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儲存元件文章進(jìn)入儲存元件技術(shù)社區(qū)

三星新儲存元件讓中端手機(jī)也享大容量

　　在Galaxy S6搭載最高128GB儲存容量后，三星似乎也計畫讓更多手機(jī)也能享有大容量，稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時最高儲存容量達(dá)128GB的3-bits-per-cell NAND Flash儲存元件，并且對應(yīng)每秒達(dá)260MB讀取速度表現(xiàn)，預(yù)期將使中階規(guī)格以下手機(jī)產(chǎn)品，以及多數(shù)存儲卡產(chǎn)品能在成本預(yù)算內(nèi)有更大儲存容量選擇。　　　　根據(jù)三星公布消息，預(yù)計將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時最高儲存容量達(dá)128GB的3-bit NAND Flash儲存
關(guān)鍵字：三星儲存元件

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儲存元件介紹

　　存儲元件　　計算機(jī)中主存儲器包括存儲體M，各種邏輯部件及控制電路等，存儲體由許多存儲單元組成，每個存儲單元又包含若干個存儲元件，每個存儲元件能寄存一位二進(jìn)制代碼“0”或“1”，存儲元件又稱為存儲基元、存儲元。一個存儲單元存儲一串二進(jìn)制代碼（存儲字），這串二進(jìn)制代碼的位數(shù)稱為存儲字長，存儲字長可以是8位、16位、32位等，如果把一個存儲體看做是一幢大樓，存儲單元看做是大樓里的每個房間，那么每 [ 查看詳細(xì) ]

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