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光刻技術(shù)
光刻技術(shù) 文章 進(jìn)入光刻技術(shù)技術(shù)社區(qū)
與EUV相比，這一光刻技術(shù)更具發(fā)展?jié)摿?/a>
- 對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言，光刻技術(shù)和設(shè)備發(fā)揮著基礎(chǔ)性作用，是必不可少的。所謂光刻，就是將設(shè)計(jì)好的圖形從掩模版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術(shù)。光刻技術(shù)最先應(yīng)用于印刷工業(yè)，之后長(zhǎng)期用于制造印刷電路板（PCB），1950 年代，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的興起，光刻技術(shù)開(kāi)始用于制造晶體管和集成電路（IC）。目前，光刻是 IC 制造過(guò)程中最基礎(chǔ)，也是最重要的技術(shù)。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上，光刻技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了多個(gè)階段，接觸/接近式光刻、光學(xué)投影光刻、分步（重復(fù)）投影光刻出現(xiàn)時(shí)間較早，集成電路生產(chǎn)主要采用掃描式光刻、浸沒(méi)式掃描光刻
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻技術(shù)
美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過(guò)不斷縮小電路
- 關(guān)鍵字： 美光 EUV 光刻技術(shù)
中科院研發(fā)者回應(yīng)5納米光刻技術(shù)突破ASML壟斷
- 今年7月，在中國(guó)科學(xué)院官網(wǎng)上發(fā)布了一則研究進(jìn)展，中科院蘇州所聯(lián)合國(guó)家納米中心在《納米快報(bào)》（Nano Letters）上發(fā)表了題為《超分辨率激光光刻技術(shù)制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的新型5 納米超高精度激光光刻加工方法。該論文發(fā)表在《納米快報(bào)》（NanoLetters）。圖截自官網(wǎng)ACS官網(wǎng) 消息一經(jīng)發(fā)出，外界一片沸騰，一
- 關(guān)鍵字： 中科院 光刻技術(shù) ASML
IMEC總裁：半導(dǎo)體讓未來(lái)世界更加美好
- 來(lái)自比利時(shí)的IMEC總裁LucVandenhove博士在2012年中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC2012)上帶來(lái)精彩的視頻動(dòng)畫，將會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)的人們帶到了2020年，使觀眾身臨其境感受未來(lái)的互聯(lián)時(shí)代。 IMEC展示的視頻中的2020年人們生活將實(shí)現(xiàn)隨時(shí)隨地的互聯(lián)。要想實(shí)現(xiàn)這樣的華麗的互聯(lián)技術(shù)，就需要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展為前提，需要半導(dǎo)體高新技術(shù)的支持。因此，在未來(lái)的10年里，將如何推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展擺在我們面前，這也正是Luc Van博士演講的所要說(shuō)的——“半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 光刻技術(shù)
誰(shuí)才是IC大佬們的光刻技術(shù)最愛(ài)？
- 臺(tái)積電與Globalfoundries是一對(duì)芯片代工行業(yè)的死對(duì)頭，不過(guò)他們對(duì)付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)(至少?gòu)膶?duì)外公布的路線圖上看是這樣)，而相比之下，臺(tái)積電的28nm制程則有HKMG和傳統(tǒng)的多晶硅柵+SION絕緣層兩種工藝可供用戶選擇。另外，兩者對(duì)待450mm技術(shù)的態(tài)度也不相同，臺(tái)積電是450mm的積極推進(jìn)者，而Globalfoundries及其IBM制造技術(shù)聯(lián)盟的伙伴們則對(duì)這項(xiàng)技術(shù)鮮有公開(kāi)表態(tài)。
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 光刻技術(shù)
英特爾專家揭示IC制程微縮所面臨的五大挑戰(zhàn)
- 芯片尺寸在接下來(lái)的幾年將持續(xù)微縮，不過(guò)芯片制造商也面臨許多挑戰(zhàn)。在美國(guó)舊金山舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上，英特爾(Intel)資深院士、制程架構(gòu)與整合總監(jiān)Mark Bohr列出32奈米以下制程節(jié)點(diǎn)遭遇的五大障礙/挑戰(zhàn)，也提出了有潛力的解決方案。 1. 光刻技術(shù)(patterning or lithography)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 光刻技術(shù) 晶體管 嵌入式內(nèi)存
光刻技術(shù)最新進(jìn)展
- 2004年6月A版 在摩爾定律的指引下，半導(dǎo)體工業(yè)每?jī)芍寥昃涂缟弦粋€(gè)新的臺(tái)階，即所謂的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖(ITRS)。預(yù)計(jì)2004年進(jìn)入90nm節(jié)點(diǎn)器件的批量生產(chǎn)，到2007年為65nm。然而這一切變化的關(guān)鍵是光刻技術(shù)，所以人們統(tǒng)稱光刻技術(shù)是半導(dǎo)體工業(yè)的“領(lǐng)頭羊”。2003年ITRS修訂的最新版本如表1所示。 隨著集成電路產(chǎn)品技術(shù)需求的提升，光刻技術(shù)也不斷地提高分辨率，以制作更微細(xì)的器件尺寸。全球光刻技術(shù)的進(jìn)程如圖1所示。 傳統(tǒng)上提高光刻技術(shù)的分辨率無(wú)非是縮短曝光波長(zhǎng)及增大鏡頭的數(shù)值
- 關(guān)鍵字： 光刻技術(shù) 其他IC 制程
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光刻技術(shù)介紹
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光刻技術(shù)專欄文章
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