光刻膠 文章 進(jìn)入光刻膠技術(shù)社區(qū)
光刻膠：芯片產(chǎn)業(yè)鏈形成的關(guān)鍵原料
- 光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)經(jīng)光刻工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移媒介。作用原理是利用紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,使其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。光刻膠主要用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件的微細(xì)加工，同時在平板顯示、LED、倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有著廣泛的應(yīng)用。光刻膠又稱光致抗蝕劑，由主要成分和溶劑構(gòu)成，當(dāng)前光刻膠主要使用的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），占光刻膠含量約為80%-90%。主要成分包括樹脂、單體、光引發(fā)劑及添
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光刻膠和掩膜版，純國產(chǎn)芯片生產(chǎn)需要克服的兩個重要障礙
- 無法制造純國產(chǎn)的高端芯片，是國人心中隱隱的痛！目前來說，阻礙國產(chǎn)高端芯片的最大瓶頸就是極紫外光刻機(jī)。但是，即使有了極紫外光刻機(jī)，也需要光刻膠和掩膜版來進(jìn)行配套才行。一、光刻機(jī)不是直接刻蝕芯片正如上一個關(guān)于光刻機(jī)的視頻所說，芯片生產(chǎn)用的光刻機(jī)，只是起到曝光的作用，并不進(jìn)行刻蝕。要想用光刻機(jī)進(jìn)行直接刻蝕，必然面臨以下幾個難題。首先，要把激光功率做到足夠大，需要把硅或一些金屬氧化物直接氣化剝離。目前來說，波長越短的激光光源制造越困難，實(shí)現(xiàn)大功率越難，現(xiàn)有的紫外、極紫外光源難以產(chǎn)生足夠強(qiáng)的激光。尤其是極紫外光源，
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打破日美壟斷 國產(chǎn)ArF光刻膠取得重大突破：可用于7nm工藝
- 作為半導(dǎo)體卡脖子的技術(shù)之一,很多人只知道光刻機(jī),卻不知道光刻膠的重要性,這個市場也是被日本及美國公司壟斷,TOP5廠商占了全球85%的份額。國產(chǎn)光刻膠此前只能用于低端工藝生產(chǎn)線中,能做到G 線(436nm)、I 線 (365nm)水平,目前主要在用的ArF光刻膠還是靠進(jìn)口,EUV光刻膠目前還沒有公司能生產(chǎn),基本上都控制在日本公司手中。不過EUV光刻膠也不是急需的,因?yàn)閲鴥?nèi)目前還沒有EUV工藝量產(chǎn),193nm的ArF光刻膠更加重要,目前國內(nèi)有多家公司正在攻關(guān)中,這種光刻膠可以用于28nm
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90%市場被國外廠商壟斷 光刻膠國產(chǎn)化急需提速！
- 近年來,雖然中國在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域有了突飛猛進(jìn)的發(fā)展,涌現(xiàn)出了一批以華為海思為代表的優(yōu)秀的芯片設(shè)計(jì)企業(yè),但是在芯片制造領(lǐng)域,中國與國外仍有著不小的差距。不僅在半導(dǎo)體制程工藝上落后國外最先進(jìn)工藝近三代,特別是在芯片制造所需的關(guān)鍵原材料方面,與美日歐等國差距更是巨大。即便強(qiáng)大如韓國三星這樣的巨頭,在去年7月,日本宣布限制光刻膠、氟化聚酰亞胺和高純度氟化氫等關(guān)鍵原材料對韓國的出口之后,也是被死死的“卡住了脖子”,急得如熱鍋上的螞蟻,卻又無可奈何。最后還是日本政府解除了部分限制之后,才得以化解了危機(jī)。而在美國制裁中興
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日本部分解除對韓出口限制：光刻膠不再禁售
- 2019年7月初，日韓突然陷入制裁爭端，日本宣布限制對韓出口三種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料，分別是電視和手機(jī)OLED面板上使用的氟聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導(dǎo)體制造中的核心材料光刻膠(Photoresist)和高純度氟化氫(Eatching Gas)。日本方面敢這么做當(dāng)然是有底氣的，基本壟斷著全球的氟聚酰亞胺、氟化氫材料市場，分別占全球份額的90％、70％之多，韓國企業(yè)更是嚴(yán)重依賴日本供應(yīng)，禁售直接帶來了毀滅性的打擊。據(jù)外媒最新報(bào)道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省已經(jīng)部分解除了對韓國出口光刻膠的限制。今后
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SEMI：半導(dǎo)體材料市場反彈至創(chuàng)新的記錄
- 根據(jù)SEMI于SEMICON West上最新的數(shù)據(jù)報(bào)道，由于IC出貨量的持續(xù)增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體材料用量己經(jīng)回到近08年水平，但是預(yù)期2011年的增速減緩。 2010年總的半導(dǎo)體前道材料(fab Materials)將由09年的178.5億美元(與08年相比下降26，2%)提高到217.1億美元，但仍未超過2008年241.9億美元水平 。這是由SEMI分析師Dan Tracy在7月12日下午的年會上公布的數(shù)據(jù)。 在2010年中增長最快是硅片(32%up，達(dá)94.1億美元)，緊接著是光刻膠(2
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TFT高性能光刻膠國產(chǎn)化勢在必行
- TFT-LCD產(chǎn)業(yè)是當(dāng)今產(chǎn)業(yè)界幾個高成長產(chǎn)業(yè)之一。近10年來，日本、韓國及我國臺灣等國家和地區(qū)，已經(jīng)為它投資了上千億美元，形成地域相當(dāng)集中、規(guī)模相當(dāng)巨大的產(chǎn)業(yè)集群。 我國光刻膠用量逐年增加 中國液晶產(chǎn)業(yè)始于1980年，起步并不晚。但是我們長期限于TN、STN-LCD。在2003年后才真正開始大規(guī)模建設(shè)TFT-LCD生產(chǎn)線，目前已經(jīng)量產(chǎn)的廠家主要是京東方、上廣電、龍騰和深超光電4家，產(chǎn)能約占全球總產(chǎn)能的4%。 目前我國在建和待建的大尺寸TFT-LCD生產(chǎn)線共有8條，其中，京東方除了規(guī)劃
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華飛微電子：國產(chǎn)高檔光刻膠的先行者
- 光刻膠是集成電路中實(shí)現(xiàn)芯片圖形轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵基礎(chǔ)化學(xué)材料，在光刻膠的高端領(lǐng)域，技術(shù)一直為美國、日本廠商等所壟斷;近年來，本土光刻膠供應(yīng)商開始涉足高檔光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn)，蘇州華飛微電子材料有限公司就是其中一家。 據(jù)華飛微電子總工程師兼代總經(jīng)理冉瑞成介紹，目前華飛主要產(chǎn)品系列為248nm成膜樹脂及光刻膠，同時重點(diǎn)研發(fā)193nm成膜樹脂及光刻膠和高檔專用UV成膜樹脂及光刻膠。 冉瑞成表示，248nm深紫外(DUV)光刻膠用于8-12英寸超大規(guī)模集成電路制造的關(guān)鍵功能材料，目前的供應(yīng)商基本來自美國、日
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光刻膠介紹
光刻膠-正文 又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚?，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖）。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理， [ 查看詳細(xì) ]
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