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MOCVD生長GaN基藍(lán)光LED外延片的研究
- 一引言Ⅲ-V族氮化合物InN、GaN、AIN及其合金材料,其帶隙寬度從1.9eV至6.2eV,覆蓋了可見光及紫外光光譜的...
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低溫生長介紹
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