-Diffused Metal
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MACOM 射頻 硅基氮化鎵
意法半導體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)1
- 合作研制先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu),并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結(jié)果，工藝技術(shù)將會從Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到意法半導體的200mm晶圓試產(chǎn)線，2020年前投入運營中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體能
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 硅基氮化鎵
意法半導體為什么看好硅基氮化鎵技術(shù)?
- 日前，意法半導體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發(fā)硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體滿足高效能、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器。 本合作計劃之重點是在200mm晶圓上開發(fā)和驗證制造先進硅基氮化鎵架構(gòu)的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預測，該市場將在2024年前將保持超過20%的年復合成長率。意法半導體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)制程技術(shù)，預計在2019年完成可供
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 硅基氮化鎵技術(shù)
意法半導體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破
- 產(chǎn)品達到成本和性能雙重目標，現(xiàn)進入認證測試階段實現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進展服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供應商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 硅基氮化鎵
意法半導體與賽米控合作,在下一代電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術(shù)
- 服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術(shù)。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術(shù)合作開發(fā)成果。采用意法半導體先進的 SiC 功率半導體，雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實現(xiàn)卓越的能效，并在性能方面達到行業(yè)標桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動汽車牽引驅(qū)動的電源技術(shù)，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價值 1
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 賽米控 電動汽車 碳化硅
耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
- 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 功率 MOSFET 耐用性
意法半導體和亞馬遜云科技合作開發(fā)安全的物聯(lián)網(wǎng)AWS云連接方案
- 服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)?與ST授權(quán)合作伙伴亞馬遜云科技(Amazon Web Services，簡稱AWS)?合作開發(fā)出一款獲得AWS FreeRTOS?認證的基于?TF-M?的物聯(lián)網(wǎng)設備上云參考設計，讓物聯(lián)網(wǎng)設備輕松、安全地連接到?AWS?云端。AWS?物聯(lián)網(wǎng)設備總經(jīng)理?Dave Kranzler表示：“
- 關(guān)鍵字： 云 意法半導體 亞馬遜 物聯(lián)網(wǎng) AWS 云連接方案
意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
- 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數(shù)據(jù)中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MDmesh MOSFET
意法半導體單片數(shù)字電源控制器簡化LED照明應用設計,提高設計靈活性
- 意法半導體的STNRG012是一款高集成度且節(jié)省空間的數(shù)字電源控制器，具有先進的失真抑制功能，是開發(fā)LED 照明應用的理想解決方案。該器件集成一個多模功率因數(shù)校正(PFC)控制器、諧振半橋控制器、800V啟動電路，以及管理這三個模塊的數(shù)字引擎。PFC 控制器可以在過渡模式、非連續(xù)電流模式(DCM) 和谷底跳躍之間動態(tài)切換，以實現(xiàn)最佳能效。半橋控制器執(zhí)行意法半導體的時移控制 (TSC)專利技術(shù)，以實現(xiàn)精確的軟開關(guān)操作。STNRG012的最高輸入電壓為305VAC，還支持直流工作電源，目標應用是最高300W的
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 數(shù)字電源控制器 LED 照明應用設計
意法半導體介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 意法半導體!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 意法半導體的理解，并與今后在此搜索 意法半導體的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 意法半導體的理解，并與今后在此搜索 意法半導體的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
意法半導體相關(guān)帖子
意法半導體資料下載
意法半導體專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473