三星(samsung) 文章 進入三星(samsung)技術(shù)社區(qū)
傳三星預計2026年量產(chǎn)新一代HBM4
- 據(jù)韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預計2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數(shù)為每顆芯片1024個，擁有超過2000個以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM4
消息稱三星和 SK 海力士改進 HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品
- IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
- 關(guān)鍵字： 三星 海力士 內(nèi)存
消息稱三星正與微軟合作開發(fā)一款 AI 聊天機器人，將負責文檔摘要等工作
- IT之家 9 月 12 日消息，據(jù)韓國《電子日報》昨日報道，三星電子正在使用微軟的 Azure OpenAI 服務(wù)創(chuàng)建一個 AI 聊天機器人，用于協(xié)助三星公司內(nèi)部的工作?！?圖源 韓國《電子日報》據(jù)悉，三星正在與微軟合作進行一項“內(nèi)部生成式 AI 開發(fā)”，而這一計劃中涉及的 AI，能夠處理翻譯以及文檔摘要等任務(wù)，并將使用由 OpenAI 開發(fā)的“GPT-4”和“GPT-3.5”LLM 來完成，目前項目正在概念驗證（PoC）階段。IT之家經(jīng)過查詢得知，早些時候，微軟與 Open
- 關(guān)鍵字： 三星 生成式AI
半導體市場開始復蘇了
- 半導體行業(yè)因「新冠疫情」而陷入前所未有的衰退，但復蘇的跡象似乎開始出現(xiàn)。本文根據(jù)半導體市場統(tǒng)計數(shù)據(jù)和主要制造商的財務(wù)業(yè)績報告，探討半導體市場復蘇的時機。此外，我們將討論生成式人工智能，它很可能成為行業(yè)的新驅(qū)動力。世界半導體市場統(tǒng)計（WSTS）數(shù)據(jù)和半導體制造商的業(yè)績顯示，有跡象表明半導體市場正在從衰退走向復蘇。然而，半導體市場的全面復蘇很可能在 2024 年發(fā)生。經(jīng)濟衰退復蘇后，推動全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的將是 ChatGPT 等用于生成式 AI（人工智能）的半導體。因此，我們預測領(lǐng)先的半導體產(chǎn)品將從蘋果的
- 關(guān)鍵字： 英特爾 英偉達 三星
高通和三星實現(xiàn)全球首個在FDD頻段運行兩路上行載波和四路下行載波并發(fā)的5G載波聚合連接
- 要點：●? ?驍龍X75利用僅35MHz帶寬的5G頻段（FDD頻段n71和n70）實現(xiàn)200Mbps上行峰值速度。●? ?此外，全球首個5G Advanced-ready調(diào)制解調(diào)器及射頻系統(tǒng)利用75MHz帶寬的5G頻段（FDD頻段n71、n70和n66），成功實現(xiàn)1.3Gbps下行峰值速度。高通技術(shù)公司聯(lián)合三星電子宣布，雙方成功實現(xiàn)全球首個在FDD頻段運行兩路上行載波和四路下行載波并發(fā)的5G載波聚合（CA）連接。這一成果彰顯了雙方合作帶來的領(lǐng)先優(yōu)勢，為未來提升5G性
- 關(guān)鍵字： 高通 三星 FDD頻段 5G載波聚合連接
全球首條無人半導體封裝生產(chǎn)線亮相，三星宣布成功實現(xiàn)自動化
- IT之家 9 月 4 日消息，與晶圓制造不同，半導體封裝過程中需要大量的人力資源投入。這是因為前端工藝只需要移動晶圓，但封裝需要移動多個組件，例如基板和包含產(chǎn)品的托盤。在此之前，封裝加工設(shè)備基本上都需要大量勞動力，但三星電子已經(jīng)通過晶圓傳送設(shè)備（OHT）、上下搬運物品的升降機和傳送帶等設(shè)備實現(xiàn)了完全自動化。三星電子 TSP（測試與系統(tǒng)封裝）總經(jīng)理金熙烈（Kim Hee-yeol）在“2023 年新一代半導體封裝設(shè)備與材料創(chuàng)新戰(zhàn)略論壇”上宣布，該公司已成功建成了世界上第一座無人半導體封裝工廠。據(jù)介
- 關(guān)鍵字： 三星 晶圓代工 自動化
三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
- 關(guān)鍵字： 三星 12納米 DDR5 DRAM
三星明年將升級NAND核心設(shè)備供應鏈
- 據(jù)媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進行設(shè)備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購的TEL設(shè)備是用于整個半導體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
