產(chǎn)綜研 文章 進入產(chǎn)綜研技術(shù)社區(qū)
產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學(xué)研制出采用強電介質(zhì)NAND閃存單元
- 日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學(xué)，聯(lián)合研制出了采用強電介質(zhì)柵極電場效應(yīng)晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲單元?？刹翆?億次以上，寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細化到30nm左右，而此次的存儲單元技術(shù)還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術(shù)。 此次，通過調(diào)整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
- 關(guān)鍵字： FeFET NAND閃存 東京大學(xué) 產(chǎn)綜研
產(chǎn)綜研分離金屬性與半導(dǎo)體性碳納米管
- 日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所日前提出了在單層碳納米管（SWCNT）中有選擇地分離金屬性SWCNT和半導(dǎo)體性SWCNT的方法。 首先在雙氧水中對金屬性SWCNT和半導(dǎo)體性SWCNT混合而成的市售SWCNT（金屬性SWCNT占1/3）進行熱處理，利用半導(dǎo)體性SWCNT先于金屬性SWCNT發(fā)生氧化和燃料的原理，成功地將金屬性SWCNT的含量濃縮到了80％。金屬性SWCNT有望作為透明電極材料取代ITO（銦錫氧化物）。另外，由于有望能夠?qū)WCNT結(jié)構(gòu)進行有選擇地控制，因此將來通過有選擇地提取半導(dǎo)體性
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體性 產(chǎn)綜研 金屬性 嵌入式系統(tǒng) 碳納米管
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