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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來(lái)學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 保護(hù)

保護(hù) 文章進(jìn)入保護(hù)技術(shù)社區(qū)

高性能戶外LED照明保護(hù)方案

隨著LED成本的不斷下降，以及各國(guó)政府對(duì)節(jié)能環(huán)保的日益重視，LED燈的市場(chǎng)前景變得越來(lái)越廣闊。高亮度LED燈已經(jīng)出現(xiàn)在各種各樣場(chǎng)合，從戶外廣告牌、電視LED背光燈到交通信號(hào)燈、機(jī)場(chǎng)跑道導(dǎo)航燈等等。LED燈的優(yōu)勢(shì)也表現(xiàn)
關(guān)鍵字： LED 性能保護(hù) 方案

嵌入式以太網(wǎng)的變電站間隔層保護(hù)系統(tǒng)研究

嵌入式以太網(wǎng)的變電站間隔層保護(hù)系統(tǒng)研究,摘要：結(jié)合IEC 61850標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)內(nèi)電力系統(tǒng)發(fā)展現(xiàn)狀，針對(duì)數(shù)字化變電站過(guò)渡方案中的間隔層保護(hù)系統(tǒng)進(jìn)行硬件及軟件設(shè)計(jì)。詳細(xì)分析了裝置功能的劃分、實(shí)時(shí)任務(wù)優(yōu)先級(jí)設(shè)計(jì)及任務(wù)間通信的實(shí)現(xiàn)。實(shí)踐表明該設(shè)計(jì)系統(tǒng)能夠滿足間
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 研究保護(hù) 間隔以太網(wǎng) 變電站嵌入式

3G手機(jī)顯示屏和照相機(jī)模塊的ESD保護(hù)

豐富多媒體業(yè)務(wù)推動(dòng)3G手機(jī)中LCD顯示屏和照相機(jī)的分辨率走上一個(gè)又一個(gè)新臺(tái)階。不過(guò)，將顯示屏和照相模塊連接到基帶電路或者多媒體處理器之間的接口設(shè)計(jì)將面臨更嚴(yán)重的ESD、EMI問(wèn)題。下面討論的來(lái)自意法半導(dǎo)體(ST)的方
關(guān)鍵字： ESD 保護(hù) 模塊照相機(jī) 手機(jī) 顯示屏 3G

使用BUS端口保護(hù)陣列實(shí)現(xiàn)有源ESD保護(hù)的設(shè)計(jì)方案

許多便攜式應(yīng)用需要超過(guò)8kV的ESD保護(hù)，同時(shí)將電容保持在5pF以下。Z二極管能夠單獨(dú)滿足這一要求，但當(dāng)與開(kāi)關(guān)或結(jié)型二極管等低電容PN二極管相結(jié)合時(shí)，它們可同時(shí)滿足該應(yīng)用的以下兩種要求：低電容，以及高ESD和浪涌抗擾
關(guān)鍵字：保護(hù) ESD 設(shè)計(jì) 有源方案實(shí)現(xiàn) BUS 陣列使用

ESD保護(hù)手機(jī)器件pcb設(shè)計(jì)

目前普遍接受的關(guān)鍵ESD保護(hù)電壓水平約為500V。在這一水平，芯片成本增加得較合理，良率水平也不會(huì)受到損害。這是因?yàn)榈湫偷木A廠和裝配車間有將ESD限制在500V或以下的政策。目前業(yè)內(nèi)最常見(jiàn)的板級(jí)ESD保護(hù)器件主要有以
關(guān)鍵字： pcb 設(shè)計(jì) 器件手機(jī) 保護(hù) ESD

采用雙軸加速度計(jì)保護(hù)硬盤驅(qū)動(dòng)器

隨著筆記本電腦（NB）、便攜式媒體播放器（PMP）和個(gè)人數(shù)字助理（PDA）等便攜產(chǎn)品的應(yīng)用日趨廣泛，硬盤驅(qū)動(dòng)器的需求也水漲船高。與此同時(shí)，這些產(chǎn)品也迫切需要避免因用戶不慎使其墜地而給硬盤帶來(lái)的嚴(yán)重?fù)p害?！　?/li>
關(guān)鍵字：雙軸加速度計(jì) 保護(hù) 硬盤驅(qū)動(dòng)器

大電流變流裝置過(guò)電壓智能保護(hù)模塊設(shè)計(jì)

引言大電流直流電是冶金、化工及有色加工行業(yè)必不可少的供電電源，如今在國(guó)內(nèi)比較常用的為以飽和電抗器調(diào)壓、整流變壓器降壓整流管整流的方案和以整流變壓器直接降壓、晶閘管整流的方案，由于這兩種方案都屬于對(duì)工頻
關(guān)鍵字：保護(hù) 模塊設(shè)計(jì) 智能過(guò)電壓變流裝置電流

