互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

• 介紹了一種新型的相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的基本原理，設(shè)計(jì)了一種依靠電流驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路，整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路、偏置電流產(chǎn)生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結(jié)構(gòu)用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)，并采用中芯國(guó)際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)。
• 關(guān)鍵字： 相變存儲(chǔ)器  PCM  電流驅(qū)動(dòng)  基準(zhǔn)電壓  偏置電流  電流鏡  互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體