三星(samsung) 文章 進入三星(samsung)技術(shù)社區(qū)
韓國政府攜手三星與海力士 研發(fā)MRAM芯片
- 根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報導，韓國政府宣布，已與半導體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進行磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發(fā)專案，以維持韓國在半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。 韓國知識經(jīng)濟部半導體與面板部門首長 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發(fā)完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場，并預估該市場于2
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手機內(nèi)存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風光不再
- 市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領(lǐng)域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領(lǐng)域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
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三星加速制程微縮 DRAM進入40納米世代
- 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導入40納米制程，第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3，預計2010年下半40納米將成為主流制程，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先競爭同業(yè)，而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產(chǎn)出，爾必達(Elpida)也將導入Extra 65納米制程，之后跳40納米制程，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)成本進一步下滑。 三星目前56納米制程DRAM產(chǎn)能比重超過一半，并已開始小量采用新一代的40納米制程生產(chǎn)DDR3芯片，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先同業(yè)，市調(diào)機構(gòu)預估，
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三星斥資13億美金獲高通15年專利使用權(quán)
- 三星近日斥資13億美元,以獲得未來15年使用高通在CDMA、WCDMA和OFDMA方面專利的權(quán)利。 三星在提交給首爾證券交易所的聲明中稱,三星通過支付預付款來獲得使用高通在無線技術(shù)包括CDMA方面技術(shù)的許可,此外三星還將授權(quán)高通使用其在移動技術(shù)方面57%的專利,技術(shù)交叉許可協(xié)議中包括使用在手持設備和基站的4G無線技術(shù)。 由于三星和高通剛剛修訂了兩家公司特許權(quán)使用費的相關(guān)條款,所以三星本次支付的專利授權(quán)使用費較以往大大降低。據(jù)悉,根據(jù)三星與高通協(xié)議,三星將支付13億美元來獲得使用高通在CDM
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三星加大半導體制程技術(shù)研發(fā)力度
- 韓國三星公司最近顯著加大了邏輯芯片制造技術(shù)的研發(fā)力度，該公司最近成立了新的半導體研發(fā)中心，該中心將與三星現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術(shù)研發(fā)團隊一起合作， 進行新半導體材料，晶體管結(jié)構(gòu)以及高性能低功耗半導體技術(shù)的研發(fā)。另一方面，三星旗下的芯片廠除了正在積極準備45nm制程芯片的量產(chǎn)，同時作為IBM技 術(shù)聯(lián)盟的一員，也在積極研發(fā)下一代32nm/28nm制程技術(shù). 三星表示，新研發(fā)中心與現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術(shù)研發(fā)團隊的強強組合，將極大推動三星半導體制程技術(shù)的發(fā)展速度，有助于提升三星Hig-K，3D晶體管以及極
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三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm
- 三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術(shù)厚度降低一半。三星的這項技術(shù)最初是為32GB閃存顆粒設計的，將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，每層晶片的實際厚度僅為15微米，最終封裝完成的芯片才實現(xiàn)了0.6mm的厚度。據(jù)稱這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機和移動設備設計者在存儲模塊上節(jié)省40%的空間和重量。 三星稱，這項層疊封裝新技術(shù)的關(guān)鍵
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達40.7％
- 根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計算機系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合約價格的漲勢，且在第三季國際DRAM大廠轉(zhuǎn)進DDR3相當積極，導致DDR2出貨量減少效應持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價漲幅高達31%、現(xiàn)貨價格漲幅亦高達30%，漲幅與DDR3不惶多讓。 第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價
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LED電視市場全面啟動 預計2010年達400萬臺
- 2009年“十·一”之前，中國彩電市場海信、三星等12個主流品牌的LED電視產(chǎn)品已陸續(xù)上市，尺寸范圍涵蓋了19英寸到65英寸，共50多款產(chǎn)品，中國電子商會副秘書長陸刃波表示，LED電視在中國市場經(jīng)歷了一年多的發(fā)展，產(chǎn)品陣容初具規(guī)模，并逐步實現(xiàn)在大中城市消費者認知增長。 據(jù)中國電子商會消費電子產(chǎn)品調(diào)查辦公室調(diào)研數(shù)據(jù)預測：2009全年LED電視國內(nèi)市場消費規(guī)模接近100萬臺，只相當于全年平板電視消費總量的5%，LED電視還有很大的市場增長空間，樂觀估計2010年
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消費性IC明年醞釀跳躍復蘇 明年1Q將現(xiàn)庫存回補潮
- 近期包括Sony、三星電子(Samsung Electronics)等消費性電子大廠財報頻報喜，紛優(yōu)于預期，相關(guān)IC設計業(yè)者在第3季法說會亦陸續(xù)對2009年第4季及2010年釋出樂觀展望，雖然部分客戶第4季開始進行庫存調(diào)整，但臺系IC設計業(yè)者均認為，在耶誕銷售旺季后，客戶庫存水位降低，2010年首季可望回補庫存，確立消費性IC廠先蹲后跳的復蘇走勢。 芯片龍頭廠英特爾(Intel)率先公布第3季財報優(yōu)于預期，并樂觀預測第4季業(yè)績可望繼續(xù)成長;三星則呼應英特爾預期第4季景氣將受消費性電子產(chǎn)品季節(jié)性需
- 關(guān)鍵字： Samsung IC設計 STB
三星：2010存儲芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況
- 10月28日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內(nèi)將半導體業(yè)務營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。 三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業(yè)務營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。 三星指出，明年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。 韓國三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預估，公司發(fā)言人士也確認了這項消
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