二維半導(dǎo)體文章進(jìn)入二維半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

復(fù)旦最新成果：用于規(guī)模化集成電路制造的12英寸高質(zhì)量二維半導(dǎo)體問世

　　半導(dǎo)體材料是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石。目前，隨著晶體管特征尺寸的縮小，由于短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，主流硅基材料與CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)正發(fā)展到10納米工藝節(jié)點(diǎn)而很難提升，摩爾定律可能終結(jié)。　　因此，開發(fā)新型高性能半導(dǎo)體溝道材料和新原理晶體管技術(shù)，是科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界近20年來的主流研究方向之一。在眾多CMOS溝道材料體系中，相比于一維納米線和碳納米管，高遷移率二維半導(dǎo)體的器件加工與傳統(tǒng)微電子工藝兼容更好，同時(shí)其超薄平面結(jié)構(gòu)可有效抑制短溝道效應(yīng)，被認(rèn)為是構(gòu)筑后硅時(shí)代納電子器件和數(shù)字
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　　傳統(tǒng)上，當(dāng)半導(dǎo)體材料越薄，其缺陷對于電子、光電元件的效能就有越嚴(yán)重的影響，一直是難以突破的困境。臺灣大學(xué)跨國團(tuán)隊(duì)研發(fā)出獨(dú)步全球的零缺陷半導(dǎo)體材料，透過“修復(fù)缺陷”簡單方法，讓單層二維半導(dǎo)體材料能達(dá)到零缺陷等級，可提升LED發(fā)光效能100倍。上月研究刊登在“科學(xué)”《Science》期刊?！　《S半導(dǎo)體材料具有特殊的電子傳導(dǎo)、光學(xué)、機(jī)械特性，可整合于現(xiàn)今半導(dǎo)體元件制程，被學(xué)界認(rèn)為有很大潛力取代傳統(tǒng)矽材原料，其中中二硫化鉬(MoS2)是最熱門的半導(dǎo)體二維材料之一，但以目前合成制備技術(shù)，二維材料的缺陷密度還是
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　　近日，中科院半導(dǎo)體所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團(tuán)隊(duì)中，與美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室(LBNL)汪林望博士研究組合作，在二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的基礎(chǔ)研究中取得新進(jìn)展。相關(guān)成果發(fā)表在9月30日美國化學(xué)學(xué)會主辦的《納米快報(bào)》(Nano Letters)上。　　半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)是由不同半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)構(gòu)。由于構(gòu)成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數(shù)、吸收系數(shù)等物理參數(shù)，異質(zhì)結(jié)將表現(xiàn)出許多不同于單一半導(dǎo)體材料的性質(zhì)。在傳統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域，以
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