三星電子 文章 進入三星電子技術(shù)社區(qū)
韓存儲器芯片微細(xì)制程比重占優(yōu)勢
- 據(jù)韓國媒體報道,韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢,維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán),尤其40納米等級微細(xì)制程擴大,使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大,在2011年第1季寫下不錯成績,其它DRAM業(yè)者因轉(zhuǎn)換制程時機較晚,第1季營收多不理想。 據(jù)報道,三星電子(SAMSung ElectrONics)和海力士(Hynix)等韓國DRAM半導(dǎo)體業(yè)者40納米等級制程比重超過50%以上。而美國美光(Micron)、日本爾必達(Elpida)、臺廠南亞等競爭業(yè)者40納米等級制程比重未滿
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NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換
- 2011年全球NAND Flash中,全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭,市占率高達36.2%,緊追在后的是東芝(Toshiba),市占率達35.1%,兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計,2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%,營收成長9.9%,達53.63億美元。 2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多,最大影響當(dāng)屬日本311東北強震,對
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日本震后 DRAM現(xiàn)貨價轉(zhuǎn)趨觀望
- 日本地震后2天期間,曾出現(xiàn)上升走勢的DRAM現(xiàn)貨價格已轉(zhuǎn)趨觀望,由于日本半導(dǎo)體、LCD業(yè)者受損情況并不嚴(yán)重,依照恢復(fù)的情況,IT產(chǎn)業(yè)整體需求將會不同,因而市場上再度回到觀望的氣氛。 日前南韓各大廠紛紛預(yù)測DRAM價格將于2011年第1季觸底,三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等與貿(mào)易商協(xié)商,可能會提高每個月進行2次調(diào)整的部分合約價格。 在地震后短暫出現(xiàn)升幅的DRAM現(xiàn)貨價格又再度來到持平局面。外電引述DRAMeXange調(diào)查指出,最近DRAM主要產(chǎn)品DD
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三星電子將把今年系統(tǒng)芯片的銷售額提高43%
- 三星電子周三表示,預(yù)計今年系統(tǒng)芯片的銷售額將增長43%,受益于智慧型手機和平板電腦越加流行。 三星電子發(fā)言人稱,三星電子旗下系統(tǒng)LSI部門總裁NS Woo在三星集團高層的每周例會上作出上述表示。 "NS Woo稱,三星電子預(yù)計今年將把系統(tǒng)LSI銷售額從去年的7萬億(兆)韓圜提高至大約10萬億韓圜(88.9億美元)。"這位發(fā)言人表示。 三星電子押注于系統(tǒng)芯片業(yè)務(wù),以此幫助抵消記憶體芯片需求放緩的影響。 三星電子是全球最大記憶體芯片生產(chǎn)企業(yè),但在非記憶體芯片處理
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