充電損害 文章 進(jìn)入充電損害技術(shù)社區(qū)
為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)
- 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來臨時(shí)，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應(yīng)變得原來越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
- 關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì) 天線 天線效應(yīng) 充電損害 MOS
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