消息稱三星計劃 2025 年量產(chǎn)卷軸屏智能手機
- IT之家 8 月 24 日消息，爆料人士 Reveguns 今日在個人推特上表示，三星計劃在 2025 年開始大規(guī)模量產(chǎn)卷軸屏智能手機，將配備改進的 UPC（IT之家注：Under Penel Camera，屏下攝像頭）技術(shù)，以及無邊框。關(guān)于“卷軸屏手機”的更多消息，這位爆料人士暫未透露，這里可參考三星過往展現(xiàn)的相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品。在去年 8 月舉行的 K-Display 2022 上，三星展示了旗下卷軸屏、折疊平板、折疊屏筆記本、“Flex G”、“Flex S”等產(chǎn)品的原型機。而在今年 5 月份
- 關(guān)鍵字： 三星 顯示面板 智能手機
三星Galaxy S24系列外觀設(shè)計將改為直角中框 類似iPhone
- 隨著新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 3芯片即將亮相，大家對首批搭載該芯片的Galaxy S24系列也給予了不少的期待，并且有多方透露稱，三星自家的Exynos處理器也將在該系列上迎來回歸，進一步讓該機受到了更多的關(guān)注。而現(xiàn)在有最新消息，近日有爆料達人帶來了該機在外觀設(shè)計上的爆料細節(jié)。據(jù)最新爆料信息顯示，與此前曝光的消息基本一致，全新的三星Galaxy S24系列依舊將包含Galaxy S24、Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra三個版本，除了硬件性能上的升級外，此次將在外觀設(shè)計上也有大幅
- 關(guān)鍵字： 三星 Galaxy iPhone 處理器 驍龍 芯片
三星計劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超 300 層
- IT之家 8 月 18 日消息，據(jù) DigiTimes 報道，三星電子計劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構(gòu)，超過 300 層。報道稱，這將使三星的進度超過 SK 海力士 —— 后者計劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構(gòu)，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片。▲ 圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構(gòu)指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個 3D NAND 堆棧，然后在第一個堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個堆棧。
- 關(guān)鍵字： 三星 閃存
三星展示“零邊框全面屏”技術(shù)，蘋果 iPhone 手機未來有望搭載
- IT之家 8 月 18 日消息，據(jù)博主 @i 冰宇宙 透露，三星顯示近日展示了下一代屏幕技術(shù)，零邊框的 All around full screen（全面屏），預計成為未來行業(yè)趨勢。從趨勢圖上可以看到，手機屏幕技術(shù)已經(jīng)由水滴屏、劉海屏過渡到打孔屏階段，下一階段三星將推出零邊框全面屏技術(shù)，并且將進一步提升 UPC 技術(shù)（屏下攝像頭）。據(jù)IT之家此前報道，韓媒 Thelec 透露，三星和 LG 公司正在開發(fā)無正面邊框的 iPhone OLED 顯示屏，最終目標是將邊框?qū)挾仍O(shè)置為零
- 關(guān)鍵字： 三星 光電顯示
三星(samsung)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條三星(samsung)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對三星(samsung)的理解，并與今后在此搜索三星(samsung)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對三星(samsung)的理解，并與今后在此搜索三星(samsung)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
三星(samsung)相關(guān)帖子
三星(samsung)資料下載
三星(samsung)專欄文章
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473