如何保護(hù)汽車逆變器設(shè)計(jì)中的功率晶體管

隨著油電混合車和電動(dòng)車技術(shù)的演進(jìn)，逆變器驅(qū)動(dòng)技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入汽車領(lǐng)域，從空調(diào)機(jī)和加熱系統(tǒng)等低功率應(yīng)用，一直到驅(qū)動(dòng)和再生制動(dòng)系統(tǒng)等高功率應(yīng)用，所有這些系統(tǒng)的共通點(diǎn)是需要通過(guò)保護(hù)逆變器設(shè)計(jì)中的功率開(kāi)關(guān)晶體管來(lái)
關(guān)鍵字：保護(hù) 汽車逆變器功率晶體管

矢量控制高壓變頻器過(guò)流保護(hù)

高壓變頻器采用的是矢量控制模型，目前高壓變頻器大多使用矢量控制方式來(lái)控制感應(yīng)電機(jī)及同步電機(jī)。圖1-1給出了一種高壓變頻器的矢量控制算法簡(jiǎn)圖。它由以下幾個(gè)基本模塊組成：馬達(dá)模型、電流調(diào)節(jié)器、磁通與速度調(diào)節(jié)器
關(guān)鍵字：保護(hù) 變頻器高壓控制矢量

車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
關(guān)鍵字： MOSFET 車用保護(hù) 性能

個(gè)人車載電子系統(tǒng)端口和電源保護(hù)設(shè)計(jì)

　在車載電子系統(tǒng)中，信息娛樂(lè)(Infotainment)系統(tǒng)是發(fā)展最為迅速的部分，它主要可分為三大類：音頻(CD)、視頻(DVD)以及導(dǎo)航和遠(yuǎn)程信息服務(wù)。最新的進(jìn)展已經(jīng)可以將USB、MP3、藍(lán)牙、iPod和杜比帶入車內(nèi)。圖1為新的車載
關(guān)鍵字：保護(hù) 設(shè)計(jì) 電源子系車載電子個(gè)人

鋰電池過(guò)充電、過(guò)放電、短路保護(hù)電路詳解

該電路主要由鋰電池保護(hù)專用集成電路DW01，充、放電控制MOSFET1(內(nèi)含兩只N溝道MOSFET)等部分組成，單體鋰電池接在B+和B-之間，電池組從P+和P-輸出電壓。充電時(shí)，充電器輸出電壓接在P+和P-之間，電流從P+到單體電池的
關(guān)鍵字：電路詳解保護(hù) 短路充電放電鋰電池

光伏電池板的旁路二極管保護(hù)分析

肖特基勢(shì)壘整流器一般用在單晶硅和多晶硅光伏(PV)面板的旁路二極管中，在出現(xiàn)低分流和高分流阻抗時(shí)，保護(hù)過(guò)熱點(diǎn)的光伏電池(參考圖1)。　　
　　圖1A，電池板中的低分流阻抗單元　　　　圖1B，電池板中的高分流阻抗
關(guān)鍵字：分析保護(hù) 二極管旁路電池板

MSP430F149在電力測(cè)控保護(hù)產(chǎn)品中的應(yīng)用及需注意的問(wèn)題

摘要：介紹使用MSP430F149在電力測(cè)控保護(hù)產(chǎn)品研制中實(shí)現(xiàn)基本參數(shù)測(cè)量的軟硬件設(shè)計(jì)方法，及該芯片在使用中應(yīng)用注意的問(wèn)題和相應(yīng)的處理措施。MSP430F149（以下簡(jiǎn)稱“F149”）是德州儀器（TI）公司推出超低功
關(guān)鍵字：注意問(wèn)題應(yīng)用產(chǎn)品電力保護(hù) MSP430F149

如何讓保護(hù)高溫環(huán)境下工作的壓力傳感器

如果壓力傳感器長(zhǎng)期處于高溫環(huán)境下工作，又不采取保護(hù)措施的話，它的主板的線路、零部件、密封圈以及機(jī)芯就有可能會(huì)燒壞。為了使傳感器能夠長(zhǎng)期正常的工作，就需要采取相應(yīng)的措施，下面把相關(guān)經(jīng)驗(yàn)跟大家分享一下。如
關(guān)鍵字：壓力傳感器工作環(huán)境保護(hù) 高溫如何

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保護(hù)介紹

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保護(hù)電路

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保護(hù)資料下載

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