先進制程 文章 進入先進制程技術(shù)社區(qū)
英特爾 CEO：18A 制程優(yōu)于臺積電的 2nm
- 英特爾的先進制程發(fā)展腳步越邁越大。
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高通、英偉達、AMD、特斯拉等先進制程芯片，花落誰家？
- 蘋果、英偉達、AMD、高通和聯(lián)發(fā)科等都采用臺積電半導(dǎo)體制程生產(chǎn)最新芯片，部分芯片可能采用三星晶圓代工，但通常不是旗艦。 隨著三星過去幾個月良率提升，三星非常希望拿下部分訂單，例如3納米GAA制程。之前市場消息，高通Snapdragon 8 Gen 4可能采用雙代工廠策略，也就是同時采用臺積電的N3E制程技術(shù)和三星的SF3E制程技術(shù)。不過，目前高通和聯(lián)發(fā)科都計劃采用臺積電第二代3納米制程技術(shù)（N3E），制造Snapdragon 3 Gen 8和天璣4的芯片，并沒有所謂的雙來源計劃。三星在2022年6
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三大晶圓代工巨頭先進制程新進展
- 近期，英特爾執(zhí)行長基辛格表示，英特爾可如期達成4年推進5世代制程技術(shù)的目標。Intel 7制程技術(shù)已大量生產(chǎn)，Intel 4制程也已經(jīng)量產(chǎn)，Intel 3制程準備開始量產(chǎn)，Intel 20A制程將如期于2024年量產(chǎn)，Intel 18A制程將是5世代制程目標的終極制程，已確定相關(guān)設(shè)計規(guī)則。在AI、高性能計算等新興技術(shù)驅(qū)動下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進制程重要性日益凸顯，吸引臺積電、三星、英特爾積極布局。臺積電方面，該公司N3X、2nm工藝計劃2025年進入量產(chǎn)階段。臺積電介紹，公司將在2nm制程節(jié)點首度使用
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3納米市占超車美國對手 中砂拼先進制程 明年靚
- 再生晶圓暨鉆石碟大廠中砂6日舉辦法說會，發(fā)言人李偉彰副總指出，公司于研發(fā)階段便與客戶共同投入研發(fā)，過往持續(xù)擴增實驗室規(guī)模，于客戶先進制程逐漸斬獲成效，于3納米制程已經(jīng)獲得7成之市占，彎道超車美國競爭對手。李偉彰強調(diào)，未來在2納米甚至更先進制程，皆不會落下；伴隨線徑微縮極致的追求，耗材使用壽命只會愈來愈短，對耗材供應(yīng)系一大利多。 中砂第三季營收獲利逐步回溫，自第一季低點之后、逐季好轉(zhuǎn)，其中毛利率站回3成之水平，達到32％，營益率也回到17％，稅后純益達2.92億元，單季每股稅后純益（EPS）2.02元；前三
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先進制程之戰(zhàn)：三星/英特爾/臺積電動態(tài)跟蹤
- 近期，三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露，已開始跟大型芯片客戶接洽，準備提供1.4nm及2nm制程的服務(wù)。據(jù)朝鮮日報報道，對于三星率先量產(chǎn)3nm（環(huán)繞式閘極，gate-all-around，GAA）制程、大客戶方面卻不如臺積電的言論，Samsung Foundry科技長Jeong Ki-tae近日在韓國國際會議暨展示中心（COEX）舉行的2023年半導(dǎo)體博覽會（Semiconductor Expo 2023）表示，晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。三星正在跟大
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三大先進制程代工廠的路線圖
- 據(jù)集邦咨詢報道，臺積電、三星、英特爾等尖端制程代工廠紛紛發(fā)布 2nm 及以上制程路線圖，凸顯下一代 GAA 技術(shù)領(lǐng)先地位的開發(fā)競爭加速。大型晶圓廠的前沿工藝路線圖。請注意，這是 TrendForce 根據(jù)各公司公布的計劃創(chuàng)建的，不一定完全如圖所示（來源：TrendForce，截至 2023 年 9 月）臺積電將于 2025 年在寶山工廠開始量產(chǎn) 2nm 工藝關(guān)于產(chǎn)業(yè)龍頭臺積電，集邦科技將于 2024 年第二季開始在中國臺灣新竹科學(xué)園區(qū)寶山地區(qū)（新竹縣寶山鄉(xiāng)）的工廠安裝量產(chǎn) 2 納米（N2）制程的制造設(shè)備。
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晶圓代工大廠角逐先進制程迎新進展！
