三星(samsung) 文章 進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區(qū)
三星推首款30納米低功率1.25V服務(wù)器內(nèi)存模塊
- 日前，三星電子在電子行業(yè)首次推出了采用30納米級企業(yè)服務(wù)器1.25V16GB(千兆)DDR3(DoubleData Rate 3) RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module)產(chǎn)品。 三星相關(guān)負(fù)責(zé)人向記者表示，9月16日三星電子將在新加坡舉辦“三星半導(dǎo)體CIO(首席信息官ChiefInformationOfficer)論壇”，并在此論壇上發(fā)布30納米級1.25V服務(wù)器使用的DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)產(chǎn)品。
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三星開始將部分閃存工廠轉(zhuǎn)換為邏輯產(chǎn)品生產(chǎn)線
- 據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)為將供不應(yīng)求的應(yīng)用處理器產(chǎn)量做最大提升，9月起將會把原生產(chǎn)閃存(NAND Flash)的器興14產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為系統(tǒng)LSI產(chǎn)線。三星內(nèi)部人員表示，器興14產(chǎn)線原有的閃存生產(chǎn)設(shè)備，將會移至新建成的華城16產(chǎn)線，而器興14產(chǎn)線將轉(zhuǎn)生產(chǎn)系統(tǒng)LSI。由于近來行動應(yīng)用處理器和CMOS傳感器(CIS)需求大增，為擴(kuò)大產(chǎn)量而決定進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
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