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三菱電機(jī) 文章進(jìn)入三菱電機(jī)技術(shù)社區(qū)

更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊

摘要本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機(jī)LV100封裝中實(shí)現(xiàn)了1800
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第4講：SiC的物理特性

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
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第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復(fù)合體的混合位錯。就密度而言，最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個/cm2，位錯的密度約為103～10?長達(dá)個/cm2。至今，與Si相
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第2講：三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史

三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史，從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機(jī)一直致力于開發(fā)和應(yīng)用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史。三菱電機(jī)從上世紀(jì)90年代已經(jīng)開始啟動SiC相關(guān)的研發(fā)工作。最初階段，SiC晶體的品質(zhì)并不理想，適合SiC的器件結(jié)構(gòu)和制造工藝仍處于探索階段，但研發(fā)人員堅(jiān)信SiC MOSFET是能夠最大限度發(fā)揮SiC材料優(yōu)異物理性能的器件，因此一直致力于相關(guān)研發(fā)。三菱電機(jī)于2003年開發(fā)出耐壓2
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三菱電機(jī)將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn)，預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開始供應(yīng)。公開消息顯示，安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司，三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同，前者以“多個離散元件組合
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) 安世 SiC 功率半導(dǎo)體

Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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三菱電機(jī)和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)將與Nexperia（安世）合力開發(fā)SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機(jī)株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大，并有助于推動Si
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Denso和三菱電機(jī)10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務(wù)

Denso和三菱電機(jī)宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司。據(jù)外媒，日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機(jī)宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導(dǎo)體材料、網(wǎng)絡(luò)及激光供應(yīng)商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權(quán)（兩家日企合計(jì)取得25%股權(quán)）。據(jù)悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設(shè)立的SiC業(yè)務(wù)子公司。Denso與三菱電機(jī)將向該公司采購
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三菱電機(jī)和Coherent宣布合作，瞄準(zhǔn)8英寸SiC襯底

近日，美國激光技術(shù)與加工系統(tǒng)供應(yīng)商Coherent和三菱電機(jī)宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄（MOU）并達(dá)成項(xiàng)目合作，將在200毫米技術(shù)平臺上擴(kuò)大SiC電力電子產(chǎn)品的規(guī)?；a(chǎn)。三菱電機(jī)宣布在截至2026年3月的五年內(nèi)投資約2600億日元。其中，大約1000億日元將用于建設(shè)基于200mm技術(shù)平臺的SiC功率器件新工廠，并加強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備。根據(jù)諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機(jī)未來在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件開發(fā)200毫米n型4H SiC襯底。資料顯示，Coherent于1966年成立于美國加利福尼亞
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1800億只三菱電機(jī)成就半導(dǎo)體行業(yè)“專精特新”

1800億只，是寧波康強(qiáng)電子股份有限公司沖壓引線框架的年產(chǎn)能。從1992年開始，康強(qiáng)電子深耕半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域，以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動，穿越行業(yè)周期，不斷發(fā)展壯大。其三大業(yè)務(wù)領(lǐng)域引線框架、鍵合絲與電極絲均為國內(nèi)翹楚，其中引線框架產(chǎn)銷量在國內(nèi)同行中連續(xù)數(shù)年排名第一，全球市場占有率位居前七，榮獲“中國半導(dǎo)體材料十強(qiáng)企業(yè)”“中國電子材料50強(qiáng)企業(yè)”等榮譽(yù)稱號。2022年10月，國家級第四批專精特新“小巨人”企業(yè)的認(rèn)定，不僅堅(jiān)定了康強(qiáng)電子在這一細(xì)分領(lǐng)域的發(fā)展信心，更為三菱電機(jī)謀劃未來打開了新的機(jī)遇之窗?？蛻敉袋c(diǎn)：精益求
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三菱電機(jī)推出“SLIMDIP-Z”功率半導(dǎo)體模塊

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導(dǎo)體模塊將于2023年2月發(fā)布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應(yīng)用于家用電器逆變器系統(tǒng)。該緊湊型模塊將使SLIMDIP?系列能夠滿足逆變器單元更廣泛的功率和尺寸需求，有助于簡化和縮小空調(diào)、洗衣機(jī)和冰箱等多功能和復(fù)雜產(chǎn)品的體積。30A的高額定電流將助力簡化和縮小家電應(yīng)用中的逆變器系統(tǒng)三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導(dǎo)體模塊將于2023年2月發(fā)布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應(yīng)用于家用電器逆變器系統(tǒng)。該緊湊型模塊將使SLIMDI
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三菱電機(jī)宣布退出液晶面板生產(chǎn)業(yè)務(wù)

　　據(jù)三菱電機(jī)官網(wǎng)消息，該公司決定退出液晶面板生產(chǎn)，其全資子公司Melco Display Technology Inc。（MDTI）將于2022年6月結(jié)束TFT-LCD模組生產(chǎn)。圖源：鉅亨網(wǎng)　　官網(wǎng)顯示，MDTI于2002年4月成立，公司預(yù)定以法人身份進(jìn)行清算，在該公司工作的約 430 名員工，也將異動至動力半導(dǎo)體等部門。不過該公司位于日本熊本縣菊池市的工廠，目前還尚未決定如何處置。　　據(jù)悉，三菱電機(jī)的LCD業(yè)務(wù)目前主要集中于工業(yè)和汽車用中小
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三菱電機(jī)研發(fā)激光雷達(dá)解決方案助力自動駕駛安全可靠

近日，據(jù)外媒報道，日本三菱電機(jī)公司宣布已開發(fā)出一種緊湊的LiDAR（激光雷達(dá)）解決方案，據(jù)稱，該解決方案集成了微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），實(shí)現(xiàn)了超寬的水平掃描角度，可以準(zhǔn)確探測自動駕駛系統(tǒng)前方物體的形狀和距離。
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) 激光雷達(dá) 自動駕駛

向小功率和大功率延伸三菱電機(jī)五大新品看點(diǎn)

在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中，作為電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)元器件之一的功率半導(dǎo)體器件越來越得到重視與應(yīng)用。而中國作為需求大國，已經(jīng)占有約39％的市場份額，在中國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵時期，對功率半導(dǎo)體器件的需求將會越來越大。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受電壓能力達(dá)到6500V，并且實(shí)現(xiàn)了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) PCIM亞洲展 IGBT

開發(fā)全球IoT服務(wù)市場東芝SPINEX平臺選定電梯云端管理出發(fā)

日本電機(jī)大廠東芝(Toshiba)想靠物聯(lián)網(wǎng)(IoT)技術(shù)重建事業(yè)，推出自身的物聯(lián)網(wǎng)平臺SPINEX，但物聯(lián)網(wǎng)事業(yè)需電信廠商配合才能成事，因此東芝在2019年4月23日發(fā)布新聞，該廠決定與日本電信大廠KDDI進(jìn)行物聯(lián)網(wǎng)事業(yè)合作，朝海外發(fā)展，首先在5月展開電梯的云端監(jiān)視服務(wù)事業(yè)研究。
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) 東芝 KDDI FANUC 物聯(lián)網(wǎng)云端平臺

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三菱電機(jī)介紹

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第5講：SiC的晶體缺陷

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