保護(hù)環(huán) 文章 進(jìn)入保護(hù)環(huán)技術(shù)社區(qū)
保護(hù)環(huán)對雙向可控硅靜電防護(hù)器件電容特性 的影響*
- 摘? 要:本文研究了P型保護(hù)環(huán)對雙向可控硅(DDSCR)靜電防護(hù)器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅(LVDDSCR)和帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在 高壓工藝下制備了不帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅(HVDDSCR)和帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅(HVDDSCR_ GR)器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性,同時利用傳輸線脈沖(TLP)測試儀 分析了它們的靜電性能。結(jié)果表明,保護(hù)環(huán)的增加對器件靜電防護(hù)能力無較大影響,但在1?
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使用保護(hù)環(huán)的反相放大器電路
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保護(hù)環(huán)介紹
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