東風(fēng) 文章進(jìn)入東風(fēng)技術(shù)社區(qū)

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
關(guān)鍵字： IGBT 碳化硅東風(fēng) 智新半導(dǎo)體

近日消息，從東風(fēng)汽車官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項(xiàng)目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實(shí)現(xiàn)10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項(xiàng)
關(guān)鍵字：東風(fēng) 碳化硅功率模塊 IGBT

東風(fēng)汽車旗下車型的智能化水平有望得到大的提升。９月２３日，東風(fēng)騰訊車聯(lián)網(wǎng)安全實(shí)驗(yàn)室和東風(fēng)汽車－中國移動５Ｇ車聯(lián)網(wǎng)實(shí)驗(yàn)室在東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司正式揭牌，這意味著東風(fēng)汽車在智能化、網(wǎng)聯(lián)化等技術(shù)方面啟動了實(shí)質(zhì)性的一步。
關(guān)鍵字：東風(fēng) 車聯(lián)網(wǎng) ５Ｇ

　　隨著社會對汽車節(jié)能、環(huán)保、安全要求的日益嚴(yán)格以及人們對乘坐舒適性、駕駛便捷性要求的日益提升，電子化、信息化、網(wǎng)絡(luò)化和智能化成為汽車產(chǎn)品先進(jìn)性的重要體現(xiàn)。當(dāng)前世界汽車工業(yè)約70%的技術(shù)創(chuàng)新來源于電子技術(shù)的應(yīng)用。　　世界各大汽車公司、汽車電子公司和半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商均十分重視汽車電子技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用，技術(shù)創(chuàng)新取得不少優(yōu)秀成果。　　國內(nèi)汽車電子技術(shù)開發(fā)成效顯著　　相比當(dāng)前世界快速發(fā)展的汽車電子技術(shù)，我國的汽車電子技術(shù)基礎(chǔ)薄弱、缺少自主核心技術(shù)和技術(shù)積累，還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能適應(yīng)汽車工業(yè)的發(fā)展需要。但我們欣喜
關(guān)鍵字：東風(fēng) 汽車電子半導(dǎo)體芯片

共4條 1/1 1

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條東風(fēng)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對東風(fēng)的理解，并與今后在此搜索東風(fēng)的朋友們分享。創(chuàng)建詞條