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低壓超級接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能
- 采用超級接面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，亦能達(dá)到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性，確保在兼顧 ...
- 關(guān)鍵字： 低壓 接面結(jié)構(gòu) 優(yōu)化MOSFET
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