三極管 文章 進入三極管技術(shù)社區(qū)
通俗易懂講解三極管
- 三極管有三個工作狀態(tài)；截止、放大、飽和；放大狀態(tài)很有學(xué)問也很復(fù)雜，多用于集成芯片，比如運放，現(xiàn)在不討論；其實對信號的放大我們通常用運放處理。三極管更多的是當做一個開關(guān)管來使用，且只有截止、飽和兩個狀態(tài)。截止狀態(tài)看作是“關(guān)”，飽和狀態(tài)看作是“開”；Ib≥1mA時，完全可以保證三極管工作在飽和狀態(tài)，對于小功率的三極管此時Ic為幾十到幾百mA，驅(qū)動繼電器、蜂鳴器等功率器件綽綽有余。把三極管箭頭理解成一個開關(guān)，如圖1為NPN型三極管，按下開關(guān)S1，約1mA的Ib流過箭頭，箭尾比箭頭電壓高0.6V~0.7V（鉗位電
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三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？
- MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rc
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這篇把三極管工作原理分析透徹了！
- 關(guān)于三極管，我相信每個搞硬件的應(yīng)該都有看過基本原理，現(xiàn)在我們算是溫故而知新，那么最好是帶著問題去看。這里準備了幾個問題，我們帶著這幾個問題往下看?！?集電結(jié)為何會發(fā)生反偏導(dǎo)通并產(chǎn)生Ic，這看起來與二極管原理強調(diào)的PN結(jié)單向?qū)щ娦韵嗝??！?放大狀態(tài)下集電極電流Ic為什么會只受控于電流Ib而與電壓無關(guān)；即：Ic與Ib之間為什么存在著一個固定的放大倍數(shù)關(guān)系。雖然基區(qū)較薄，但只要Ib為零，則Ic即為零?！?飽和狀態(tài)下，Vc電位很弱的情況下，仍然會有反向大電流Ic的產(chǎn)生。以上這三點，都是為什么？很多教科書對于這部
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2個NPN三極管組成的恒流電路，如何工作？
- 根據(jù)T2三極管Vbe鉗位，知道了T1發(fā)射極電壓，得出Ie的電流，Ic等于Ie，Ic有了，集電極電壓有了，可以算出Vce是合理的，即假設(shè)成立，T1工作在發(fā)放大區(qū)。兩個NPN三極管組成的恒流電路是如何工作的？今天簡單分析下，并且仿真看一下帶載能力如何。2個NPN組成恒流T1和T2為兩個NPN三極管。R1=1K，用來模擬負載，AM1為電流表，R4=100R，為恒流設(shè)置電阻。首先要判斷兩個三極管工作在何種狀態(tài)？假設(shè)T1工作在放大區(qū)，那么就滿足等式Ic=βIb，Ie=Ic+Ib，一般β是幾十到幾百，忽略Ib，Ie約
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電子工程師必備！40個模擬電路小常識
- 隨著半導(dǎo)體技術(shù)和工藝的飛速發(fā)展，電子設(shè)備得到了廣泛應(yīng)用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門很基礎(chǔ)的課，對于學(xué)生來說，獲得電子線路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學(xué)習(xí)電子技術(shù)打下基礎(chǔ)。1. 電接口設(shè)計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。2. 穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結(jié)具有
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在做開關(guān)電路時，三極管限流電阻該如何選擇？
- 三極管做開關(guān)電路是很常見的一種電路，基本上所有電子設(shè)備都有對其電路的應(yīng)用，那么在做開關(guān)電路時，三極管限流電阻該如何選擇呢？這個問題沒有理清楚，可能將會使你的電路設(shè)計存在漏洞。
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怎么選擇三極管和場效應(yīng)管，看這篇就夠了
- 隨著電子設(shè)備升級換代的速度，大家對于電子設(shè)備性能的標準也愈來愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會運用到性能更好的電子元器件——場效應(yīng)晶體管，因此正確挑選場效應(yīng)晶體管是硬件工程師常常碰到的難點之一，也是極其重要的1個環(huán)節(jié)，場效應(yīng)晶體管的挑選，有可能直接影響到一整塊集成運放的速率和制造費，挑選場效應(yīng)晶體管，可以從下列六大技巧下手。
- 關(guān)鍵字： 三極管 場效應(yīng)管
三極管放大電路設(shè)計步驟詳解
- 設(shè)計步驟 1) 分析設(shè)計要求 電壓增益可以用于計算電壓放大倍數(shù);最大輸出電壓可以用于設(shè)置電源電壓 輸出功率可以用于計算發(fā)射極電流;在選擇晶體管時需要注意頻率特性?！ ?)確定電源電壓 在第一個圖中我們觀察到最大輸出電壓幅值為5V， 三極管輸出電壓幅度由Vc極電壓決定，而Vc端的電壓要設(shè)置為電源電壓的1/2左右。在這里我們設(shè)置為電源電壓為15V (為了使信號正負能有對稱的變化空間,在沒有信號輸入的時候,即信號輸入為0,假設(shè)Uce為電源電壓的一半,我們當它為一水平線,作為一個參考點。當輸入信號
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三極管介紹
什么是三極管
三極管在中文含義里面只是對三個腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說的三極管，可能是如下幾種器件，
可以看到，雖然問都叫三極管，其實在英文里面的說法是千差萬別的，三極管這個詞匯其實也是中文特有的一個象形意的詞匯
電子三極管 Triode
雙極型晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型場效應(yīng)管 Junction gate F [ 查看詳細 ]
三極管電路
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