光掩膜刻蝕 文章 進入光掩膜刻蝕技術(shù)社區(qū)
應(yīng)用材料公司推出關(guān)鍵性45納米光掩膜刻蝕技術(shù)設(shè)備
- 近日，應(yīng)用材料公司宣布推出先進的Applied Centura® TetraTMIII掩膜刻蝕設(shè)備，它是目前唯一可以提供45納米光掩膜刻蝕所需要的至關(guān)重要的納米制造技術(shù)系統(tǒng)。Tetra III通過控制石英掩膜把刻槽深度控制在10 Å以內(nèi)，同時把臨界尺寸損失減小到10nm以下，使客戶可以在最重要的器件層交替使用相移掩膜和強有力的光學臨近修正技術(shù)。該系統(tǒng)為基于鉻、石英、氮氧硅鉬等多種新材料的下一代光刻技術(shù)應(yīng)用提供無差錯、高產(chǎn)能的刻蝕工藝。 應(yīng)用材料公司資深副總裁，刻蝕、清潔、前道
- 關(guān)鍵字： 45納米 光掩膜刻蝕 應(yīng)用材料公司
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光掩膜刻蝕介紹
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