- AI、高性能計算等新興技術(shù)驅(qū)動下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進制程重要性日益凸顯。近期，產(chǎn)業(yè)迎來新進展：英特爾宣布Intel 4制程節(jié)點已大規(guī)模量產(chǎn)。與此同時，臺積電、三星同樣在積極布局先進制程技術(shù)。英特爾Intel 4制程節(jié)點已大規(guī)模量產(chǎn)10月15日，“英特爾中國”官方公眾號宣布，英特爾已于近日開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)Intel 4制程節(jié)點。官方表示，英特爾正以強大執(zhí)行力推進“四年五個制程節(jié)點”計劃，并將用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品，滿足AI推動下“芯經(jīng)濟”指數(shù)級增長的算力需求。作為英特爾首個采用極紫外光
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先進制程競爭升級，三星臺積電4納米正面交鋒
- 據(jù)韓媒Business Korea報道，三星電子將在今年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)第三代4納米芯片。報道稱，三星電子3月12日發(fā)布了一份商業(yè)報告，報告提到將在今年上半年開始2.3代（2.3-generation process）4納米工藝大規(guī)模生產(chǎn)。這是三星電子首次提到4納米新版本的具體量產(chǎn)時間。與4納米芯片的第一代產(chǎn)品SF4E相比，第二代和第三代產(chǎn)品顯示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圓面積。目前，業(yè)界已經(jīng)量產(chǎn)的最先進的半導(dǎo)體工藝制程為3納米，但市場主要產(chǎn)品仍為4納米和5納米芯片上，競爭廠商主要
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NXP：先進制程有助打造更高效率的運算架構(gòu)
- 物聯(lián)網(wǎng)被視為未來各種智能化系統(tǒng)的主要架構(gòu)，透過底層感測網(wǎng)絡(luò)、中間通訊傳輸與上層云端平臺的組合，讓信息無縫流動，進而延伸出更多應(yīng)用，賦予更智能的生活體驗。不過隨著物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用多元化、許多應(yīng)用或因功能安全或因直觀需要實時反應(yīng)，集中式運算的物聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)已難因應(yīng)所有領(lǐng)域，因此系統(tǒng)終端開始被賦予一定程度的運算能力，以提升實時反應(yīng)功能。 恩智浦(NXP)半導(dǎo)體大中華區(qū)資深營銷經(jīng)理黃健洲恩智浦(NXP)半導(dǎo)體大中華區(qū)資深營銷經(jīng)理黃健洲指出，而針對此一需求，在MCU已布局多年的NXP在2019年推出了i.MX RT
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半導(dǎo)體從業(yè)人員受訪時承認：技術(shù)落后2-3代
- 受美國制裁的影響，我國在半導(dǎo)體先進制程的發(fā)展速度上嚴重放緩。 日經(jīng)新聞采訪了7家中國主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商，大多數(shù)承認目前主要生產(chǎn)14納米至28納米的芯片，落后對手至少2到3代。日經(jīng)在今年3月的2021中國國際半導(dǎo)體展期間訪問了多家半導(dǎo)體公司，獲得了7家公司回復(fù)。大多受訪者坦承，中國半導(dǎo)體先進芯片制程發(fā)展速度已經(jīng)放緩，也表示美國制裁阻礙他們從國外采購零件和材料，但用國內(nèi)產(chǎn)品替代又會降低良品率。上海微電子是中國唯一一家商用光刻機制造商，一名工程師受訪表示：我們的主要光刻機是用于90納米制程的，而28納米和14
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明年資本支出 臺積將首超三星、英特爾
- 先進制程成為半導(dǎo)體巨擘兵家必爭之地，臺積電日前于法說會上初透口風，表示明年資本支將約略高于100億美元，主要將用于16奈米制程的產(chǎn)能布建及10奈米的準備工作。工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)則估，臺積電明年資本支出可望達到115億美元，超越英特爾、三星。 IEK分析，今年全球半導(dǎo)體廠商的資本支出估達643.6億美元、年增8.4%，其中三星、英特爾、臺積三強均超過百億美元。如此龐大的資本支出，即是由于在擴大產(chǎn)能之余，先進制程的研發(fā)投資成本亦跟著水漲船高。舉例來說，一條20奈米產(chǎn)線的投資金額就
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