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	體硅
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          基于SOI和體硅的FinFET對比研究
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應(yīng)。當(dāng)平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SOI  體硅  FinFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
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          體硅介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條體硅!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對體硅的理解，并與今后在此搜索體硅的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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