低漏電 文章 進(jìn)入低漏電技術(shù)社區(qū)
中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至40納米低漏電工藝
- 備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的IP供應(yīng)商Virage Logic公司 和中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯(lián)交所交易代碼：0981.HK)日前宣布其長期合作伙伴關(guān)系擴(kuò)展到40納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術(shù)。Virage Logic 公司和中芯國際從最初的130納米工藝合作起便為雙方共同的客戶提供具高度差異的 IP，涵蓋的工藝廣泛還包含90納米以及65納米。根據(jù)協(xié)議條款，系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計(jì)人員將能夠使用 Vi
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中芯國際攜手Synopsys拓展65納米低漏電工藝技術(shù)
- Synopsys 5月19日宣布開始提供用于中芯國際65納米低漏電工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗(yàn)證的和獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(quán)(IP)。在65nm技術(shù)日漸成為先進(jìn)IC產(chǎn)品市場主導(dǎo)的今天，中芯的這一舉措有助于其進(jìn)一步拓展65nm產(chǎn)品線，快速量產(chǎn)65納米低漏電工藝，加快客戶的產(chǎn)品上市時(shí)間。 DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專為各種高市場容量移動和消費(fèi)電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，這些應(yīng)用的關(guān)鍵要求包括要實(shí)現(xiàn)面積最小、低動態(tài)和泄
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低漏電介紹
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