三星電子 文章 進入三星電子技術社區(qū)
三星電子 進駐亦莊“硅谷”
- 記者從亦莊經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)管委會獲悉，三星電子株式會社(以下簡稱三星電子)將正式入駐亦莊內(nèi)的“移動硅谷”，這也是該區(qū)域2010年首家入駐的世界500強企業(yè)。 記者了解到，三星電子與中電華通通信有限公司的戰(zhàn)略合作協(xié)議是在2月9日簽署的。 根據(jù)協(xié)議，三星電子將與中電華通共同開展戰(zhàn)略合作，為中電華通研發(fā)與制造設備及相關物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡設備。 同時三星電子還參與開發(fā)區(qū)中電華通無線寬帶物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園的建設。 據(jù)了解，“移動硅谷”計劃于2009年12月
- 關鍵字： 三星電子 物聯(lián)網(wǎng)
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
- 三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%，能為數(shù)據(jù)中心、服務器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。 三星指出，目前服務器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內(nèi)存條，總?cè)萘孔畲?6GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內(nèi)存子系統(tǒng)功耗可達210W，換
- 關鍵字： 三星電子 40nm DDR3
三星與ARM深推動未來移動和消費電子產(chǎn)品圖形處理能力
- 世界領先的先進半導體解決方案供應商三星電子與ARM公司近日在于巴塞羅那舉行的世界移動通信大會上共同宣布：三星電子已經(jīng)采用ARM Mali圖形處理器架構，用于未來具有圖形處理功能的片上系統(tǒng)(SoC)IC芯片以及其ASIC和代工業(yè)務。該協(xié)議標志著雙方在圖形技術上的長期戰(zhàn)略合作。 三星電子擁有為眾多市場開發(fā)基于ARM技術的尖端、復雜的片上系統(tǒng)的豐富經(jīng)驗，這些市場包括手機、家庭娛樂和導航應用。Mali圖形技術滿足了從汽車電子到家庭娛樂等眾多領域中的產(chǎn)品對先進的互動圖形處理的需求。 三星電子系統(tǒng)大規(guī)
- 關鍵字： 三星電子 SoC ASIC ARM
各國經(jīng)濟刺激計劃帶動全球半導體產(chǎn)業(yè)復蘇
- 全球的半導體產(chǎn)業(yè)正在復蘇。各國推出的大規(guī)模經(jīng)濟刺激計劃讓平板電視和智能手機需求大增，市場價格快速回升。據(jù)日本共同社報道，包括日本公司在內(nèi)的半導體企業(yè)整體業(yè)績也大幅改觀。市場上也出現(xiàn)韓國三星電子和東芝將進行大型設備投資的傳言。為了行業(yè)的真正復蘇，各公司為開發(fā)新的節(jié)能產(chǎn)品，加強競爭力的戰(zhàn)略將受到考驗。 2008年秋季爆發(fā)的經(jīng)濟危機導致需求銳減，半導體行業(yè)陷入全球性的危機。日立公司08財年出現(xiàn)高達8000億日元(約合600億元人民幣)的凈損失，創(chuàng)下國內(nèi)制造業(yè)之最，其中一個重要原因就是半導體業(yè)務的不濟。
- 關鍵字： 三星電子 半導體 平板電視 智能手機
三星電子計劃斥資6億美元興建新研發(fā)中心
- 韓國政府官員表示三星電子正計劃斥資7000億韓元(6.045億美元)在韓國興建一座新的研發(fā)中心并招聘1000名研究人員。 三星是全球第一大電視機制造商和第二大手機制造商。韓國京畿道官員表示，三星已經(jīng)設立了一個工作組來負責該研發(fā)中心的建設工作。該研發(fā)中心預計將覆蓋三星電子所有七大業(yè)務，包括半導體、顯示器、電視機和手機。 京畿道官員表示，三星計劃在周一同京畿道簽署一項諒解備忘錄，在京畿道水原市興建一座新的研發(fā)中心。三星首席執(zhí)行官崔志成和京畿道知事金文洙將出席在水原市三星總部舉行的簽約儀式。
- 關鍵字： 三星電子 半導體 顯示器 電視機 手機
傳歐盟將起訴三星等內(nèi)存芯片廠商操縱價格
- 消息人士透露，歐盟監(jiān)管機構計劃對三星電子、英飛凌、海力士等十家內(nèi)存芯片廠商提供訴訟，指責這些廠商操控價格，違背歐盟反壟斷法規(guī)。 消息人士稱，歐盟委員會的指控有可能在本周或下周做出。三星電子和海力士分別是全球最大和第二大的內(nèi)存芯片廠商。歐盟將起訴的公司還包括美光、爾必達、NEC電子、日立、東芝、三菱電機和南亞科技。 去年12月份英飛凌就曾透露，歐盟反壟斷機構從2009年2月就開始對英飛凌進行正式調(diào)查，懷疑英飛凌在歐洲D(zhuǎn)RAM產(chǎn)品市場存在反競爭行為。DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片被廣泛應用
- 關鍵字： 三星電子 內(nèi)存芯片
美國09年專利前25名出爐 三星電子緊隨IBM
- 湯森路透知識產(chǎn)權解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級專利權人》(2009 Top Patentees) 的分析結果，對過去一年在美國獲得專利最多的前25家公司進行排名。這項研究發(fā)現(xiàn)，在這25家頂級公司中，無一家中國大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國IBM公司以4843項專利位列第一， 韓國三星電子和美國微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權名單還包括11家日本公司，中國臺灣、芬蘭和德國各一家公司。 2009年美國專利權人 TOP25 亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專利權名單的56%，而日
- 關鍵字： 三星電子 芯片 LCD DRAM
三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片
- 三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。 三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
- 關鍵字： 三星電子 DRAM 30nm DDR3
三星的“致命傷”——過渡依賴芯片產(chǎn)品
- 導讀：《朝鮮日報》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷售業(yè)績在很大程度上依賴于芯片產(chǎn)品，而芯片的營業(yè)利潤容易根據(jù)市場環(huán)境起伏不定，這也被認為是三星的“致命弱點”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會面臨更大的危機。 以下為全文： 三星電子在韓國企業(yè)史上第一個實現(xiàn)“銷售額100萬億韓元、營業(yè)利潤10萬億韓元”的業(yè)績，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國《金融時報》29日報道稱：“從長遠來看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
- 關鍵字： 三星電子 芯片 LCD DRAM
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